絕緣體上硅)技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。半導(dǎo)體器件和 FD-SOI技術(shù)創(chuàng)新對(duì)法國(guó)和歐盟以及全球客戶具有戰(zhàn)略價(jià)值。FD-SOI 能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員和客戶系統(tǒng)帶來(lái)巨大的好處，包括更低的功耗以及更容易集成更多功能，例如，通信連
2022-04-21 17:18:48
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本文論述并比較目前移動(dòng)平臺(tái)所采用的主要的多核處理技術(shù)，重點(diǎn)介紹多核處理技術(shù)與意法·愛(ài)立信未來(lái)產(chǎn)品所采用的具有突破性的FD-SOI 硅技術(shù)之間的協(xié)同效應(yīng)
2013-02-03 14:19:002423 
意法半導(dǎo)體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)在測(cè)試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:241837 
意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲(chǔ)器，有望突破更高性能，以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 08:54:091663 CES與賭城拉斯維加斯，都是一場(chǎng)巨賭。作為全球消費(fèi)電子業(yè)的風(fēng)向標(biāo)，這里展示的任何一款產(chǎn)品，也許就是下一個(gè)顛覆性的產(chǎn)業(yè)變革。在今年超過(guò)3500家參展企業(yè)中，誰(shuí)會(huì)是下一個(gè)幸運(yùn)兒？
2015-01-06 09:43:37845 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:224208 半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開(kāi)發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺(tái)，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來(lái)自于該公司與意法半導(dǎo)體
2015-10-08 08:29:221285 Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321545 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問(wèn)時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在
2016-07-28 08:50:141435 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號(hào)稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:022462 
這是一篇由彭博情報(bào)分析師Jitendra Waral、Anurag Rana和Sean Handrahan完成的分析文章，寫出了人工智能時(shí)代對(duì)科技的顛覆性影響。
2016-10-09 08:17:46861 近日，一檔科普類節(jié)目《走進(jìn)科學(xué)》引發(fā)媒體和觀眾的普遍關(guān)注。這期欄目沒(méi)講高深的原子方程式，未說(shuō)深?yuàn)W的宇宙奧秘，而是剖析了與百姓息息相關(guān)的電視產(chǎn)品。作為時(shí)下火熱的量子點(diǎn)技術(shù)被搬上銀幕，《走進(jìn)科學(xué)》深入淺出的講解了量子點(diǎn)電視的優(yōu)勢(shì)、特點(diǎn)，并通過(guò)各種案例，述說(shuō)這項(xiàng)全新科技帶給國(guó)家與人們的顛覆性意義。
2016-10-28 11:22:231972 
晶體管（FinFET）制程技術(shù)外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場(chǎng)，并推出22納米及12納米FDX制程平臺(tái)，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機(jī)。
2016-11-17 14:23:221271 5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來(lái)越高的要求。此時(shí)，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)日漸凸顯，人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5713150 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級(jí)副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:1910317 和FD-SOI，其中RF-SOI作為一種重要的射頻芯片材料技術(shù)，雖然很少被提及，但在很多設(shè)備上都有重要的應(yīng)用。 ? 射頻前端底層技術(shù) ? 射頻前端的重要性不言而喻，是任何通信系統(tǒng)核心中的核心，RF-SOI正是用于各種射頻器件，目前已經(jīng)是各類射頻應(yīng)用里主流的襯底，如射頻開(kāi)關(guān)、LNA、調(diào)諧器
2024-02-19 00:59:004939 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）是一種平面工藝技術(shù)，能利用襯底偏壓（body bias）提供廣泛的性能以及功耗選項(xiàng)，兼具低功耗、近二維平面、高性能、低成本的特點(diǎn)
2024-10-28 06:57:004142 
