TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET

日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool? NexFET? 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。

據TI中國區電源產品業務拓展工程師吳濤先生介紹，如下圖所示，在傳統的MOSFET板上面，從上面看上去是一整塊的塑料，在DualCool上面有一塊金屬的表層，這個金屬的表層好處就是能夠讓熱量直接從頂層散發出去，最大的好處就是允許在這個MOSFET上面，比傳統的MOSFET管散發更多的額外80%的功率。相對的來講，在這個封裝上面能夠增加50%的電流。所以在這樣的散熱性能下來，能夠使功率密度更加提高，而且也有利于把板的熱量降下來，直接散發到空氣當中。

吳濤先生表示，NexFET的技術是一種創新的技術。如下圖所示， NexFET這種技術導電的渠道是橫向加上縱向，經過一些特殊的處理，在縱向的溝道上減少縱向上的導通電阻，同時也縮小了門極的區域，所以才能夠把門極的充電電荷減到非常小。

這種構造相對于平面結構能夠提高功率，從結構上提高MOSFET管的密度，而且在降低門極的充電電荷同時，并沒有犧牲導通電阻的性能，仍然能夠達到很小的一個導通電阻，所以它是一個創新的MOSFET管的工藝技術。

該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種終端應用，其中包括臺式個人計算機、服務器、電信或網絡設備、基站以及高電流工業系統等。

TI 高級副總裁兼電源管理全球經理 Steve Anderson 指出：“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源，以滿足各種基礎設施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足這一需求。”

DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性與優勢包括：作為單相35A 同步降壓轉換器的 MOSFET， 采用一個 MOSFET 即可滿足高電流 DC/DC 應用中的高、低側兩種開關需求；增強型封裝技術可將封裝頂部熱阻從10 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升 80%；高效的雙面散熱技術可將允許通過 FET 的電流提高 50%，設計人員無需增加終端設備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅動的處理器；業界標準 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝可簡化設計、降低成本，與使用兩個標準5x6封裝相比，可節省 30mm2的空間。
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DualCool NexFET 器件現已開始批量供貨。此外，還提供樣片與應用手冊。可通過以下鏈接查閱有關 TI NexFET MOSFET 與其它功率產品的更多信息：訂購 NexFET 評估板與樣片：www.ti.com.cn/mosfet-dcprcn ；DualCool NexFET 功率 MOSFET 的視頻演示：www.ti.com.cn/dualcool-prvcn 。