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電子發燒友網>制造/封裝>半導體技術>半導體新聞>GlobalFoundries拋棄三星和意法半導體在第二代FD-SOI技術上達成合作

GlobalFoundries拋棄三星和意法半導體在第二代FD-SOI技術上達成合作

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中興第二代屏下攝像技術使屏幕質變

中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術的樣機。
2021-02-24 11:41:082738

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出FPGA產品加強邊緣AI能力

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品,包括嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557

谷歌第二代Tensor將由三星以4nm制程工藝代工,本月開始量產

據媒體報道稱,谷歌第二代Tensor芯片將于這個月開始量產,代工方為三星,將會采用4nm制程工藝大規模生產該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機自研的芯片,第一去年8月發布,而第二代
2022-06-02 14:52:451942

三星已成功開發出其開創性的第二代SmartSSD

利用Arm內核并采用客戶開發的相關知識產權(IP)和軟件,三星第二代SmartSSD可實現更高效的數據處理。相較于三星傳統的數據中心SSD,對數據庫進行重度掃描的查詢時長可縮短逾50%,功耗降低70%,CPU利用率可高達97%。
2022-07-21 10:11:091229

三星與AMD共同研發第二代智能固態硬盤

  據消息報道,三星電子近日宣布,該公司已與AMD共同研發第二代智能固態硬盤(SmartSSD),這將搶占未來市場。
2022-07-22 17:03:433079

半導體與 Soitec 就碳化硅襯底制造技術達成合作

企業法國 Soitec 半導體公司正式宣布,雙方碳化硅襯底領域的合作邁入新階段,半導體將在未來 18 個月內對
2022-12-05 14:09:42929

半導體SiC MOSFET的路線圖

顯然特斯拉用的是半導體2018年的第二代SiC MOSFET產品,第四產品目前還沒有推出。溝槽型是發展方向,但半導體要到2025年才開始推出。
2023-03-14 11:22:393150

第一第二代和第三代半導體知識科普

Ⅲ—Ⅴ族半導體。我國使用的“第三代半導體材料”一詞,對應的是人類歷史上大規模應用半導體材料所帶來的次產業革命。目前,第三代半導體發展迅速,第一、第二代半導體工業中仍得到廣泛應用,三代半導體中發揮著不可替代的作用。
2023-09-12 16:19:276881

第八屆上海FD-SOI論壇成功舉行 芯原FD-SOI IP迅速成長賦能產業

于2019年舉行。因特殊原因暫停了年,2023年主辦方重啟再次主辦,第八屆FD-SOI論壇,邀請到國內外幾乎所有FD-SOI生態內的重要企業專家參與。年內國內外的科技環境發生了巨大的變化,FD-SOI的產業格局和技術又有哪些變化? ? 半導體工藝2001年的新工藝技術的兩條路
2023-11-01 16:39:043350

半導體與致瞻科技就SiC達成合作

今日(1月18日),半導體官微宣布,公司與聚焦于碳化硅(SiC)半導體功率模塊和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作,為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供半導體三代碳化硅(SiC)MOSFET技術
2024-01-19 09:48:161639

三星啟動二代3納米制程試制,瞄準60%良率

臺積電是全球領先的半導體制造企業,也是三星的主要競爭對手。雙方都在積極爭取客戶,并計劃在上半年實現第二代3納米GAA架構制程的大規模量產。
2024-01-22 15:53:261324

Samsung研發第二代3納米工藝 SF3

據報道,韓國三星代工廠已經開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術的芯片,稱為 SF3。這一發展標志著半導體行業的一個重要里程碑,因為三星與臺積電競爭下一先進工藝節點的量產主導權。韓國知名權威
2024-01-22 16:10:141629

三星半導體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”!

近期,科技巨頭三星半導體做出了一個引人注目的決策:將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890

FD-SOI與PD-SOI他們的區別在哪?

