隨著高效能、緊湊型電源系統的需求日益增長，傳統平面MOSFET已逐漸難以滿足高壓低損耗的要求。龍騰半導體自主開發的超高壓950V超結SJ MOS平臺，采用先進的多次外延結構設計，在保證高耐壓的基礎上，有效減少器件內部的寄生電容，進一步優化開關過程中的能量損失。與傳統的PN結結構相比，這種新型結構能夠有效減小漏電流，提高器件的熱穩定性和抗電場能力，確保在高壓條件下的可靠性。滿足LED照明電源、適配器、模塊電源、植物照明電源等高壓中功率領域的需求。

龍騰 950V 超結MOS

采用多次外延工藝，通過精準堆疊外延層并優化摻雜分布，實現電荷平衡與電場均勻性的大幅提升，賦予產品三大核心優勢：

極低導通損耗

Rsp（比導通電阻）較國際競品降低22.3%，顯著減少導通損耗，可在植物照明電源中實現更高能效。

超快動態性能

FOM(Qgd)優化14.5%，開關損耗（Eon/Eoff）分別降低18.5%和43.1%，助力高頻電源設計簡化。

卓越可靠性

Trr（反向恢復時間）縮短13.6%，減少開關噪聲，提升系統穩定性；同時，多次外延工藝增強了器件耐壓能力，支持950V高壓場景下的長期穩定運行。

龍騰 SJ MOS 800V-950V推薦型號