電子發燒友網綜合報道 200V低壓MOSFET數據中心電源、BLDC電機驅動、新能源等領域應用廣泛，在低壓領域MOSFET，SGT MOSFET由于其性能優勢，正在獲得快速增長，逐步取代傳統的Trench MOSFET。

SGT MOSFET全稱Shielded Gate Trench MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET。SGT MOSFET基于傳統溝槽MOSFET，通過結構的改進從而提升穩定性、低損耗等性能。傳統平面型MOSFET中，源極和漏極區域是橫向布局的，柵極在源極和漏極區域的上方，形成一個平面結構。

溝槽MOSFET則是源極和漏極區域垂直于半導體表面，柵極被嵌入到硅片中的溝槽內，形成垂直結構。相比傳統的溝槽MOSFET，SGT MOSFET采用深溝槽結構，“挖槽”更加深入，柵極被嵌入到硅片的深槽中。同時SGT MOSFET在溝槽內部有一層多晶硅柵極（主柵極），其上方還有一層多晶硅屏蔽柵極，這個額外的屏蔽柵極可以調節溝道內的電場分布，從而降低導通電阻并提高開關性能。

由于屏蔽柵的存在，SGT MOSFET可以更有效地控制電場分布，從而減少寄生效應，降低開關損耗和導通損耗。也由于結構和更優的電場分布，SGT MOSFET可以在相同的擊穿電壓下使用更小的單元尺寸，從而減小芯片面積。

所以，SGT MOSFET相比傳統的溝槽MOSFET，導通電阻和開關損耗可以更低，尤其是在中低壓的應用領域中，屏蔽柵結構有助于提高器件可靠性，其高效率以及緊湊的芯片尺寸也能夠更加適合這些應用。

最近揚杰推出了其200V MOSFET Gen2.0系列產品，正是采用了SGT工藝。該系列SGT MOSFET支持最低8.6mΩ的RDS(on)，同時優化了正溫度系數特性，支持多管并聯均流，帶來更低的導通損耗。

在開關性能上，優化了柵電荷總量 Qg, 顯著降低開關振鈴風險，同時消除體二極管反向導通損耗，提供了更低的切換損耗。

提供PDFN5060, TO-220F, TO-247-3L，TO-263等封裝選項，其中TO-247封裝下結殼熱阻 RθJC ≤ 0.5℃/W，提供高效散熱。芯片最高工作結溫175℃，提供出色的散熱性能，優異的溫升表現。MOS產品EAS能力也得到優化，提高產品的可靠性。

SGT MOSFET在中低電壓場景下由于更強的穩定性，更低的導通電阻和開關損耗，未來對Trench MOSFET有取代的趨勢。由于應用廣泛，目前主流的功率半導體企業都已經推出200V及以下的SGT MOSFET產品，包括華潤微、捷捷微電、新潔能、士蘭微、東微半導體等。隨著產品的逐步替代，國內功率廠商也將會有更多的機會。