Nexperia(安世半導體)近日宣布,為旗下不斷擴充的應用專用MOSFET (ASFET)產品組合再添新產品。ASFET系列的產品特性經優化調校,可滿足特定終端應用的嚴苛需求。其中,80 V PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關器件能夠提供增強的動態均流功能,專為需要并聯多個匹配MOSFET的高功率48 V應用設計。此類應用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設備等電動交通工具的電機驅動系統,或高功率工業電機。
在并聯兩個或多個MOSFET以實現高電流能力和降低導通損耗的過程中,設計人員往往難以確保在導通與關斷階段,負載電流可在各獨立器件間均勻分配。VGS(th)值最低的MOSFET會最先導通,進而承受更高熱應力,可能會加速器件失效。為保障足夠的安全裕量,工程師通常會對終端應用中所用MOSFET的規格進行過度設計。這種方式不僅會增加成本、消耗更多時間,還需開展額外的測試,但仍難以保證器件在高負載電流(數十安培級別)場景下具有穩定表現。另一種方案是向供應商采購經過篩選匹配的器件,但同樣會增加終端應用的整體成本。
Nexperia PSMN1R9-80SSJ和PSMN2R3-100SSJ ASFET憑借優異的特性和增強的動態均流功能,可幫助設計人員規避上述兩種方案的局限。在導通/關斷過程中,針對單器件電流達50 A的應用場景,這兩款開關能使并聯器件間的電流差值減少50%;同時,VGS(th)參數差異范圍縮小50%(最大值與最小值僅差0.6 V)。這一特性結合1.9 mΩ或2.3 mΩ的低RDS(on),有助于在功率開關應用中提升能效表現。
新款ASFET采用兼具耐用性與空間效率的8 mm×8 mm銅夾片LFPAK88封裝,工作溫度范圍為-55℃至+175℃。
Nexperia (安世半導體)
Nexperia(安世半導體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發展歷史的全球性半導體公司,目前在歐洲、亞洲和美國共有12,500多名員工。作為基礎半導體器件開發和生產的領跑者,Nexperia(安世半導體)的器件被廣泛應用于汽車、工業、移動和消費等多個應用領域,幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。
Nexperia(安世半導體)為全球客戶提供服務,每年的產品出貨量超過1,000億件。這些產品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業基準,獲得廣泛認可。Nexperia(安世半導體)擁有豐富的IP產品組合和持續擴充的產品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證,充分體現了公司對于創新、高效、可持續發展和滿足行業嚴苛要求的堅定承諾。
Nexperia:效率致勝。
-
MOSFET
+關注
關注
150文章
9484瀏覽量
230163 -
功率開關
+關注
關注
1文章
195瀏覽量
27004 -
開關器件
+關注
關注
1文章
210瀏覽量
17602 -
Nexperia
+關注
關注
1文章
796瀏覽量
59058
原文標題:新品快訊 | Nexperia推出應用專用MOSFET,為高功率工業應用提供增強的動態均流功能
文章出處:【微信號:Nexperia_China,微信公眾號:安世半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
SiLM27213EK-DG專用MOSFET門極驅動器,高頻高效率開關電源解決方案
功率MOSFET管的應用問題分析
N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
Nexperia推出符合AEC-Q101標準的新款100V MOSFET
Nexperia推出40-100V汽車MLPAK MOSFET
Nexperia推出行業領先的D2PAK-7封裝車規級1200 V碳化硅MOSFET
Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET,具備卓越效率與熱穩定性
Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET
Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創新X.PAK封裝技術
新潔能推出HO系列MOSFET產品
Nexperia推出全新CCPAK GaN FET產品組合
Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南
瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多領域應用

Nexperia推出高功率工業應用專用MOSFET
評論