第四代SiC MOSFET

RDS(on)低至7mΩ

近日，派恩杰半導體正式發布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產品的導通電阻RDS(on)最低可達7mΩ，達到國際領先水平。相比上一代產品，第四代SiC MOSFET不僅進一步降低了導通電阻，還顯著減少了開關損耗，并優化了開通/關斷波形，從而實現更高的載流能力與系統效率。

隨著更多第四代產品的陸續推出，派恩杰將持續助力合作伙伴打造更具性價比和更高可靠性的電源系統解決方案。

派恩杰始終秉持功率器件“摩爾定律”的理念，認為其技術演進亦是通過不斷縮小元胞尺寸實現性能躍升的過程。從硅到碳化硅，這一趨勢始終貫穿發展歷程。早在2019年，派恩杰發布的第三代SiC MOSFET產品便率先實現了4.8μm的元胞尺寸，在導通電阻、開關損耗、抗沖擊能力及抗串擾性能等方面均處于全球領先水平。

歷經市場實踐和與客戶的深度合作，我們積累了寶貴的技術和應用經驗，并將其轉化為第四代產品的核心競爭力 —— 全新元胞尺寸縮小至3.5μm，在整體性能上實現跨越式提升。

在實際應用測試中，派恩杰基于自有應用負載平臺，對比第三代與第四代SiC MOSFET（750V平臺，芯片尺寸5mm × 5mm）在550V直流母線電壓、不同負載電流條件下的表現。結果顯示：第四代器件的載流能力提高超過20%，開關損耗亦下降逾20%，性能提升顯著。

未來，派恩杰半導體將繼續攜手合作伙伴，不斷優化碳化硅功率器件的性能與可靠性，為行業提供更高效、更穩定的解決方案，共創共贏。

【派恩杰半導體】

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規模導入國產新能源整車廠和Tier 1，其余產品廣泛用于大數據中心、超級計算與區塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業特種電源、UPS、電機驅動等領域。