半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖專家、企業(yè)高管及學(xué)術(shù)代表，圍繞 FD-SOI （全耗盡絕緣體上硅）工藝的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、發(fā)展趨勢(shì)、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)等核心議題展開(kāi)深入探討，為推動(dòng) FD-SOI 技術(shù)在邊緣 AI 、智能物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用搭建了高效交流平臺(tái)。 電子發(fā)燒友網(wǎng)今年繼續(xù)在現(xiàn)場(chǎng)為大家?guī)?lái)
2025-09-25 14:11:367748 
第十屆上海 FD-SOI 論壇 ? 2025 年 9 月 15 日 下午的專題二環(huán)節(jié) ， 繼續(xù) 聚焦 FD-SOI 的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)， 來(lái)自多家全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)公司的 專家 、 國(guó)內(nèi)大學(xué) 學(xué)者和企業(yè)代表
2025-09-25 17:41:258710 
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
非常重視。 未來(lái)技術(shù)與產(chǎn)業(yè) 什么叫顛覆式技術(shù)？它改變了傳統(tǒng)路線，創(chuàng)造和開(kāi)拓了新需求，在一個(gè)時(shí)代形成里程碑的市場(chǎng)和標(biāo)志性的產(chǎn)品。3D打印生物組織、無(wú)人駕駛、可穿戴式VR、智能機(jī)器人服務(wù)助理、無(wú)人
2015-12-22 15:17:52
。在POCT領(lǐng)域，微流控芯片可直接在被檢對(duì)象身邊提供快捷有效的生化指標(biāo)，使現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)、診斷、治療成為一個(gè)連續(xù)的過(guò)程。2017年，中國(guó)國(guó)家科學(xué)技術(shù)部將微流控芯片技術(shù)定義為一種“顛覆性技術(shù)
2023-03-22 14:31:23
。新的先進(jìn)技術(shù)改變了我們的日常生活，也使牙科發(fā)生了革命性變化。技術(shù)有可能自動(dòng)化現(xiàn)有牙科治療決策工作流程，幫助牙醫(yī)做出精確診斷，也讓患者得到適當(dāng)?shù)难揽谱o(hù)理。 以下是一些顛覆性技術(shù)，它們提供了強(qiáng)大診斷工具和更好
2018-12-20 06:18:06
，已成為包括臺(tái)積電在內(nèi)的代工廠攻克MRAM的主要方向。 在此之后，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)，在這期間，與FinFET技術(shù)齊名的FD-SOI，在以Leti、Soitec、意法
2023-03-21 15:03:00
光線追蹤：一種顛覆性技術(shù)
2021-01-22 07:19:50
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
如何開(kāi)始著手學(xué)習(xí)或者說(shuō)有哪些相關(guān)的書籍
2017-08-01 16:30:30
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42888 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421852 IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項(xiàng)關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計(jì)劃，打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56658 意法半導(dǎo)體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過(guò)CMP的硅中介服務(wù)採(cǎi)用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501589 日前，意法半導(dǎo)體（ST）宣布位于法國(guó)Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:271206 意法半導(dǎo)體（ST）宣布意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎(jiǎng)（ACE）能源技術(shù)獎(jiǎng)。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略，FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗，使終端設(shè)備可更快散熱，并實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的使用壽命。
2013-05-10 09:06:431211 石墨烯能成為下一代顛覆性技術(shù)，替代目前使用的一些材料、開(kāi)創(chuàng)新市場(chǎng)嗎？它是否足夠多功能從而使我們生活的方方面面發(fā)生突破性變革嗎？從石墨烯的性質(zhì)來(lái)看，它的確有這個(gè)潛力。石墨烯是科學(xué)家制備的第一種二維原子晶體。它的許多參數(shù)——如剛度、強(qiáng)度、彈性、電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率等等——都是無(wú)與倫比的。
2016-12-12 08:57:513599 
應(yīng)用案例-顛覆性創(chuàng)新金屬3D打印技術(shù)助力Moto2突破極限
