、無廠半導體公司和終端用戶的完整的 FD-SOI 生態(tài)系統(tǒng)計劃。這個合作機會讓CEA熱情高漲，積極開發(fā)性能更高而功耗和成本更低的新一代 FD-SOI 技術，滿足汽車、物聯(lián)網(wǎng)、5G/6G 和制造 4.0
2022-04-21 17:18:48
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意法半導體宣布，其28納米FD-SOI技術平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下新產品能效高于其它現(xiàn)有技術。
2013-03-13 09:40:241837 
Altera推出業(yè)界唯一投產的低功耗28 nm Cyclone? V GT FPGA，幫助開發(fā)人員降低了PCIe Gen2應用的系統(tǒng)總成本，并全面通過了PCI Express? （PCIe?） 2.0規(guī)范的兼容性測試。
2013-03-19 12:37:393775 意法半導體獨有的FD-SOI技術配備嵌入式存儲器，有望突破更高性能，以實現(xiàn)更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:091663 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體廠商應該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術。
2015-07-07 09:52:224208 格羅方德半導體（GLOBALFOUNDRIES）今日發(fā)布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設備的超低功耗要求。“22FDX?”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡市場提供了一個最佳解決方案。
2015-07-14 11:18:182347 半導體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發(fā)出支援4種技術制程的22nm FD-SOI平臺，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導體
2015-10-08 08:29:221284 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）與汽車市場取代鰭式場效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導廠商代表出席一場相關領域的業(yè)界活動，象征著為這項技術背書。
2016-04-18 10:16:033433 
Globalfoundries技術長Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321545 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務開發(fā)負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該公司的技術藍圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在
2016-07-28 08:50:141435 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當14納米節(jié) 點，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設計成本也低25%左右，并降低了需要重新設計的風險。
2016-09-14 11:39:022462 
晶體管（FinFET）制程技術外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場，并推出22納米及12納米FDX制程平臺，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機。
2016-11-17 14:23:221271 5G時代將對半導體的移動性與對物聯(lián)網(wǎng)時代的適應性有著越來越高的要求。此時，FD-SOI與RF-SOI技術的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術的關注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5713150 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:1910317 從工藝選擇到設計直至投產，設計人員關注的重點是以盡可能低的功耗獲得最佳性能。Altera在功耗和性能上的不斷創(chuàng)新，那其28nm高端FPGA如何實現(xiàn)功耗和性能的平衡？具體有何優(yōu)勢？
2013-05-17 10:26:113904 高性能與低功耗兼具的ADC產品匯聚 Sisyphus 模擬數(shù)字轉換器ADC連接著現(xiàn)實模擬世界與電子系統(tǒng)，一直是芯片產業(yè)皇冠上的明珠。隨著技術應用的發(fā)展，ADC產業(yè)呈現(xiàn)出越來越清晰的發(fā)展趨勢，即在大幅
2021-12-20 07:01:003582 在工藝進程方面，i.MX RT500使用了28nm FD-SOI耗盡型絕緣硅工藝，該工藝的優(yōu)勢在于能夠在提升處理器主頻性能的同時，盡可能控制功耗。
2021-12-23 11:10:332506 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）是一種平面工藝技術，能利用襯底偏壓（body bias）提供廣泛的性能以及功耗選項，兼具低功耗、近二維平面、高性能、低成本的特點
2024-10-28 06:57:004142 
第十屆上海 FD-SOI 論壇 2025 年 9 月 25 日在上海浦東香格里拉大酒店舉辦。本次論壇由芯原股份、新傲科技和新傲芯翼主辦， SEMI 中國和 SOI 國際產業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。 論壇匯聚了全球
2025-09-25 14:11:367746 
第十屆上海 FD-SOI 論壇 ? 2025 年 9 月 15 日 下午的專題二環(huán)節(jié) ， 繼續(xù) 聚焦 FD-SOI 的設計實現(xiàn)， 來自多家全球半導體領導公司的 專家 、 國內大學 學者和企業(yè)代表
2025-09-25 17:41:258705 
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術是一種新的工藝技術，有望成為其30納米以下的技術節(jié)點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
