2022 年 4 月 21日,中國——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導體宣布一項新的合作協議,四家公司計劃聯合制定行業的下一代 FD-SOI(全耗盡型
2022-04-21 17:18:48
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本文論述并比較目前移動平臺所采用的主要的多核處理技術,重點介紹多核處理技術與意法·愛立信未來產品所采用的具有突破性的FD-SOI 硅技術之間的協同效應
2013-02-03 14:19:00
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意法半導體宣布,其28納米FD-SOI技術平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz,在指定的工作頻率下新產品能效高于其它現有技術。
2013-03-13 09:40:24
1837 
意法半導體獨有的FD-SOI技術配備嵌入式存儲器,有望突破更高性能,以實現更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:09
1663 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里,半導體廠商應該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術。
2015-07-07 09:52:22
4208 半導體晶圓代工公司格羅方德(Globalfoundries)日前開發出支援4種技術制程的22nm FD-SOI平臺,以滿足新一代物聯網(IoT)裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導體
2015-10-08 08:29:22
1284 耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變,成為可望在物聯網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說,業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動,象征著為這項技術背書。
2016-04-18 10:16:03
3433 
Globalfoundries技術長Gary Patton透露,其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市,而目前該公司正在開發后續制程。
2016-05-27 11:17:32
1545 Samsung Foundry行銷暨業務開發負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示,該公司的技術藍圖顯示,28納米FD-SOI嵌入式非揮發性記憶體將分兩階段發展,首先是在
2016-07-28 08:50:14
1435 獲得英 特爾(Intel)、三星、臺積電(TSMC)等大廠采用的FinFET制程,號稱能提供最高性能與最低功耗;但Jones指出,在約當14納米節 點,FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%,此外其設計成本也低25%左右,并降低了需要重新設計的風險。
2016-09-14 11:39:02
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晶體管(FinFET)制程技術外,也投入全耗盡型絕緣層上覆硅(FD-SOI)市場,并推出22納米及12納米FDX制程平臺,搶攻物聯網商機。
2016-11-17 14:23:22
1271 高通首款10nm移動平臺驍龍835在今天(3.22)實現了亞洲首秀。這款應用于旗艦機型的芯片備受業界關注,高通講述了該芯片在續航、沉浸式體驗、拍攝、連接以及安全等方面的性能參數。高通方面表示即將有搭載該芯片的手機面世。
2017-03-23 07:08:20
986 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案,格芯22FDX eMRAM,為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國所展示的,格芯22FDX eMRAM具有業界領先的存儲
2017-09-25 17:21:09
8685 5G時代將對半導體的移動性與對物聯網時代的適應性有著越來越高的要求。此時,FD-SOI與RF-SOI技術的優勢日漸凸顯,人們對SOI技術的關注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:57
13150 格芯Fab1廠總經理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示,FD-SOI(全耗盡平面晶體管)工藝將是格芯當前戰略中心與創新的源泉。
2018-09-20 09:30:19
10317 茂睿芯推出第二代CAN FD收發器MCAN1462,是國內首款支持10Mbps通信速率、具有信號改善能力(SIC)的CAN FD收發器
2024-03-01 10:47:03
4407 
在美國的三星代工論壇上,Arm與三星Foundry、Cadence和Sondrel合作,展示了首款28納米FD-SOI eMRAM的物聯網測試芯片和開發板。
2019-06-05 16:59:01
1803 萊迪思半導體位居全球FPGA廠商第三,雖然與前兩大公司賽靈思和英特爾(收購Altera)的營收有所差距,但作為以低功耗、小型化著稱的FPGA廠商在消費類電子、工業等領域取得了成功。近年,其策略發生了重要的變化,推出了轉型之作。
2019-12-16 11:24:33
2235 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品,包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA
2021-07-07 11:22:41
7609 和FD-SOI,其中RF-SOI作為一種重要的射頻芯片材料技術,雖然很少被提及,但在很多設備上都有重要的應用。 ? 射頻前端底層技術 ? 射頻前端的重要性不言而喻,是任何通信系統核心中的核心,RF-SOI正是用于各種射頻器件,目前已經是各類射頻應用里主流的襯底,如射頻開關、LNA、調諧器