2016-12-28 10:41:47
0 據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來(lái)提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:426591 集微網(wǎng)消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術(shù)平臺(tái)，以支持用于工業(yè)及消費(fèi)性
2018-01-10 20:44:021155 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來(lái)消息，又迎來(lái)意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補(bǔ)，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 2018年物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、區(qū)塊鏈（Blockchain）、虛擬∕擴(kuò)增實(shí)境（VR/AR）、人工智能（AI）∕機(jī)器學(xué)習(xí)這四大顛覆性技術(shù)，將開(kāi)始塑造政府和企業(yè)決策者在各領(lǐng)域的想法。
2018-01-19 08:51:481935 在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個(gè)方向，FD-SOI平臺(tái)路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:002144 ST表示，與傳統(tǒng)的塊狀硅技術(shù)相較，FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性，而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容；此外該技術(shù)能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:001097 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說(shuō)2018以及未來(lái)五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù)，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn)，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002872 一場(chǎng)網(wǎng)絡(luò)和技術(shù)的顛覆性變革已經(jīng)來(lái)臨，以太網(wǎng)的5G蛻變也在平滑演進(jìn)。本文將重點(diǎn)解析5G Flexhaul承載解決方案的創(chuàng)新技術(shù)-FlexE Tunnel，解決波長(zhǎng)穿通方案業(yè)務(wù)顆粒度過(guò)大、承載效率偏低的問(wèn)題，軟切片技術(shù)時(shí)延偏大、無(wú)法物理隔離的問(wèn)題。
2018-02-26 13:43:3213952 
畢馬威（KPMG）發(fā)布了其《2017改變現(xiàn)狀的顛覆性技術(shù)》報(bào)告第一部分：全球科技創(chuàng)新中心。KPMG在報(bào)告中討論了全球驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新發(fā)展的城市、國(guó)家、人物和公司。這篇報(bào)告來(lái)源于KPMG對(duì)于800多位全球科技領(lǐng)導(dǎo)人，從創(chuàng)業(yè)者到財(cái)富500強(qiáng)公司經(jīng)理的年度調(diào)查數(shù)據(jù)。以下是該份報(bào)告的扼要。
2018-04-01 10:19:224833 
晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單，其中有超過(guò)十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:135272 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:003070 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001951 首先，研究和發(fā)展顛覆性技術(shù)將有助于我國(guó)擺脫原創(chuàng)性創(chuàng)新能力不足，關(guān)鍵核心技術(shù)受制于人的困境，提升科技創(chuàng)新質(zhì)量，實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。其次，以新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革為契機(jī)，發(fā)展顛覆性技術(shù)將改變我國(guó)現(xiàn)有的產(chǎn)業(yè)規(guī)則，影響我國(guó)現(xiàn)有的產(chǎn)業(yè)格局，進(jìn)而形成新的主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)，為我國(guó)科技創(chuàng)新的跨越式發(fā)展提供新的物質(zhì)基礎(chǔ)。
2018-06-07 16:34:3023323 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計(jì)劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:245500 區(qū)塊鏈有可能成為真正具有顛覆性的技術(shù)，可以改變各種經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的處理方式。今天忽視區(qū)塊鏈就像30年前無(wú)視互聯(lián)網(wǎng)一樣。將在2018年和2019年看到很多成功和失敗，但這些事情并不一定反映區(qū)塊鏈和多中心化技術(shù)的整個(gè)未來(lái)。