目前許多終端市場對可編程邏輯器件設計的低功耗要求越來越苛刻。工程師們在設計如路由器、交換機、基站及存儲服務器等通信產品時,需要密度更大、性能更好的FPGA,但滿足功耗要求已成為非常緊迫的任務。而在
2019-07-15 08:16:56
隨著65nm工藝的應用以及更多低功耗技術的采用，FPGA擁有了更低的成本、更高的性能以及突破性的低耗電量，具備進入更廣泛市場的條件。FPGA從業(yè)者表示，今年FPGA快速增長，而預計明年仍將是一個增長年。
2019-10-31 06:49:34
Altera公司產品和企業(yè)市場副總裁DannyBiran低功耗是一種戰(zhàn)略優(yōu)勢 在器件的新應用上，FPGA功耗和成本結構的改進起到了非常重要的作用。Altera針對低功耗，同時對體系結構和生產工藝進行
2019-07-16 08:28:35
工藝節(jié)點中設計，但是 FD-SOI 技術提供最低的功率，同時可以承受輻射效應。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉換器需要同時具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
Altera公司近期宣布，開始交付業(yè)界第一款高性能28-nm FPGA量產芯片。Stratix V FPGA是唯一使用TSMC 28HP工藝制造的FPGA，比競爭解決方案高出一個速率等級
2012-05-14 12:38:53
Cyclone V FPGA是目前市場上功耗最低、成本最低的28nm FPGA。該系列通過集成，前所未有的同時實現(xiàn)了高性能、低系統(tǒng)成本和低功耗，非常適合工業(yè)、無線、固網(wǎng)、軍事和汽車等市場
2012-09-21 13:49:05
半導體為代表的歐洲半導體科研機構和公司相繼迎來技術突破，快速發(fā)展，為MRAM的商業(yè)化應用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導體簽訂28nm FD-SOI技術多資源制造全方位合作協(xié)議，授權三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術優(yōu)勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用？
2021-06-26 07:14:03
從工藝選擇到設計直至投產，設計人員關注的重點是以盡可能低的功耗獲得最佳性能。Altera在功耗和性能上的不斷創(chuàng)新，那其28nm高端FPGA如何實現(xiàn)功耗和性能的平衡？具體有何優(yōu)勢？
2019-09-17 08:18:19
充分發(fā)揮低功耗優(yōu)勢的公司之一，它是世界上最大的電信系統(tǒng)供應商之一，可提供基于Altera Stratix IV FPGA的運營商級以太網(wǎng)芯片解決方案。Altera高性能、低功耗技術與TPACK高度集成
2019-07-31 07:13:26
CJC89888芯片特點是什么？低功耗芯片設計要點是什么？怎么實現(xiàn)低功耗單芯片高性能音頻CODEC的設計？
2021-06-03 06:27:25
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
，使用TSMC的28nm高性能（28HP）工藝，對于低成本和低功耗應用，則采用28LP工藝。Stratix V FPGA采用了28HP工藝，而Arria V和Cyclone V FPGA都采用了LP
2015-02-09 15:02:06
本資料是關于如何采用低功耗28nm降低系統(tǒng)總成本
2012-07-31 21:25:06
TI新推6核DSP，兼具極低功耗和高性能
以前我們依靠時鐘衡量DSP性能高低，然而這樣的對應關系并非線性，而市場的需求卻在線性增長，那如何實現(xiàn)性能的提升？
2009-11-06 09:35:25911 上網(wǎng)本是要高性能還是要低功耗？
期待已久的英特爾凌動二代產品N450終于上市，然而有評測機構說它的處理性能相比前一代產品并沒有明顯提升，感覺有些失望。其實
2010-01-27 09:04:341021 
統(tǒng)一工藝和架構，賽靈思28納米FPGA成就高性能和低功耗的完美融合
賽靈思公司(Xilinx)近日宣布，為推進可編程勢在必行之必然趨勢，正對系統(tǒng)工程師在全球發(fā)布賽靈思
2010-03-02 08:48:51962 22nm以后的晶體管技術領域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42888 22nm以后的晶體管技術領域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421852 賽靈思選用 28nm 高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低 功耗技術，并將該技術與新型一體化 ASMBLTM 架構相結合，從而推出能降低功耗、提高性能的新一代FPGA。這些器件實現(xiàn)了前所未有的高集成
2012-01-17 15:44:03
21 本白皮書介紹了有關賽靈思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的幾個方面，其中包括臺積電 28nm高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28 HPL）工藝的選擇。 本白皮書還介紹了 28 HPL 工藝提供
2012-03-07 14:43:4441 Cyclone V FPGA簡介 Altera公司的28nm Cyclone V FPGA器件是目前市場上功耗最低、成本最低的28nm FPGA。該系列通過集成，前所未有的同時實現(xiàn)了高性能、低系統(tǒng)成本和低功耗，非常適合工業(yè)、無線
2012-09-04 13:44:543469 本文主要介紹Cyclone V FPGA的一個很明顯的特性，也可以說是一個很大的優(yōu)勢，即：采用低功耗28nm FPGA減少總系統(tǒng)成本
2012-09-05 15:35:2726 Cyclone V FPGA功耗優(yōu)勢：采用低功耗28nm FPGA活的最低系統(tǒng)功耗（英文資料）
2012-09-05 16:04:1140 意法半導體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501589 日前，意法半導體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術，這證明了意法半導體以28奈米技術節(jié)點提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術的能力。
