Simcenter Micred T3STER

瞬態熱阻測試儀

通過高精度、可重復的熱瞬態測試技術和結構功能分析，對封裝半導體器件進行熱表征。

為何選擇Simcenter Micred T3STER？

Simcenter Micred T3STER是一款先進的無損瞬態熱測試器，通過測試施工現場的元件，對封裝半導體裝置（二極管、雙極型晶體管、功率場效應管、絕緣柵雙極晶體管、電源LED指示燈）和多晶片裝置進行熱特性分析。該測試器能夠比穩態方法更有效地測量真正的熱瞬態響應。測量結果偏差最多為±0.01°C，而解算時間最多為1 微秒，因此可產生精確的熱測量值。

結構函數對響應進行后處理，將其繪圖以顯示封裝特征在熱流通道上的熱阻值和電容量。Simcenter Micred T3STER是一款理想的前處理和后處理應力失效檢測工具。測量結果可導出用于熱模型校準，從而增強熱設計工作的準確性。只需一次測試即可更快地獲得結果Simcenter Micred T3STER易于使用且快速。其產生完全可重復的結果，因此每項測試只需要執行一次。Simcenter Micred T3STER僅使用電氣連接對封裝IC進行供電和檢測測試，提供快速可重復的結果，并且無需對同一器件進行多次測試。部件可原位進行測試，測試結果可用作緊湊的熱模型或校準詳細模型。

測試所有類型的封裝半導體實際上，所有類型的封裝半導體都可以進行測試，從功率二極管和晶體管到大型且高度復雜的數字IC，包括安裝在電路板上的部件，甚至封裝到產品中。簡而言之，將功率脈沖注入部件中，并非常準確地記錄其溫度響應隨時間的變化。半導體本身既用于為零件供電，也用于使用芯片表面上的溫度敏感參數（例如晶體管或二極管結構）檢測溫度響應。訪問可靠的軟件Simcenter Micred T3STER隨附的軟件為相關解算方案帶來了許多價值。這是因為 Simcenter Micred T3STER軟件可獲取溫度與時間的軌跡，并將其轉換為所謂的結構函數。在此圖中可以檢測到封裝的離散特征（例如芯片貼裝），使Simcenter Micred T3STER成為產品開發中出色的診斷工具。該圖還可用于校準Simcenter Flotherm中的詳細3D熱模型，創建芯片封裝的熱模型預測空間和時間溫度，準確率高達99+%。

Simcenter T3STER功能

熱測試此系列熱特性分析硬件解決方案賦能部件和系統供應商準確高效地測試、測量半導體集成電路封裝、單個和陣列LED、堆疊和多晶片封裝、動力電子模塊、導熱介質 (TIM)屬性和完整電子系統，并對熱特性進行表征。我們的硬件解決方案可直接連續實時測量封裝半導體器件的實際加熱或冷卻曲線，而不是根據多個單獨測試的結果人為地將其組合在一起。以這種方式測量真正的熱瞬態響應更加高效且準確，因而可獲得比穩態方法更準確的熱測量值。每個樣本只需要進行一次測量，無需像穩態方法那樣重復測量并取平均值。