2018-08-23 08:35:15658 9日下午，TCL董事長(zhǎng)兼CEO李東生在微博表示，TCL投資的一款顛覆性的智能可穿戴設(shè)備計(jì)劃于今年年底在美國(guó)上市。
2018-10-11 14:49:443325 Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)，滿足當(dāng)下及未來(lái)消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00871 北京現(xiàn)代新一代勝達(dá)已經(jīng)在一個(gè)月前2018廣州車展上正式亮相，新車在內(nèi)外設(shè)計(jì)上有了顛覆性的改變，預(yù)計(jì)在明年3月正式上市。
2018-12-15 09:18:111369 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注，Soitec的業(yè)務(wù)也迎來(lái)了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見(jiàn)一斑。
2018-12-23 16:45:123407 物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代似乎將會(huì)給那些通常較慢接受顛覆性技術(shù)的行業(yè)帶來(lái)重大變化。建筑業(yè)就是這樣一個(gè)領(lǐng)域，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)不僅有可能提高結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和建造結(jié)構(gòu)關(guān)鍵階段的效率，而且還可以提高建筑工地的安全性。
2019-02-05 08:36:002781 年度報(bào)告還指出，考慮到幾年前區(qū)塊鏈這個(gè)詞會(huì)為人所知是由于當(dāng)時(shí)加密貨幣的盛行，如今區(qū)塊鏈技術(shù)「同時(shí)兼顧共享和投資這一事實(shí)是顯著的。」該公司也針對(duì)區(qū)塊鏈的性質(zhì)和含義提出了看法：「今天，區(qū)塊鏈為網(wǎng)絡(luò)溝通帶來(lái)信任并產(chǎn)生影響，是一種極具顛覆性的技術(shù)，不僅可以改變商業(yè)，還可以改變?nèi)祟惤灰缀蛥⑴c的方式。」
2019-01-21 11:28:47854 我們預(yù)測(cè)，小型團(tuán)隊(duì)的工作比大團(tuán)隊(duì)的工作更具顛覆性。我們的論文、專利和軟件數(shù)據(jù)庫(kù)有力地證實(shí)了這一預(yù)測(cè)。這些數(shù)據(jù)在范圍和領(lǐng)域上有所不同，但我們始終觀察到，在過(guò)去的60年里，更大規(guī)模的團(tuán)隊(duì)中，每增加一個(gè)團(tuán)隊(duì)成員，產(chǎn)生的論文、專利和軟件的顛覆性得分是顯著下降的(圖2 a - c)。
2019-03-01 09:03:492628 
顛覆性發(fā)展路線跳過(guò)輔助駕駛階段，研制L4或L5級(jí)別的自動(dòng)駕駛汽車，如谷歌和優(yōu)步等非傳統(tǒng)汽車公司的無(wú)人駕駛汽車，具備完善的感知、認(rèn)知和執(zhí)行能力，可以看作行駛在馬路上的智能移動(dòng)機(jī)器人。
2019-04-01 16:08:356291 當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí)，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0013 人臉識(shí)別技術(shù)，可以從海量視頻中快速的刻畫出嫌疑人的時(shí)空軌跡，分析嫌疑人的出發(fā)點(diǎn)、落腳點(diǎn)、同行人員等，并進(jìn)行實(shí)時(shí)布控。動(dòng)態(tài)人臉識(shí)別技術(shù)為警務(wù)視頻偵查帶來(lái)了模式顛覆性的發(fā)展。
2019-04-29 08:43:194159 為求低功耗、高能效及高性價(jià)比之元件，市場(chǎng)逐漸開(kāi)發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過(guò)傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:205089 
日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個(gè)長(zhǎng)期的300 mm SOI芯片長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議以滿足格芯的客戶對(duì)于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺(tái)日益增長(zhǎng)的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上，此份協(xié)議即刻生效，以確保未來(lái)數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:333991 事實(shí)勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢(shì)相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說(shuō)明其優(yōu)勢(shì)，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:454242 長(zhǎng)期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢(shì)的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對(duì)FD-SOI未來(lái)走勢(shì)做出預(yù)測(cè)。