2012-12-14 08:45:271206 Mouser Electronics正在備貨Altera公司業(yè)界領先的28-nm Cyclone? V FPGA。 Cyclone V FPGA結合了高性能、業(yè)界最低的操作功耗以及系統(tǒng)成本，是工業(yè)、無線、有線、廣播和汽車應用的理想選擇。
2013-05-21 16:15:031449 28納米以后邏輯工藝開始分岔：立體工藝FinFET由于獲得英特爾與臺積電的主推成為主流，14/16納米都已量產，10納米工藝也有可能在2017年量產；體硅工藝停止在28納米，想增加集成度而又對FinFET開發(fā)成本望而卻步的半導體公司另辟蹊徑。
2016-11-04 19:12:111160 
據(jù)報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力，格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業(yè)應用提供高性能、低功耗的產品。
2018-01-10 16:04:426591 GlobalFoundries的FD-SOI技術已經(jīng)略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導體（ST）的大單進補，在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 集中在28nm，但是下一代的18nm將不會太遠。FD SOI工藝將以28FDS和18FDS為基礎，提供基礎的工藝服務，未來將開發(fā)RF和eMRAM技術。
2018-04-10 17:30:002144 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術，除了即將量產的7奈米FinFET尖端制程，以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節(jié)點，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002872 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單，其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:135272 格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內首個多節(jié)點FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統(tǒng)而設計。
2018-05-14 15:54:003070 
賽靈思7系列FPGA產品通過采用新的工藝和新的架構方式，成功將產品的功耗顯著降低。7系列FPGA產品的實測功耗與上一代產品相比，降低了約一半。采用臺積電全新28HPL工藝，賽靈思7系列28nm FPGA產品同時實現(xiàn)了高性能和低功耗。
2018-06-05 13:45:005086 加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證，準備投入量產。作為業(yè)內符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001951 生產FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產），三星代工廠（28納米工藝投產中，18納米工藝計劃投產），以及格芯代工廠（22納米工藝投產中，12納米計劃投產）。
2018-08-02 11:35:245500 今天，Globalfoundries（簡稱GF）宣布無限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:013623 雙方攜手采用Imagination的Ensigma連接方案半導體知識產權（connectivity IP），在GF的22nm FD-SOI（22FDX?）工藝平臺上，為業(yè)界提供用于低功耗藍牙
2018-09-26 11:14:505062 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應，滿足當下及未來消費品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應用等領域的需求，確保FD-SOI技術大量供應。
2019-01-22 09:07:00871 隨著FD-SOI技術在系統(tǒng)芯片(SoC)設備的設計中越發(fā)受到關注，Soitec的業(yè)務也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:123407 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0013 為求低功耗、高能效及高性價比之元件，市場逐漸開發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結構；而FD-SOI構造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進而以水平式晶體管架構，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:205089 
持續(xù)創(chuàng)新 28HPL 高性能低功耗工藝，成就跨越全新中低端器件，和 Artix-7 FPGA、Kintex-7 FPGA 及 Zynq-7000 SoC 產品系列的全新低功耗工業(yè)速度等級的器件敬請
2019-08-01 09:07:324020 
事實勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產品說明其優(yōu)勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:454242 長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:004363 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:445032 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產首款商用EMRAM產品，該產品基于28nm FD-SOI工藝技術，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591577 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。作為業(yè)界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費領域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:161136 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產品。