2024-02-19 00:59:00
4938 ? 電子發燒友網報道(文/吳子鵬)全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)是一種平面工藝技術,能利用襯底偏壓(body bias)提供廣泛的性能以及功耗選項,兼具低功耗、近二維平面、高性能、低成本的特點
2024-10-28 06:57:00
4142 
半導體領域的頂尖專家、企業高管及學術代表,圍繞 FD-SOI (全耗盡絕緣體上硅)工藝的技術優勢、發展趨勢、設計實現等核心議題展開深入探討,為推動 FD-SOI 技術在邊緣 AI 、智能物聯網、汽車電子等領域的創新應用搭建了高效交流平臺。 電子發燒友網今年繼續在現場為大家帶來
2025-09-25 14:11:36
7746 
第十屆上海 FD-SOI 論壇 ? 2025 年 9 月 15 日 下午的專題二環節 , 繼續 聚焦 FD-SOI 的設計實現, 來自多家全球半導體領導公司的 專家 、 國內大學 學者和企業代表
2025-09-25 17:41:25
8705 
FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)技術是一種新的工藝技術,有望成為其30納米以下的技術節點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術制作一顆晶片,在相同的選件和金屬層條件下,FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
適應相控陣架構、直接射頻采樣、波束成形和 5G 無線電等應用。Alphacore 采用 GlobalFoundries 的 22nm FD-SOI 工藝設計了一款名為 A11B5G 的混合 ADC
2023-02-07 14:11:25
量產中利用意法半導體的FD-SOI技術。也是在這一年,三星成功生產了8Mb eMRAM,并利用28nmFDS,在2019年成功量產首款商用eMRAM。 據三星介紹,利用其28nmFDS工藝技術制作
2023-03-21 15:03:00
科技有限公司已可以提供商業化的SOI材料。在SOI器件和電路研制方面有中國科學院微電子研究所、中國電子科技集團公司第58所、航天時代集團第七七一研究所、中國科學院半導體所等。 中國科學院微電子研究所
2011-07-06 14:11:29
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術優勢?基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用?
2021-06-26 07:14:03
如何開始著手學習或者說有哪些相關的書籍
2017-08-01 16:30:30
尊敬的先生/女士,您能否提供步驟和可能的圖表,以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線?提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
SOI 和體硅集成電路工藝平臺互補問題的探討上海鐳芯電子有限公司鮑榮生摘要本文討論的SOI(Silicon On Insulator)是BESOI(Bonding and Etch back SOI),由于在SOI 材料上制造的集成電
2009-12-14 11:35:16
10 22nm以后的晶體管技術領域,靠現行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的,為此,人們關注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42
888 22nm以后的晶體管技術領域,靠現行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的,為此,人們關注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:42
1852 IBM、ARM同一批半導體生產商正在進行一項關于小功率SOI芯片組的研究計劃,打算將采用體硅制成的CMOS設計轉換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56
658 意法半導體(ST)、Soitec與CMP(Circuits Multi Projets)攜手宣佈,大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,
2012-10-25 09:42:50
1589 日前,意法半導體(ST)宣布位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術,這證明了意法半導體以28奈米技術節點提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技術的能力。
2012-12-14 08:45:27
1206 日前,依法愛立信推出一款支持LTE多模的高整合度智慧型手機平臺,該平臺整合了全套無線功能,并擁有基于ARM Cortex-A9的2.5GHz eQuad應用處理器。
2013-01-29 10:48:05
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意法愛立信發布了首個單射頻方案實現載波聚合的極速LTEAdvanced Modem平臺Thor M7450,以及采用了FD-SOI技術的3GHz NovaThor L8580處理器。
2013-02-26 16:26:51
1245 意法半導體(ST)宣布意法半導體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術榮獲2013年度電子成就獎(ACE)能源技術獎。根據客戶的節能與性能權衡策略,FD-SOI芯片本身可節約20%至50%的能耗,使終端設備可更快散熱,并實現更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:43
1211 由騰訊云基礎產品中心、騰訊架構平臺部組成的騰訊云FPGA聯合團隊,在這里介紹國內首款FPGA云服務器的工程實現深度學習算法(AlexNet),討論深度學習算法FPGA硬件加速平臺的架構。 在1 月
2017-11-15 20:20:08