2019-08-06 16:25:004363 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問(wèn)題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:445032 全球AI芯片企業(yè)排行榜的公布，在國(guó)內(nèi)引起了廣泛關(guān)注和熱議，紛紛鼓吹中國(guó)憑借AI芯片便能在芯片行業(yè)崛起，但所有AI芯片均沒(méi)有看到顛覆性的技術(shù)出現(xiàn)。
2019-08-26 17:52:58828 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:161136 全球AI芯片企業(yè)排行榜的公布，在國(guó)內(nèi)引起了廣泛關(guān)注和熱議，紛紛鼓吹中國(guó)憑借AI芯片便能在芯片行業(yè)崛起，但所有AI芯片均沒(méi)有看到顛覆性的技術(shù)出現(xiàn)。美國(guó)AI芯片巨頭壟斷，英偉達(dá)、英特爾和谷歌等科技巨頭齊發(fā)力。
2019-10-28 16:52:351431 增材制造、物聯(lián)網(wǎng)、虛實(shí)融合、材料工程、協(xié)作機(jī)器人、人工智能等新興技術(shù)，將給制造業(yè)的發(fā)展帶來(lái)顛覆性的變革。這六項(xiàng)新興技術(shù)，每項(xiàng)技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展必然都將給制造業(yè)帶來(lái)重大改變。在同一時(shí)期，這六大新興技術(shù)都
2020-01-14 13:41:534911 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái)，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:171218 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái)，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:381080 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過(guò)去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開(kāi)始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-06 17:03:362535 
“FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過(guò)去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開(kāi)始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-07 16:04:044287 區(qū)塊鏈作為數(shù)字時(shí)代的底層技術(shù)，具有去中心化、開(kāi)放性、自治性、匿名性、可編程和可追溯的六大特征，正是這六大技術(shù)特征使得區(qū)塊鏈具備了革命性顛覆性技術(shù)的特質(zhì)。
2021-02-18 09:41:552620 人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)的誕生和廣泛應(yīng)用，導(dǎo)致汽車業(yè)出現(xiàn)顛覆性變革的同時(shí)，巨大的不確定性和無(wú)處不在的網(wǎng)絡(luò)安全隱患，又將這一產(chǎn)業(yè)推至懸崖邊。
2021-03-02 18:23:471204 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問(wèn)世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557 在新一輪科技革命的催化下，發(fā)展顛覆性技術(shù)、推動(dòng)革命性創(chuàng)新，不僅成為我國(guó)解決“卡脖子”難題、推動(dòng)高質(zhì)量發(fā)展的戰(zhàn)略選擇，也已成為搶占國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的制高點(diǎn)。由科技部主辦的全國(guó)顛覆性技術(shù)創(chuàng)新大賽在這一背景下
2022-04-20 16:20:341647 近日，首屆全國(guó)顛覆性技術(shù)創(chuàng)新大賽（以下簡(jiǎn)稱“大賽”）總決賽圓滿落幕。合肥本源量子計(jì)算科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“本源量子”）“基于量子計(jì)算機(jī)和操作系統(tǒng)在不同行業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景下的算法開(kāi)發(fā)”項(xiàng)目在2724個(gè)
2022-05-10 10:24:361214 
12月30日，首屆全國(guó)顛覆性技術(shù)創(chuàng)新大賽領(lǐng)域賽（青島）在青島高新區(qū)落下帷幕，大賽由科技部主辦，科技部火炬中心承辦，青島市科技局、青島高新區(qū)管委共同協(xié)辦。本次在青島舉辦的領(lǐng)域賽主要圍繞高端裝備制造
2022-01-18 17:37:381191 
于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請(qǐng)到國(guó)內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國(guó)內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化？ ? 半導(dǎo)體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:043350 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46939 