2020-02-12 22:57:171218 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產品。
2020-02-27 14:54:381080 近日低功耗可編程器件的領先供應商萊迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用FPGA，采用28nm FD-SOI 工藝平臺打造。該芯片與市場上同類產品相比最大的特點是其擁有領先的I/O密度，據(jù)了解
2020-07-03 08:57:361254 萊迪思的研發(fā)工程師幾年前就開始著手FPGA開發(fā)工藝的創(chuàng)新，旨在為客戶提供具備上述特性的硬件平臺。最終萊迪思成為業(yè)界首個支持28 nm全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）工藝的低功耗FPGA供應商。該
2020-07-03 14:05:432819 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-07 16:04:044286 去年12月，我們推出了全新低功耗FPGA開發(fā)平臺Lattice Nexus?，這是業(yè)界首款采用28 nm FD-SOI制造工藝的低功耗FPGA平臺。Nexus在各個設計層面（從軟件解決方案到架構
2020-07-10 10:03:00943 Lattice Nexus是業(yè)界首個基于28 nm FD-SOI工藝的低功耗FPGA技術平臺，得益于功耗和MIPI 速度上的優(yōu)勢，基于該平臺的第一款產品CrossLink-NX得到了客戶廣泛認可
2020-07-15 19:28:421246 的功耗高度依賴于用戶的設計，沒有哪種單一的方法能夠實現(xiàn)這種功耗的降低。目前許多終端市場對可編程邏輯器件設計的低功耗要求越來越苛刻。在消費電子領域，OEM希望采用FPGA的設計能夠實現(xiàn)與ASIC相匹敵的低功耗。 盡管基于90nm工藝的FPGA的功耗已低
2020-10-28 15:02:133673 功耗是我們關注的設計焦點之一，優(yōu)秀的器件設計往往具備低功耗特點。在前兩篇文章中，小編對基于Freez技術的低功耗設計以及FPGA低功耗設計有所介紹。為增進大家對低功耗的了解，以及方便大家更好的實現(xiàn)低功耗設計，本文將對FPGA具備的功耗加以詳細闡述。如果你對低功耗具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2021-02-14 17:50:007165 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品，包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557 行業(yè)領先的功耗效率——通過利用萊迪思在FPGA架構方面的創(chuàng)新和低功耗FD-SOI制造工藝，CertusPro-NX器件提供卓越的性能，同時功耗比同類競品FPGA低四倍。
2021-09-10 14:57:312597 （電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)報道）2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行，論壇由芯原股份和新傲科技主辦，SEMI中國和SOI產業(yè)聯(lián)盟支持。該活動自2013年開始每年舉行一次，上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:043350 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《設計低功耗和高性能的工業(yè)應用.pdf》資料免費下載
2023-11-16 14:50:420 谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46939 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:365126 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:231482 ，以及芯原在FD-SOI提供的解決方案。 ? 全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）是一種平面工藝技術，從結構上看， FD-SOI晶體管的靜電特性優(yōu)于傳統(tǒng)體硅技術。埋氧層可以降低源極和漏極之間的寄生電容，還能有效地抑制電子從源極流向漏極，從而大幅降低導致性能下降的漏
2024-10-23 10:02:421288 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開，FD-SOI產業(yè)鏈產業(yè)上下游企業(yè)再次匯聚一堂，其中包括多位行業(yè)重量級嘉賓，比如IBS首席執(zhí)行官
2024-10-23 10:22:161108 
相變存儲器（ePCM）。 ? 在FD-SOI領域，三星已經(jīng)深耕多年，其和意法半導體之間的合作也已經(jīng)持續(xù)多年。早在2014年，意法半導體就曾對外宣布，選擇三星28nm FD-SOI工藝來量產自己的產品
2024-10-23 11:53:05990 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）對于FD-SOI的應用，很多人第一個想到的應用方向就是AIoT，這是一個非常大的方向，包括智能汽車、智能手機、可穿戴設備等都屬此列，這也證明了FD-SOI擁有廣闊的發(fā)展
2024-10-23 16:04:441107 
)和三星的合作，它已經(jīng)在微控制器領域找到了自己的出路。早在2018年，意法半導體就宣布，它正在為汽車市場提供采用28nm FD-SOI工藝制造的嵌入式PCM (ePCM)微控制器。現(xiàn)在，意法半導體宣布了
2025-01-21 10:27:131124 
為期兩天的第十屆上海FD-SOI論壇上周圓滿落幕。作為半導體行業(yè)年度技術盛會，本次論壇匯聚了全球半導體領域的頂尖專家、企業(yè)高管及學術代表，圍繞 FD-SOI工藝的技術優(yōu)勢、發(fā)展趨勢、設計實現(xiàn)等核心
2025-10-10 14:46:25579 2025年9月25日，第十屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店圓滿舉辦。本次論壇由芯原股份 (簡稱“芯原”)、新傲科技和新傲芯翼主辦，SEMI中國和SOI國際產業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。超過300位來自襯底
2025-10-13 16:45:401028
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