長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones這次再度發表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預測。

從成本看，22nm FD-SOI的成本將和28nm HKMG成本相近，而工藝如果繼續演進，例如到12nm節點，FD-SOI的成本將顯著低于FinFET，12nm FD-SOI的成本比16nm FinFET低22.4%，比10nm FinFET低23.4%，比7nm FinFET低27%！這是因為12nm FD-SOI的掩膜數量要少一些，抵消了其襯底成本高過FinFET的部分。

不過他認為FD-SOI工藝只會發展到12nm，最大可能是到10nm節點，“因為再往下發展沒有必要，而且會遇到很大挑戰。”在他跟我私下交流時他這樣解釋，“但這不會影響FD-SOI的信心，因為FD-SOI客戶看中的是集成度，低功耗和低成本，對于12nm以下高級工藝，有FinFET。”由此看，未來工藝技術發展會出現重大的分化，FinFET引領更高級工藝發展，而FD-SOI則發揮在低功耗、射頻集成的優勢。這與GF的判讀一致，GF也認為12nm以上工藝市場今年依然有560億美元空間，到2020年還會增長到650億美元！

Jones預估隨著視頻圖像走熱，圖像傳感器市場會有很大發展，而ISP將是拉動FD-SOI增長的關鍵點，這里的ISP是靠近圖像傳感器需要進行各種模數處理，圖像處理的器件，因為FD-SOI比16nmFinFET和28nm體硅工藝擁有更好的ADC模擬特性、更低噪聲、更低功耗以及低成本，預計2027年，ISP出貨量將達196億顆。

不過對于這個觀點也有業者表示，只要FD-SOI把目前28nm體硅工藝的單搶來就是非常大的增長了，也許這樣會更容易些？因為Jones預估體硅工藝只會走到22nm節點，28nm體硅工藝今年有望獲得329億美元收入，如果FD-SOI能順利從這個節點搶單，則會坐收幾百億美元收入，個人覺得很靠譜，所以建議GF和三星就去搶28nm體硅單就好！