在 Sora 引爆文生視頻賽道之前，國(guó)內(nèi)的字節(jié)跳動(dòng)也推出了一款顛覆性視頻模型——Boximator。
2024-02-20 13:44:491939 
本文簡(jiǎn)單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:365137 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過(guò)簡(jiǎn)化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標(biāo)：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:231482 ，以及芯原在FD-SOI提供的解決方案。 ? 全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）是一種平面工藝技術(shù)，從結(jié)構(gòu)上看， FD-SOI晶體管的靜電特性優(yōu)于傳統(tǒng)體硅技術(shù)。埋氧層可以降低源極和漏極之間的寄生電容，還能有效地抑制電子從源極流向漏極，從而大幅降低導(dǎo)致性能下降的漏
2024-10-23 10:02:421288 
FD-SOI技術(shù)的市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)，尤其是該技術(shù)在AIGC時(shí)代的應(yīng)用前景。通過(guò)具體分析和比較FD-SOI、Bulk CMOS和F
2024-10-23 10:22:161108 
。意法半導(dǎo)體表示，相較于其現(xiàn)在使用的40nm eNVM技術(shù)，采用ePCM的18nm FD-SOI工藝大幅提升了性能參數(shù)：其在
2024-10-23 11:53:05990 
空間。當(dāng)然，從AIoT這個(gè)應(yīng)用方向也能夠看出，RF IP對(duì)于基于FD-SOI工藝打造芯片是至關(guān)重要的。 ? 在第九屆上海FD-SOI論壇上，芯原股份無(wú)線IP平臺(tái)高級(jí)總監(jiān)曾毅分享了主題為《為SoC設(shè)計(jì)提供基于FD-SOI的IP技術(shù)平臺(tái)》的報(bào)告，詳細(xì)介紹了芯原股份基于FD-SOI的無(wú)線
2024-10-23 16:04:441107 
近日，第十三屆中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽顛覆性技術(shù)創(chuàng)新大賽（以下簡(jiǎn)稱“大賽”）總決賽在杭州市余杭區(qū)圓滿結(jié)束。大賽聚焦技術(shù)革新，旨在引領(lǐng)未來(lái)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向，促進(jìn)科技創(chuàng)新成果的轉(zhuǎn)化，加速新質(zhì)生產(chǎn)力的成長(zhǎng)，是全國(guó)性的重大賽事。
2024-12-02 11:40:531295 
? ? 近日，第十三屆中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽顛覆性技術(shù)創(chuàng)新大賽（未來(lái)制造領(lǐng)域賽）獲獎(jiǎng)結(jié)果出爐，奇異摩爾參賽項(xiàng)目【基于Chiplet+RDMA技術(shù)的下一代萬(wàn)卡AI集群的全棧式互聯(lián)解決方案】榮獲優(yōu)勝獎(jiǎng)
2024-12-19 09:39:432150 
下一代帶有ePCM的汽車微控制器，由三星采用聯(lián)合開(kāi)發(fā)的18nm FD-SOI工藝結(jié)合意法半導(dǎo)體的ePCM技術(shù)制造。 ST專門
2025-01-21 10:27:131124 
芯原股份今日發(fā)布其無(wú)線IP平臺(tái)，旨在幫助客戶快速開(kāi)發(fā)高能效、高集成度的芯片，廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。該平臺(tái)基于格羅方德（GF）22FDX?（22納米FD-SOI）工藝，支持短程、中程及遠(yuǎn)程
2025-09-25 10:52:23421 為期兩天的第十屆上海FD-SOI論壇上周圓滿落幕。作為半導(dǎo)體行業(yè)年度技術(shù)盛會(huì)，本次論壇匯聚了全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖專家、企業(yè)高管及學(xué)術(shù)代表，圍繞 FD-SOI工藝的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、發(fā)展趨勢(shì)、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)等核心
2025-10-10 14:46:25584 、晶圓廠、IDM、芯片設(shè)計(jì)公司和系統(tǒng)廠商等FD-SOI產(chǎn)業(yè)鏈的海內(nèi)外重要嘉賓齊聚一堂，共同探討FD-SOI技術(shù)成果與應(yīng)用前景。
2025-10-13 16:45:401030 近日，同星智能憑借“軟硬件解耦、快速迭代、可不斷被軟件定義的汽車電子基礎(chǔ)工具鏈”項(xiàng)目，榮膺2025全國(guó)顛覆性技術(shù)創(chuàng)新大賽優(yōu)勝獎(jiǎng)。這是同星智能在獲得金輯獎(jiǎng)、AITX領(lǐng)航創(chuàng)新技術(shù)獎(jiǎng)、測(cè)量與標(biāo)定技術(shù)獎(jiǎng)后
2025-11-07 20:05:00481 
關(guān)于工業(yè)制造顛覆性挑戰(zhàn)及可能的戰(zhàn)略選擇。1.AI領(lǐng)域：生成式AI估值修正，泡沫不會(huì)全面破裂，工業(yè)AI需依托專業(yè)數(shù)據(jù)、流程與基礎(chǔ)設(shè)施，行業(yè)將迎來(lái)炒作退潮、價(jià)值回歸與應(yīng)
2025-12-17 22:09:48306 
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