2025年9月25日，第十屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店圓滿舉辦。本次論壇由芯原股份 (簡稱“芯原”)、新傲科技和新傲芯翼主辦，SEMI中國和SOI國際產業聯盟協辦。超過300位來自襯底、晶圓廠、IDM、芯片設計公司和系統廠商等FD-SOI產業鏈的海內外重要嘉賓齊聚一堂，共同探討FD-SOI技術成果與應用前景。

芯原創始人、董事長兼總裁戴偉民博士首先為論壇開幕致辭。他表示，自2013年首屆論壇舉辦以來，上海FD-SOI論壇已成功舉辦十屆，成為推動FD-SOI技術生態構建與產業發展的重要平臺。

戴博士指出，面對FD-SOI技術發展初期的生態瓶頸，芯原以“IP先行”的策略主動破局，通過率先布局并持續投入FD-SOI IP開發，為產業鏈提供了關鍵的設計基礎。目前，芯原已構建涵蓋基礎IP、數模轉換IP、接口協議IP等在內的眾多FD-SOI IP，這其中，在基于22nm FD-SOI工藝所開發的IP中，有60多個IP已累計向45家客戶授權超過300次；同時已完成43個FD-SOI芯片設計項目，其中33個項目實現量產，有力推動了FD-SOI技術從研發走向規模化商用。

展望未來，戴博士強調，FD-SOI技術與FinFET構成“兩條腿走路”的互補格局。FD-SOI以其低功耗、高集成度等特性，尤其適合邊緣AI、物聯網、汽車電子等應用場景。他呼吁產業鏈各方繼續深化合作，共同推動FD-SOI技術創新與生態完善，為全球半導體產業的可持續發展注入新動能。

隨后，IBS首席執行官Handel Jones以《邊緣AI與FD-SOI技術的機遇分析》為題發表演講，深入剖析了人工智能 (AI)，特別是邊緣AI，為全球半導體產業帶來的新一輪增長浪潮，并強調了FD-SOI技術在這一變革中的戰略價值。

他指出，AI設備正取代手機成為半導體市場新的核心驅動力，邊緣AI應用將呈現多元化爆發態勢，智能手機作為數據集成中樞，將與智能眼鏡、自動駕駛、智能機器人等共同推動對低功耗、高性能芯片的巨大需求。針對這一趨勢，Handel Jones強調FD-SOI在超低功耗與無線連接方面的獨特優勢，使其在智能穿戴、圖像處理等應用中較傳統體硅CMOS和FinFET更具競爭力。他呼吁中國產業界通過國際合作，加快完善從襯底材料、芯片制造到IP設計的完整FD-SOI生態，并認為發展12nm FD-SOI有望在眾多應用中對7nm FinFET實現替代。

專題一

FD-SOI工藝的技術優勢和發展趨勢

論壇上午的專題主要圍繞FD-SOI工藝的技術優勢和發展趨勢展開。格羅方德超低功耗產品線高級副總裁Ed Kaste，三星晶圓代工副總裁、技術規劃部門2主管Taejoong Song，意法半導體執行副總裁、中國區總裁曹志平，Soitec首席執行官Pierre Barnabé分別就《推動FD-SOI技術創新：專為邊緣AI打造》、《三星晶圓代工對FD-SOI的未來愿景》、《意法半導體：以FD-SOI推動創新》，以及《面向未來的創新且可持續的半導體材料設計》這幾個主題發表了演講。

隨后，戴偉民博士主持了專題一的圓桌討論環節，與演講嘉賓Ed Kaste，曹志平，Handel Jones，Pierre Barnabé，以及三星晶圓代工高級副總裁、中國銷售主管卓銘，共同圍繞FD-SOI技術從成熟節點向12nm及更先進節點演進的必要性與挑戰，不同應用領域 (如邊緣AI、汽車電子、射頻通信) 對工藝微縮的差異化需求，嵌入式非易失性存儲器 (eNVM) 在FD-SOI平臺上的技術成熟度及其所能催生的“殺手級應用”等議題展開深入探討。現場觀眾就關鍵議題參與了實時投票，直觀反映了產業界對FD-SOI未來發展的共識與差異化思路。

