近日,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面型D-MOSFET系列,不僅展現(xiàn)了SemiQ在SiC技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累,更為光伏、風(fēng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)及充電設(shè)施、不間斷電源(UPS)以及感應(yīng)加熱和焊接系統(tǒng)等多個(gè)領(lǐng)域提供了全新的解決方案。
QSiC? 1700V系列MOSFET以其卓越的性能脫穎而出。該系列產(chǎn)品具備高功率密度和緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì),極大地降低了整體系統(tǒng)成本,為用戶帶來(lái)了顯著的經(jīng)濟(jì)效益。同時(shí),這些器件的高可靠性設(shè)計(jì)也是其一大亮點(diǎn)。內(nèi)置的體二極管能夠在高達(dá)175°C的環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,確保了設(shè)備在各種惡劣條件下的穩(wěn)定性和耐用性。
為了確保產(chǎn)品的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和安全性,SemiQ對(duì)所有QSiC? 1700V系列器件進(jìn)行了嚴(yán)格的測(cè)試。這些器件均經(jīng)過(guò)了超過(guò)1900V的高電壓測(cè)試和600mJ的UIL雪崩測(cè)試,充分證明了其在長(zhǎng)時(shí)間使用中的可靠性和安全性。
SemiQ表示,此次發(fā)布的QSiC? 1700V系列SiC MOSFET新品,是公司不斷創(chuàng)新和追求卓越的結(jié)果。未來(lái),SemiQ將繼續(xù)致力于SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)和推廣,為更多領(lǐng)域提供高效、可靠、經(jīng)濟(jì)的解決方案,推動(dòng)全球能源轉(zhuǎn)型和綠色可持續(xù)發(fā)展。
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10200瀏覽量
234481 -
功率半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
23文章
1482瀏覽量
45238 -
SemiQ
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
8瀏覽量
225
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
芯塔電子推出1700V/25mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET產(chǎn)品TM4G0025170K
一文看懂 | 中國(guó)華北、華東地區(qū)SiC功率器件廠商2026年最新動(dòng)態(tài)【上】
PI 1250V/1700V GaN HEMT助力英偉達(dá)800VDC架構(gòu)
基于1700V碳化硅MOSFET的反激輔助電源設(shè)計(jì)
1400V SiC MOSFET市場(chǎng)再添新玩家
onsemi NVBG050N170M1 碳化矽 MOSFET 技術(shù)解析與應(yīng)用指南
傾佳電子研究報(bào)告:B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應(yīng)用
傾佳電子面向電力電子功率變換系統(tǒng)的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設(shè)計(jì)
傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓?fù)洹⑵骷x型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報(bào)告
兩款國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎
國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET在電力電子輔助電源中的全面進(jìn)口替代方案
Power Integrations的1700V開(kāi)關(guān)IC為800V純電動(dòng)汽車(chē) 提供可靠性和節(jié)省空間的優(yōu)勢(shì)
SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊:高效能、超快開(kāi)關(guān)與卓越熱管理
SiC MOSFET 開(kāi)關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)
SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊,助力緊湊型高性能電源系統(tǒng)
SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品
評(píng)論