3032 據報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力,格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業應用提供高性能、低功耗的產品。
2018-01-10 16:04:42
6591 集微網消息,格羅方德(GlobalFoundries)于 10 日宣布,全球半導體供應商意法半導體(ST)選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI(22FDX)制程技術平臺,以支持用于工業及消費性
2018-01-10 20:44:02
1155 GlobalFoundries的FD-SOI技術已經略有成效,近日傳來消息,又迎來意法半導體(ST)的大單進補,在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:03
1813 在工藝節點進展方面,三星電子晶圓代工業務執行副總裁兼總經理 ES Jung表示,三星晶圓代工業務發展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向,FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:00
2144 ST表示,與傳統的塊狀硅技術相較,FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性,而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容;此外該技術能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:00
1097 物聯網FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術,除了即將量產的7奈米FinFET尖端制程,以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節點,各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:00
2872 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單,其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:13
5272 格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM,實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖,從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上,專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
2018-05-14 15:54:00
3070 
加利福尼亞州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX?)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證,準備投入量產。作為業內符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:00
1951 生產FD-SOI工藝的公司有ST Micro(其正在將此工藝用作28納米IDM的生產),三星代工廠(28納米工藝投產中,18納米工藝計劃投產),以及格芯代工廠(22納米工藝投產中,12納米計劃投產)。
2018-08-02 11:35:24
5500 今天,Globalfoundries(簡稱GF)宣布無限期停止7nm工藝的投資研發,轉而專注現有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:01
3623 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應,滿足當下及未來消費品、物聯網和汽車應用等領域的需求,確保FD-SOI技術大量供應。
2019-01-22 09:07:00
871 隨著FD-SOI技術在系統芯片(SoC)設備的設計中越發受到關注,Soitec的業務也迎來了蒸蒸日上的發展,從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:12
3407 關鍵詞:自適應體偏置 , FD-SOI , 22FDX IP加快節能型SoC設計,推動單芯片集成界限 格芯(GF)和領先的半導體IP提供商Dolphin Integration今日宣布,雙方正在合作
2019-02-24 15:56:01
574 三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:58
1340 據報道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上,開始大規模生產和商業運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-25 14:42:51
3761 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時,提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發現要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
13 為求低功耗、高能效及高性價比之元件,市場逐漸開發出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結構;而FD-SOI構造主要以SOI晶圓為核心,透過傳統Si芯片制程方式,進而以水平式晶體管架構,取代線寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:20
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日前,格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個長期的300 mm SOI芯片長期供應協議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術平臺日益增長的需求。建立在兩家公司現有的密切關系上,此份協議即刻生效,以確保未來數年的高水平大批量生產。