本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI
2024-03-17 10:10:365137

半導體攜手三星推出18nm FD-SOI工藝,支持嵌入式相變存儲器

據悉,FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術,能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制,相較于現有的 40nm EPM 技術,新工藝大幅度提高了性能指標:能效提升 50%,數字密度增加倍有余,并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數。
2024-03-21 14:00:231482

半導體攜手三星打造創新突破,推出18納米高性能微控制器(MCU)

近日,半導體公司宣布,將推出一種基于18納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)技術的新進工藝,這一技術還配備了嵌入式相變存儲器(ePCM),意在為下一嵌入式處理設備提供強大支持。該技術
2024-03-21 11:59:371056

半導體突破20納米技術節點,打造極具競爭力的新一MCU

半導體(簡稱ST)發布了一項基于18納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI技術并整合嵌入式相變存儲器(ePCM)的先進制造工藝,支持下一嵌入式處理器升級進化。
2024-03-25 18:13:111941

半導體將推出基于新技術的下一STM32微控制器

半導體(ST)近日宣布,公司成功研發出基于18納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI技術,并整合了嵌入式相變存儲器(ePCM)的先進制造工藝。這項新工藝技術半導體三星晶圓代工廠共同研發的成果,旨在推動下一嵌入式處理器的升級進化。
2024-03-28 10:22:191146

芯原戴偉民博士回顧FD-SOI發展歷程并分享市場前沿技術

電子發燒友網報道(文/吳子鵬)2024年10月23日,第九屆上海FD-SOI論壇浦東香格里拉酒店召開,芯原股份創始人、董事長兼總裁戴偉民博士做開幕致辭,并分享了過往和當前FD-SOI發展的一些情況
2024-10-23 10:02:421288

IBS首席執行官再談FD-SOI對AI的重要性,≥12nm和≤28nm區間FD-SOI是更好的選擇

FD-SOI技術的市場發展現狀與趨勢,尤其是該技術AIGC時代的應用前景。通過具體分析和比較FD-SOI、Bulk CMOS和F
2024-10-23 10:22:161108

三星電子:18FDS將成為物聯網和MCU領域的重要工藝

相變存儲器(ePCM)。 ? FD-SOI領域,三星已經深耕多年,其和半導體之間的合作也已經持續多年。早在2014年,半導體就曾對外宣布,選擇三星28nm FD-SOI工藝來量產自己的產品
2024-10-23 11:53:05990

解讀芯原股份基于FD-SOI的RF IP技術平臺:讓SoC實現更好的通信

空間。當然,從AIoT這個應用方向也能夠看出,RF IP對于基于FD-SOI工藝打造芯片是至關重要的。 ? 第九屆上海FD-SOI論壇上,芯原股份無線IP平臺高級總監曾毅分享了主題為《為SoC設計提供基于FD-SOI的IP技術平臺》的報告,詳細介紹了芯原股份基于FD-SOI的無線
2024-10-23 16:04:441107

Quobly與半導體建立戰略合作, 加快量子處理器制造進程,實現大型量子計算解決方案

?此次合作將借助半導體的28nm FD-SOI商用量產半導體制造工藝,以實現具有成本競爭力的大型量子計算解決方案 ??Quobly和半導體計劃第一商用產品將于2027年上市,產品市場定位
2024-12-19 10:17:281151

Quobly與半導體攜手推進量子計算

電子應用領域的客戶提供變革性的服務。 Quobly將借助半導體先進的FD-SOI半導體工藝技術,共同推動量子計算技術的突破。這一合作不僅將使得大規模量子計算變得更加可行,同時也將顯著降低其成本,為量子計算的廣泛應用奠定堅實基礎。 通過此次合作,Quobly和半導體
2024-12-23 15:40:411036

ST汽車MCU:FD-SOI+PCM相變存儲

)和三星合作,它已經微控制器領域找到了自己的出路。早在2018年,半導體就宣布,它正在為汽車市場提供采用28nm FD-SOI工藝制造的嵌入式PCM (ePCM)微控制器。現在,半導體宣布了
2025-01-21 10:27:131124

類比半導體推出全新第二代高邊開關芯片HD8004

致力于提供高品質汽車驅動芯片和高品質工業模擬芯片供應商上海類比半導體技術有限公司(下稱“類比半導體”或“類比”)宣布推出全新第二代高邊開關芯片HD8004,單通道低內阻4.3mΩ產品。
2025-05-21 18:04:201179

類比半導體推出全新第二代高邊開關芯片HD80012

致力于提供高品質汽車驅動芯片和高品質工業模擬芯片供應商上海類比半導體技術有限公司(下稱“類比半導體”或“類比”)宣布推出全新第二代高邊開關芯片HD80012,單通道低內阻1.2mΩ產品。
2025-07-02 15:19:401138

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