22nm以后的晶體管技術領域，靠現行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通道中添加雜質，易于控制特性的不均現象，因而成了22nm以后晶體管技術的有力候選。而且前者還具有能夠采用與此前相同的電路布局進行設計的特點。后者雖要求采用新的電路布局及工藝技術，但有望比前者更加容易實現微細化（高集成化）。兩種技術以各自特色為宣傳重點，開始激烈爭奪新一代技術的寶座。在 “2010 Symposium on VLSI Technology”（2010年6月15～17日，在美國夏威夷州檀香山舉行）上，似乎為了顯示人們對二者的關注度之高，相關企業及團體就FD- SOI元件發表了9篇論文，就FinFET發表了4篇論文。

　　采用ARF光刻技術實現基于FinFET的超小SRAM單元

　　在2009年舉行的“2009 IEDM”上，采用FinFET技術實現0.06um2或者0.039um2單元面積的超微細SRAM亮相。但是，這些產品都利用了電子束（EB）直描技術，實用化方面還存在課題。此次，美國IBM、美國GLOBALFOUNDRIES、東芝及NEC電子（現為瑞薩電子）組成的小組發布了以現行ArF光刻技術實現0.063um2超微細SRAM的極具影響力的研究成果（論文序號：2.2）。通過采用Sidewall Image Transfe技術，實現了40nm的Fin間距，解決了基于FinFET的SRAM的另一課題——因使用多個Fin而導致面積增大的問題。同時，還實現了80nm這一全球最小的柵極間距。作為實現超微細SRAM的技術，這一成果給人FinFET更為出色的強烈印象。

　　在Bulk底板上混載SOI及塊狀硅元件

　　要實現最尖端SRAM，易于控制特性不均現象的FD-SOI元件可發揮威力。不過，ESD保護電路及功率MOSFET等需要較大電流的外圍電路沿用塊狀硅元件比較理想。從這一角度來看，二者的混載技術備受期待。在“2009 IEDM”上，多家企業發布了采用SOI底板、混載FD-SOI及塊狀硅元件的混載技術。

　　意法半導體（STMicroelectronics）、法國IMEP-LAHC及法國CEA-LETI組成的小組發布了在成本低于SOI底板的塊狀硅底板上混載FD-SOI與塊狀硅元件的技術（論文序號：6.2）。這是一項可實現低成本微細SoC的值得關注的技術。此次，FD-SOI元件領域通過在硅底板上使SiGe及Si固相生長，然后除去SiGe層并嵌入氧化膜，實現了局部SOI。在局部SOI上制作的FD-SOI元件的特性偏差在此前發布的產品中為最小水平（Avt=1.2ｍV um）。實證結果表明，在塊狀硅底板上制作的ESD保護電路可充分滿足實用需求。