2019-06-11 16:47:33
3991 但是隨著物聯網、人工智能、智能駕駛這樣的新應用對半導體提出了全新的挑戰,而FinFET工藝也遇到了瓶頸,尤其是FinFET的制造、研發成本越來越高,已經遠遠不是一般玩家能夠承受的起的了。
2019-09-05 10:40:38
4742 事實勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優勢相比,本次論壇多家公司以已經采用FD-SOI工藝的產品說明其優勢,其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:45
4242 長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發表演講,并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:00
4363 在FD-SOI工藝遷移中也發現一些問題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:44
5032 三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:59
1577 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案,格芯22FDXeMRAM,為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16
1136 隨著摩爾定律的放緩以及登納德縮放比例定律和阿姆達爾定律接近瓶頸,異構和加速時代已降臨,FPGA廠商在近期的大動作也不斷,不斷刷新FPGA的容量。
2019-12-16 14:50:27
1070 AI芯片設計大廠萊迪思半導體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術平臺,發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現場可程序化邏輯門數組)產品。
2020-02-12 22:57:17
1218 AI芯片設計大廠萊迪思半導體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術平臺,發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現場可程序化邏輯門數組)產品。
2020-02-27 14:54:38
1080 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術,該公司正在與幾個客戶合作,計劃在2020年實現多個流片。
2020-03-03 15:10:30
2807 近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工藝平臺,新型存儲器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存儲器)已投入生產。
2020-03-11 10:54:37
1159 近日低功耗可編程器件的領先供應商萊迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用FPGA,采用28nm FD-SOI 工藝平臺打造。該芯片與市場上同類產品相比最大的特點是其擁有領先的I/O密度,據了解
2020-07-03 08:57:36
1254 萊迪思的研發工程師幾年前就開始著手FPGA開發工藝的創新,旨在為客戶提供具備上述特性的硬件平臺。最終萊迪思成為業界首個支持28 nm全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝的低功耗FPGA供應商。該
2020-07-03 14:05:43
2819 “FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機、汽車、物聯網等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”,Soitec
2020-07-06 17:03:36
2535 
“FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機、汽車、物聯網等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”,Soitec
2020-07-07 16:04:04
4286 去年12月,我們推出了全新低功耗FPGA開發平臺Lattice Nexus?,這是業界首款采用28 nm FD-SOI制造工藝的低功耗FPGA平臺。Nexus在各個設計層面(從軟件解決方案到架構
2020-07-10 10:03:00
943 Lattice Nexus是業界首個基于28 nm FD-SOI工藝的低功耗FPGA技術平臺,得益于功耗和MIPI 速度上的優勢,基于該平臺的第一款產品CrossLink-NX得到了客戶廣泛認可
2020-07-15 19:28:42
1246 ertus?-NX 是萊迪思 Nexus 技術平臺上的第二款產品,它將為更廣泛的應用帶來 FD-SOI 工藝的優勢。這些通用 FPGA 提供低功耗、小尺寸和靈活的 I/O,PCIe Gen2 和千兆
2020-08-10 15:55:13
885 
Nexus 平臺的獨特之處在于采用了 FD-SOI 工藝。這與之前的 CMOS 工藝相比有很大區別,能夠極大降低功耗。如圖一所示,Certus?-NX 比英特爾和賽靈思的同類產品功耗低 3-4 倍。Certus?-NX 的配置時間極短,能夠讓系統快速啟動。該器件還擁有驗證和加密硬件模塊提升安全性。
2020-08-13 16:35:17
1045 
重點 ● 雙方在技術賦能方面的緊密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ (12nm FinFET) 以及22FDX (22nm FD-SOI) 平臺釋放最佳PPA潛能
2020-10-23 16:17:09
2863 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品,包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:44
