深入解析 NTMFD5C672NL 雙 N 溝道功率 MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。今天，我們就來(lái)深入探討一下 ON Semiconductor 推出的 NTMFD5C672NL 雙 N 溝道功率 MOSFET。

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產(chǎn)品概述

NTMFD5C672NL 是一款專為緊湊型設(shè)計(jì)打造的雙 N 溝道功率 MOSFET，具有 60V 的耐壓能力，最大連續(xù)漏極電流可達(dá) 49A，同時(shí)具備低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷等優(yōu)點(diǎn)，能有效降低導(dǎo)通損耗和驅(qū)動(dòng)損耗。而且，該器件符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鉛、無(wú)鹵素，環(huán)保性能出色。

產(chǎn)品特性

緊湊設(shè)計(jì)

其采用 5x6mm 的小尺寸封裝，為緊湊型設(shè)計(jì)提供了可能，非常適合對(duì)空間要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。

低導(dǎo)通損耗

低 $R_{DS(on)}$ 特性可顯著降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。在實(shí)際應(yīng)用中，較低的導(dǎo)通電阻意味著在相同的電流下，MOSFET 產(chǎn)生的熱量更少，能有效減少能量損耗。

低驅(qū)動(dòng)損耗

低 $Q_{G}$ 和電容值有助于降低驅(qū)動(dòng)損耗，減少驅(qū)動(dòng)電路的功耗，提高整個(gè)系統(tǒng)的能效。

主要參數(shù)

最大額定值

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱阻參數(shù)

不過(guò)，熱阻會(huì)受到整個(gè)應(yīng)用環(huán)境的影響，并非固定值，僅在特定條件下有效。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：$V{GS}=0V$，$I{D}=250\mu A$ 時(shí)，$V_{(BR)DSS}$ 為 60V。
• 零柵壓漏極電流：$V{GS}=0V$，$V{DS}=60V$，$T{J}=25^{\circ}C$ 時(shí)，$I{DSS}$ 為 10μA；$T{J}=125^{\circ}C$ 時(shí)，$I{DSS}$ 為 100μA。
• 柵源泄漏電流：$V{DS}=0V$，$V{GS}=20V$ 時(shí)，$I_{GSS}$ 為 100nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：$V{GS}=V{DS}$，$I=30A$ 時(shí)，典型值為 1.2 - 2.2V。
• 漏源導(dǎo)通電阻：$V{GS}=10V$，$I{D}=10A$ 時(shí)，典型值為 9.8 - 11.9mΩ；$V{GS}=4.5V$，$I{D}=10A$ 時(shí)，典型值為 13.4 - 16.8mΩ。
• 正向跨導(dǎo)：$V{DS}=15V$，$I{D}=10A$ 時(shí)，典型值為 27.5S。

電荷、電容及柵極電阻

• 輸入電容：$V{GS}=0V$，$f = 1MHz$，$V{DS}=25V$ 時(shí)，$C_{iss}$ 為 793pF。
• 輸出電容：$C_{oss}$ 為 383pF。
• 反向傳輸電容：$C_{rss}$ 為 9.0pF。
• 總柵極電荷：$V{GS}=4.5V$，$V{DS}=48V$，$I{D}=10A$ 時(shí)，$Q{G(TOT)}$ 為 5.7nC；$V{GS}=10V$，$V{DS}=48V$，$I{D}=10A$ 時(shí)，$Q{G(TOT)}$ 為 12.3nC。

開(kāi)關(guān)特性

在 $V{GS}=4.5V$，$V{DS}=48V$，$I{D}=10A$，$R{G}=1.0\Omega$ 的條件下：

• 開(kāi)通延遲時(shí)間 $t_{d(ON)}$ 為 11ns。
• 上升時(shí)間 $t_{r}$ 為 30ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間 $t_{d(OFF)}$ 為 22ns。
• 下降時(shí)間 $t_{f}$ 為 28ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓：$V{GS}=0V$，$I{S}=10A$，$T{J}=25^{\circ}C$ 時(shí)，典型值為 0.9 - 1.2V；$T{J}=125^{\circ}C$ 時(shí)，典型值為 0.8V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間：$V{GS}=0V$，$di{S}/dt = 20A/\mu s$，$I{S}=10A$ 時(shí)，$t{RR}$ 為 26ns。

典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關(guān)系、電容變化、柵源與總電荷關(guān)系、電阻性開(kāi)關(guān)時(shí)間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)以及雪崩時(shí)峰值電流與時(shí)間關(guān)系等。這些曲線能幫助工程師更直觀地了解該 MOSFET 在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，在實(shí)際設(shè)計(jì)中具有重要的參考價(jià)值。

訂購(gòu)信息

該器件的具體型號(hào)為 NTMFD5C672NLT1G，標(biāo)記為 5C672L，采用 DFN8（無(wú)鉛）封裝，每盤 1500 個(gè)，以卷帶形式包裝。

機(jī)械尺寸

文檔詳細(xì)給出了該器件的機(jī)械尺寸圖及相關(guān)尺寸參數(shù)，包括外形尺寸、引腳尺寸等。在進(jìn)行 PCB 設(shè)計(jì)時(shí)，工程師需要嚴(yán)格按照這些尺寸進(jìn)行布局，以確保器件的正確安裝和使用。

總結(jié)

NTMFD5C672NL 雙 N 溝道功率 MOSFET 憑借其緊湊的設(shè)計(jì)、低導(dǎo)通損耗和低驅(qū)動(dòng)損耗等優(yōu)點(diǎn)，在眾多電子應(yīng)用中具有廣闊的應(yīng)用前景。但在實(shí)際設(shè)計(jì)過(guò)程中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，仔細(xì)考慮其各項(xiàng)參數(shù)和特性，合理選擇和使用該器件，以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。大家在使用這款 MOSFET 時(shí)，有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。