国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Nexperia推出高功率工業應用專用MOSFET

安世半導體 ? 來源:安世半導體 ? 2025-10-10 11:22 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Nexperia(安世半導體)近日宣布,為旗下不斷擴充的應用專用MOSFET (ASFET)產品組合再添新產品。ASFET系列的產品特性經優化調校,可滿足特定終端應用的嚴苛需求。其中,80 V PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關器件能夠提供增強的動態均流功能,專為需要并聯多個匹配MOSFET的高功率48 V應用設計。此類應用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設備等電動交通工具的電機驅動系統,或高功率工業電機。

在并聯兩個或多個MOSFET以實現高電流能力和降低導通損耗的過程中,設計人員往往難以確保在導通與關斷階段,負載電流可在各獨立器件間均勻分配。VGS(th)值最低的MOSFET會最先導通,進而承受更高熱應力,可能會加速器件失效。為保障足夠的安全裕量,工程師通常會對終端應用中所用MOSFET的規格進行過度設計。這種方式不僅會增加成本、消耗更多時間,還需開展額外的測試,但仍難以保證器件在高負載電流(數十安培級別)場景下具有穩定表現。另一種方案是向供應商采購經過篩選匹配的器件,但同樣會增加終端應用的整體成本。

Nexperia PSMN1R9-80SSJ和PSMN2R3-100SSJ ASFET憑借優異的特性和增強的動態均流功能,可幫助設計人員規避上述兩種方案的局限。在導通/關斷過程中,針對單器件電流達50 A的應用場景,這兩款開關能使并聯器件間的電流差值減少50%;同時,VGS(th)參數差異范圍縮小50%(最大值與最小值僅差0.6 V)。這一特性結合1.9 mΩ或2.3 mΩ的低RDS(on),有助于在功率開關應用中提升能效表現。

新款ASFET采用兼具耐用性與空間效率的8 mm×8 mm銅夾片LFPAK88封裝,工作溫度范圍為-55℃至+175℃。

Nexperia (安世半導體)

Nexperia(安世半導體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發展歷史的全球性半導體公司,目前在歐洲、亞洲和美國共有12,500多名員工。作為基礎半導體器件開發和生產的領跑者,Nexperia(安世半導體)的器件被廣泛應用于汽車、工業、移動和消費等多個應用領域,幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia(安世半導體)為全球客戶提供服務,每年的產品出貨量超過1,000億件。這些產品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業基準,獲得廣泛認可。Nexperia(安世半導體)擁有豐富的IP產品組合和持續擴充的產品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證,充分體現了公司對于創新、高效、可持續發展和滿足行業嚴苛要求的堅定承諾。

Nexperia:效率致勝。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    150

    文章

    9484

    瀏覽量

    230163
  • 功率開關
    +關注

    關注

    1

    文章

    195

    瀏覽量

    27004
  • 開關器件
    +關注

    關注

    1

    文章

    210

    瀏覽量

    17602
  • Nexperia
    +關注

    關注

    1

    文章

    796

    瀏覽量

    59058

原文標題:新品快訊 | Nexperia推出應用專用MOSFET,為高功率工業應用提供增強的動態均流功能

文章出處:【微信號:Nexperia_China,微信公眾號:安世半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    SiLM27213EK-DG專用MOSFET門極驅動器,高頻高效率開關電源解決方案

    系統的最后一把鑰匙。SiLM27213EK-DG專用MOSFET門極驅動器,看它如何憑借“寬電壓、大電流、集成”三大特質,直擊工程師的設計痛點。一、概述:不只是驅動,更是系統性能的倍增器在高頻大電流
    發表于 12-10 08:55

    功率MOSFET管的應用問題分析

    主要由柵氧化層厚度控制,柵極與漏極最大電壓主要由外延層厚度來控制,所以VGD耐壓。 問題6:單獨一次雪崩,會擊穿損壞功率MOSFET管嗎?雪崩損壞功率
    發表于 11-19 06:35

    N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管

    N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
    發表于 10-31 09:35

    Nexperia推出符合AEC-Q101標準的新款100V MOSFET

    Nexperia(安世半導體)近日宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET,采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗,導通電
    的頭像 發表于 09-18 18:19 ?1044次閱讀

    Nexperia推出40-100V汽車MLPAK MOSFET

    Nexperia(安世半導體)近日推出40-100 V汽車MOSFET產品組合,該系列采用行業標準微引腳封裝,專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護及LED照明應用設計。
    的頭像 發表于 09-12 09:38 ?578次閱讀

    Nexperia碳化硅MOSFET優化電源開關性能

    面對大功率電壓應用不斷增長的需求,Nexperia(安世半導體)正式推出了碳化硅(SiC)MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)
    的頭像 發表于 06-14 14:56 ?1334次閱讀
    <b class='flag-5'>Nexperia</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>優化電源開關性能

    Nexperia推出行業領先的D2PAK-7封裝車規級1200 V碳化硅MOSFET

    基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日宣布推出一系列高效耐用的車規級碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器件
    的頭像 發表于 05-09 19:42 ?4.8w次閱讀

    Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET,具備卓越效率與熱穩定性

    近日,Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導體場效應晶體管,SiCMOSFET),這些新產品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產品在性能指標
    的頭像 發表于 05-08 11:09 ?602次閱讀
    <b class='flag-5'>Nexperia</b><b class='flag-5'>推出</b>新款汽車級SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>,具備卓越效率與熱穩定性

    Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

    Nexperia(安世半導體)正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET
    的頭像 發表于 03-21 10:11 ?1166次閱讀

    Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創新X.PAK封裝技術

    近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專為滿足工業應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的溫度穩定性,還采用了先進的表面貼
    的頭像 發表于 03-20 11:18 ?919次閱讀
    <b class='flag-5'>Nexperia</b><b class='flag-5'>推出</b>高效耐用的1200 V SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>,采用創新X.PAK封裝技術

    新潔能推出HO系列MOSFET產品

    隨著市場對高性能功率半導體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長,新潔能(NCE)產品研發部門推出HO系列MOSFET產品,優化了SOA工作區間,可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險絲、電
    的頭像 發表于 03-04 14:40 ?1196次閱讀
    新潔能<b class='flag-5'>推出</b>HO系列<b class='flag-5'>MOSFET</b>產品

    Nexperia推出全新CCPAK GaN FET產品組合

    Nexperia(安世半導體)融合其近20年來在高質量、穩健性SMD封裝方面的豐富生產經驗,推出全新CCPAK GaN FET產品組合。基于此久經考驗的封裝技術,CCPAK作為一種真正創新的封裝提供了業界領先的性能。
    的頭像 發表于 02-19 13:45 ?980次閱讀

    Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南

    電子發燒友網站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》資料免費下載
    發表于 02-13 17:21 ?2次下載
    <b class='flag-5'>Nexperia</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b> LTspice模型使用指南

    瑞薩電子推出新型 100V 功率 MOSFET,助力多領域應用

    近日,瑞薩電子公司宣布推出新型100V功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計,以其卓越的
    的頭像 發表于 01-13 11:41 ?918次閱讀
    瑞薩電子<b class='flag-5'>推出</b>新型 100V <b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>,助力多領域應用

    Nexperia推出CCPAK1212封裝MOSFET,性能再升級

    Nexperia公司近日宣布,成功推出16款全新的80V和100V功率MOSFET,這些產品均采用了創新的CCPAK1212封裝技術。這一突破性設計不僅提升了
    的頭像 發表于 12-24 09:15 ?1172次閱讀