6557 行業領先的功耗效率——通過利用萊迪思在FPGA架構方面的創新和低功耗FD-SOI制造工藝,CertusPro-NX器件提供卓越的性能,同時功耗比同類競品FPGA低四倍。
2021-09-10 14:57:31
2597 (電子發燒友網原創報道)2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行,論壇由芯原股份和新傲科技主辦,SEMI中國和SOI產業聯盟支持。該活動自2013年開始每年舉行一次,上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:04
3350 
在日前舉行的2023年第八屆上海FD-SOI論壇上,GlobalFoundries Chief Commercial Officer Juan Cordovez向產業介紹了公司在FD-SOI
2023-11-15 14:53:38
2726 
(電子發燒友網原創)在2023年第八屆上海FD SOI論壇上,全球知名半導體產業研究機構IBS公司CEO Handel Jones先生,公布了對2030年前的全球半導體芯片市場的預測,同時,他也表示
2023-11-21 17:39:11
2993 
谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46
939 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36
5126 
據悉,FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術,能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制,相較于現有的 40nm EPM 技術,新工藝大幅度提高了性能指標:能效提升 50%,數字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數。
2024-03-21 14:00:23
1482 電子發燒友網報道(文/吳子鵬)2024年10月23日,第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開,芯原股份創始人、董事長兼總裁戴偉民博士做開幕致辭,并分享了過往和當前FD-SOI發展的一些情況
2024-10-23 10:02:42
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電子發燒友網報道(文/吳子鵬)2024年10月23日,第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開,FD-SOI產業鏈產業上下游企業再次匯聚一堂,其中包括多位行業重量級嘉賓,比如IBS首席執行官
2024-10-23 10:22:16
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22FDX工藝,在這個工藝上格羅方德取得了值得肯定的成績。 ? 在2024年第九屆上海FD-SOI論壇上,格羅方德亞洲區總裁兼中國區主席洪啟財受邀出席,他在題為《解鎖未來:推動 FDX?(FD-SOI)技術進步》的分享中再一次介紹了格羅方德在FD-SOI技術方面的布局和路線。
2024-10-23 10:46:00
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電子發燒友網報道(文/吳子鵬)今年上半年,三星在FD-SOI工藝上面再進一步。3月份,意法半導體(STMicroelectronics)宣布與三星聯合推出18nm FD-SOI工藝。該工藝支持嵌入式
2024-10-23 11:53:05
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空間。當然,從AIoT這個應用方向也能夠看出,RF IP對于基于FD-SOI工藝打造芯片是至關重要的。 ? 在第九屆上海FD-SOI論壇上,芯原股份無線IP平臺高級總監曾毅分享了主題為《為SoC設計提供基于FD-SOI的IP技術平臺》的報告,詳細介紹了芯原股份基于FD-SOI的無線
2024-10-23 16:04:44
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法國量子計算領域的領先初創公司Quobly近日宣布了一項關于容錯量子計算技術的重大里程碑。該公司報告稱,其研發的FD-SOI(全耗盡絕緣體上硅)技術有望成為商業量子計算領域的可擴展平臺,為量子計算
2024-12-24 14:41:40
880 )和三星的合作,它已經在微控制器領域找到了自己的出路。早在2018年,意法半導體就宣布,它正在為汽車市場提供采用28nm FD-SOI工藝制造的嵌入式PCM (ePCM)微控制器?,F在,意法半導體宣布了
2025-01-21 10:27:13
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物理攻擊的固有能力,將其確立為安全電子器件的基礎平臺。 ? 該計劃的核心是雙方共同努力,通過實驗驗證并增強FD-SOI的安全優勢——從襯底層面到電路設計。該項目旨在提供具體數據、實際演示及路線圖指南,以滿足汽車、工業物聯網、安全基礎設施等關鍵市場日益增長的網絡安
2025-06-30 16:30:35
457 芯原股份今日發布其無線IP平臺,旨在幫助客戶快速開發高能效、高集成度的芯片,廣泛應用于物聯網和消費電子領域。該平臺基于格羅方德(GF)22FDX?(22納米FD-SOI)工藝,支持短程、中程及遠程
2025-09-25 10:52:23
421 為期兩天的第十屆上海FD-SOI論壇上周圓滿落幕。作為半導體行業年度技術盛會,本次論壇匯聚了全球半導體領域的頂尖專家、企業高管及學術代表,圍繞 FD-SOI工藝的技術優勢、發展趨勢、設計實現等核心
2025-10-10 14:46:25
579 2025年9月25日,第十屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店圓滿舉辦。本次論壇由芯原股份 (簡稱“芯原”)、新傲科技和新傲芯翼主辦,SEMI中國和SOI國際產業聯盟協辦。超過300位來自襯底
2025-10-13 16:45:40
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