以下為專題一圓桌討論的現場投票結果

問題：將FD-SOI技術推進至12nm甚至10nm以下節點，是否存在強有力的技術與經濟依據？哪些特定應用 (領域邊緣AI、汽車電子、射頻技術) 需要這樣的工藝微縮？

投票：在28nm、22nm FD-SOI之后，是否有必要推出12nm或10nm以下FD-SOI？(單選)

67%以上的現場嘉賓認為在28nm、22nm FD-SOI之后，有必要推出12nm和10nm以下FD-SOI

問題：FD-SOI平臺上嵌入式非易失性存儲器 (MRAM、RRAM、PCM) 的技術成熟度如何？能體現FD-SOI + eNVM獨特價值的殺手級應用有哪些？

投票：能體現FD-SOI + eNVM獨特價值的殺手級應用有哪些？(選三項)

排名前三的選項為：汽車安全控制器、安全物聯網設備、邊緣AI

專題二

FD-SOI的設計實現

下午的專題聚焦FD-SOI的設計實現。MIPS首席執行官Sameer Wasson，清華大學電子工程系教授陳文華，芯原執行副總裁、定制芯片平臺事業部總經理汪志偉，CEA-Leti硅組件部門副主管Martin Gallezot，Soitec執行副總裁René Jonker，Soitec高級業務發展經理James Zhang，Dolphin Semiconductor亞洲區銷售總監Ying Zhao分別就《從聊天機器人到機器人》、《基于22nm FD-SOI CMOS的毫米波與太赫茲電路設計》、《基于FD-SOI的IP和芯片設計平臺》、《邁向10nm以下FD-SOI技術》、《FD-SOI：高效能邊緣AI與智能物聯網的革命性技術》，以及《面向可聽設備與可穿戴設備的新一代基于GF 22FDX+工藝的IP核》這幾個主題進行了分享。

在下午的圓桌討論中，主持人戴偉民博士與演講嘉賓James Zhang、汪志偉、陳文華和Ying Zhao從產學研多維視角展開了深度對話，重點探討了靜態體偏置 (SBB)、自適應體偏置 (ABB) 和動態體偏置 (DBB) 的技術特點、適用范圍和發展趨勢，以及發展DBB技術目前所面臨的關鍵挑戰與核心驅動因素。其他話題還包括基于FD-SOI工藝實現毫米波/太赫茲射頻電路的具體設計突破，以及FD-SOI技術在可穿戴設備中的設計實現和突破等議題。現場觀眾就上述圓桌話題進行了實時投票，分享了他們對這些話題的看法，為討論提供了專業的應用端反饋和市場洞察。

以下為專題二圓桌討論的現場投票結果

問題：FD-SOI中的動態體偏置 (DBB)：推動其更廣泛應用的主要場景與挑戰是什么？

投票：FD-SOI SoC中動態體偏置最重要的優勢是什么？(選三項)

排名前三的選項為：動態性能功耗調優、降低漏電、工藝偏差補償

投票：目前動態體偏置技術主要受到哪些應用的驅動？(選三項)

排名前三的選項為：超低功耗物聯網設備、可穿戴與可聽設備、常開感知系統

問題：FD-SOI在射頻領域已展現出優秀的線性度和低寄生效應。在毫米波和太赫茲電路設計中 (例如功率放大器、相移器、頻率發生器)，使用FD-SOI實現的具體設計突破有哪些？

投票：FD-SOI在毫米波和太赫茲電路設計中最關鍵的優勢是哪些？(選兩項)

排名前三的選項為：低寄生效應、卓越射頻線性度、高集成度

問題：有哪些設計創新 (例如專用IP、體偏置、優化的射頻技術) 使得FD-SOI在可穿戴設備和助聽設備領域占據優勢地位？

投票：FD-SOI在可穿戴/可聽設備中最有價值的特性是什么？(選三項)

排名前三的選項為：超低漏電、更長的電池續航時間、常開感知支持

會議結束后，主辦方之一芯原特別安排了黃浦江郵輪晚宴，與會嘉賓在璀璨夜景與輕松交流中共敘產業未來，為本次活動畫上了圓滿的句號。