近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉換應用設計。這些產品廣泛適用于光伏和風能逆變器、儲能系統、電動汽車及充電設施、不間斷電源(UPS)以及感應加熱和焊接系統等場景。

本次推出的QSiC? 1700 V高速平面型D-MOSFET系列具備高功率密度和緊湊的系統設計優勢，顯著降低了整體系統成本。這一系列產品采用了高可靠性設計，內置的體二極管能夠在高達175°C的環境下穩定運行。此外，所有器件均經過超過1900 V的高電壓測試和600 mJ的UIL雪崩測試，確保在長時間使用中的穩定性和安全性。

該系列產品提供多種封裝形式，包括裸片(GP2T030A170X)和帶有4引腳的TO-247-4L封裝(GP2T030A170H)，支持用戶根據實際需求靈活選擇。此外，SemiQ還推出了符合汽車級AEC-Q101認證的型號(AS2T030A170X和AS2T030A170H)，進一步滿足汽車電子領域的高可靠性要求。

QSiC 1700 V SiC MOSFET系列憑借低開關損耗、低導通損耗和低電容特性，在行業內樹立了新的性能標桿。每個器件還通過了晶圓級老化測試(WLBI)，從而有效篩除可能存在潛在缺陷的器件，提升產品整體質量。

具體而言，裸片和TO-247-4L封裝的產品具備564 W的功率耗散能力，連續漏極電流在25°C下為83 A(100°C下為61 A)，脈沖漏極電流在25°C下可達250 A。其導通電阻(RDSON)在25°C時為31 mΩ(125°C時為57 mΩ)，反向恢復時間(tRR)僅為17 ns，充分滿足高效能場景的應用需求。

為了進一步簡化系統設計，SemiQ還推出了三款模塊化產品，包括采用S3封裝(標準62 mm半橋模塊)的模塊，以及兩款SOT-227封裝的功率模塊。這些模塊化設計不僅支持更高的功率密度，還具有便捷的安裝方式，可直接固定于散熱器上。

其中，62 mm半橋模塊的功率耗散能力高達2113 W，其連續漏極電流為397 A，脈沖漏極電流可達700 A，結殼熱阻僅為0.06°C/W，這使其成為高性能應用中的理想選擇。而SOT-227模塊則兼具高功率輸出和低熱阻性能，最大功率耗散能力達到652 W，適用于要求高效散熱的應用環境。

隨著碳化硅技術在電力電子領域的快速發展，SemiQ的1700 V SiC MOSFET系列為中壓大功率轉換領域提供了強有力的技術支持。憑借其高功率密度、高可靠性和多樣化選擇，該系列產品有望在光伏、儲能、充電設施等多個行業中發揮重要作用，助力我國新能源和電力電子產業的持續升級。

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