深入解析 NTMFD5C672NL 雙 N 溝道功率 MOSFET

在電子設計領域，功率 MOSFET 是不可或缺的關鍵元件，廣泛應用于各類電源管理、電機驅動等電路中。今天，我們就來深入探討一下 ON Semiconductor 推出的 NTMFD5C672NL 雙 N 溝道功率 MOSFET。

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產品概述

NTMFD5C672NL 是一款專為緊湊型設計打造的雙 N 溝道功率 MOSFET，具有 60V 的耐壓能力，最大連續漏極電流可達 49A，同時具備低導通電阻和低柵極電荷等優點，能有效降低導通損耗和驅動損耗。而且，該器件符合 RoHS 標準，無鉛、無鹵素，環保性能出色。

產品特性

緊湊設計

其采用 5x6mm 的小尺寸封裝，為緊湊型設計提供了可能，非常適合對空間要求較高的應用場景。

低導通損耗

低 $R_{DS(on)}$ 特性可顯著降低導通損耗，提高系統效率。在實際應用中，較低的導通電阻意味著在相同的電流下，MOSFET 產生的熱量更少，能有效減少能量損耗。

低驅動損耗

低 $Q_{G}$ 和電容值有助于降低驅動損耗，減少驅動電路的功耗，提高整個系統的能效。

主要參數

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱阻參數

不過，熱阻會受到整個應用環境的影響，并非固定值，僅在特定條件下有效。

電氣特性

關斷特性

• 漏源擊穿電壓：$V{GS}=0V$，$I{D}=250\mu A$ 時，$V_{(BR)DSS}$ 為 60V。
• 零柵壓漏極電流：$V{GS}=0V$，$V{DS}=60V$，$T{J}=25^{\circ}C$ 時，$I{DSS}$ 為 10μA；$T{J}=125^{\circ}C$ 時，$I{DSS}$ 為 100μA。
• 柵源泄漏電流：$V{DS}=0V$，$V{GS}=20V$ 時，$I_{GSS}$ 為 100nA。

導通特性

• 柵極閾值電壓：$V{GS}=V{DS}$，$I=30A$ 時，典型值為 1.2 - 2.2V。
• 漏源導通電阻：$V{GS}=10V$，$I{D}=10A$ 時，典型值為 9.8 - 11.9mΩ；$V{GS}=4.5V$，$I{D}=10A$ 時，典型值為 13.4 - 16.8mΩ。
• 正向跨導：$V{DS}=15V$，$I{D}=10A$ 時，典型值為 27.5S。

電荷、電容及柵極電阻

• 輸入電容：$V{GS}=0V$，$f = 1MHz$，$V{DS}=25V$ 時，$C_{iss}$ 為 793pF。
• 輸出電容：$C_{oss}$ 為 383pF。
• 反向傳輸電容：$C_{rss}$ 為 9.0pF。
• 總柵極電荷：$V{GS}=4.5V$，$V{DS}=48V$，$I{D}=10A$ 時，$Q{G(TOT)}$ 為 5.7nC；$V{GS}=10V$，$V{DS}=48V$，$I{D}=10A$ 時，$Q{G(TOT)}$ 為 12.3nC。

開關特性

在 $V{GS}=4.5V$，$V{DS}=48V$，$I{D}=10A$，$R{G}=1.0\Omega$ 的條件下：

• 開通延遲時間 $t_{d(ON)}$ 為 11ns。
• 上升時間 $t_{r}$ 為 30ns。
• 關斷延遲時間 $t_{d(OFF)}$ 為 22ns。
• 下降時間 $t_{f}$ 為 28ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓：$V{GS}=0V$，$I{S}=10A$，$T{J}=25^{\circ}C$ 時，典型值為 0.9 - 1.2V；$T{J}=125^{\circ}C$ 時，典型值為 0.8V。
• 反向恢復時間：$V{GS}=0V$，$di{S}/dt = 20A/\mu s$，$I{S}=10A$ 時，$t{RR}$ 為 26ns。

典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻與柵源電壓關系、導通電阻與漏極電流和柵極電壓關系、導通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關系、電容變化、柵源與總電荷關系、電阻性開關時間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關系、最大額定正向偏置安全工作區以及雪崩時峰值電流與時間關系等。這些曲線能幫助工程師更直觀地了解該 MOSFET 在不同工作條件下的性能表現，在實際設計中具有重要的參考價值。

訂購信息

該器件的具體型號為 NTMFD5C672NLT1G，標記為 5C672L，采用 DFN8（無鉛）封裝，每盤 1500 個，以卷帶形式包裝。

機械尺寸

文檔詳細給出了該器件的機械尺寸圖及相關尺寸參數，包括外形尺寸、引腳尺寸等。在進行 PCB 設計時，工程師需要嚴格按照這些尺寸進行布局，以確保器件的正確安裝和使用。

總結

NTMFD5C672NL 雙 N 溝道功率 MOSFET 憑借其緊湊的設計、低導通損耗和低驅動損耗等優點，在眾多電子應用中具有廣闊的應用前景。但在實際設計過程中，工程師需要根據具體的應用需求，仔細考慮其各項參數和特性，合理選擇和使用該器件，以確保系統的性能和可靠性。大家在使用這款 MOSFET 時，有沒有遇到過什么特別的問題呢？歡迎在評論區分享交流。