芯原股份作為 FD-SOI 技術推廣的關鍵推動者，戴總核心觀點聚焦 “長期深耕、生態共建”。自 2013 年起，戴總帶領芯原股份連續主辦上海 FD-SOI 論壇，從首屆僅 50 人參與，逐步發展為第九屆（2024 年）299 人規模、匯聚 GlobalFoundries、三星、意法半導體、Soitec 等全球頭部企業的行業盛會，第十屆論壇（本次）進一步升級為 “技術優勢 + 設計落地” 雙主題的高端交流平臺。

論壇不僅是技術研討的載體，更是產業鏈協同的紐帶。戴總通過主持關鍵環節（如第十屆論壇兩場圓桌討論：“FD-SOI 工藝的技術優勢和發展趨勢”“FD-SOI 的設計實現”），推動上下游企業（ substrate、晶圓代工、EDA/IP、芯片設計、下游應用）達成技術共識與合作意向，加速 FD-SOI 生態成熟。

戴總在發言中重點凸顯芯原在 FD-SOI 領域的 “技術深耕與商業化成果”，以IP 布局，覆蓋全場景，規模化落地。基于格羅方德（GF）22FDX 工藝，開發 60 + 模擬與數模混合 IP（含基礎 IP、DAC IP、接口協議 IP 等），累計向 45 家客戶授權 FD-SOI IP 核超 300 次，成為行業 IP 供應核心力量。射頻（RF）與基帶 IP 全面領先：擁有 BLE、Wi-Fi 6、NB-IoT、GNSS 等完整無線 IP portfolio，所有 RF IP 均通過硅驗證（silicon proven），且 NB-IoT、BLE 等關鍵 IP 已實現客戶商用授權，支撐物聯網（IoT）、可穿戴設備等場景的無線連接需求。

FD-SOI的產業動態更新：

首創 “自適應體偏置（Adaptive Body Biasing）技術” 在 FD-SOI SoC 中的應用：基于該技術的 IoT 單芯片方案，相比 28nm bulk 工藝功耗降低 55%，實現 “2 節 AA 電池供電 2 年” 的長待機目標，累計出貨超 1 億顆。

完成 43 個全球大客戶的 FD-SOI 芯片設計項目，其中 33 個進入量產階段，覆蓋 MCU（如業界首款 32 位 Cortex-M 架構 22nm MCU）、IoT 傳感器、邊緣 AI 處理器等核心品類。

接口與特殊工藝 IP 優勢：針對汽車電子、工業控制等高端場景，開發符合 ISO26262 功能安全標準的接口 IP（如 MIPI DPHY/RX、PCIe 3.0、USB3.0），以及 1.25G-16G SERDES PHY 等高速接口 IP，解決 FD-SOI 在高可靠性、高速傳輸場景的應用痛點。

FD-SOI 技術價值：“低功耗 + 高集成” 適配多領域剛需

戴總通過對比 FinFET 技術，明確 FD-SOI 的差異化定位，核心觀點聚焦 “場景適配性與技術不可替代性”包括：

1、技術本質優勢：FD-SOI（全耗盡絕緣體上硅）作為 2D 平面晶體管，通過 “超薄體 + 超薄埋氧層 + 全介質隔離” 結構，實現更優的柵極控制能力，相比傳統 bulk 晶體管縮放性更強，同時支持 “正向體偏置（FBB，提升性能）” 與 “反向體偏置（RBB，降低漏電流）” 動態調節，兼顧低功耗與高性能需求。

2、與 FinFET 的 “雙軌并行”，戴總提出 “兩條腿走路” 的行業發展邏輯，如FinFET 側重高性能場景（如云計算服務器、高端 AI 芯片、前沿消費電子）；FD-SOI 則聚焦 “低功耗 + 高可靠性” 場景，包括：物聯網與可穿戴設備（長待機、小尺寸）；汽車電子（雷達處理、V2X 通信、功能安全 MCU）；邊緣 AI（輕量化神經網絡加速器、Always-on 智能語音識別）；5G/6G 與衛星通信（毫米波芯片、低功耗射頻前端）。

3、先進工藝突破：強調 FD-SOI 并非 “低端工藝”，而是持續向先進節點演進 ——2024 年 ST 與三星聯合推出 18nm FD-SOI（嵌入 ePCM 相變存儲器，提升集成度與性能），CEA-Leti 啟動 10nm/7nm FD-SOI 試點產線，芯原已同步跟進先進節點 IP 預研，為后續產業化儲備技術。

戴總還在發言中傳遞 “生態共建” 的核心訴求，并以數據印證 FD-SOI 的市場潛力：

全球化生態協同：認可歐美與中國企業的協同成果 —— 如歐盟通過 “FAMES 計劃” 投資 12nm FD-SOI 產線（ST 與 GF 在法國建廠），CEA-Leti 聯合 43 家產業鏈企業推進 10nm/7nm 技術；中國企業方面，上海新傲獲得 Soitec Smart-Cut 襯底技術授權，復旦微、國科微等采用 22nm FD-SOI 設計 IoT 芯片，芯原則作為 “橋梁” 連接全球 IP 需求與本土設計服務。

市場規模高速增長：引用行業數據強調 FD-SOI 的商業價值 —— 市場規模從 2022 年的 9.3 億美元，預計 2027 年增至 40.9 億美元，復合年增長率（CAGR）達 34.5%，增長動力主要來自 IoT、汽車電子、邊緣 AI 的規模化應用，芯原將通過 IP 與設計服務深度參與這一增長紅利。

人才與技術普及：支持歐盟 “FAMES 學院（EFDS）” 計劃（2025 年啟動，未來 4 年開展 FD-SOI 設計培訓），認為人才培養是生態長期發展的關鍵，芯原也將通過項目合作、技術分享，助力中國工程師掌握 FD-SOI 體偏置設計、RF / 模擬電路設計等核心技能。

未來展望：聚焦先進節點與場景深化

戴總對 FD-SOI 的長期發展提出明確方向，核心觀點聚焦 “技術迭代 + 場景落地”：

1、先進工藝攻堅：持續跟進 18nm、10nm 乃至 7nm FD-SOI 技術，重點突破 “嵌入式非易失性存儲器（ePCM）”“太赫茲電路” 等關鍵技術（如芯原已聯合清華大學探索 22nm FD-SOI 毫米波 / 太赫茲電路設計），滿足 5G 毫米波雷達、衛星通信等高端場景需求。

2、場景深度滲透：推動 FD-SOI 在汽車電子（如 ADAS SoC、車規級雷達）、邊緣 AI（如低功耗神經網絡加速器）、醫療電子（便攜式傳感器）等領域的商業化落地，通過 “IP + 設計服務” 一體化方案，降低客戶采用門檻。

3、中國生態強化：依托上海 FD-SOI 論壇平臺，進一步聯動本土襯底企業（如上海新傲）、晶圓代工廠、設計公司，構建從技術研發到量產應用的完整本土產業鏈，提升中國在 FD-SOI 領域的全球話語權。

隨后，IBS 首席執行官 Handel Jones 帶來題為《邊緣 AI 與 FD-SOI 技術的機遇分析》的主題演講。

2025年9月25日，國際商業戰略公司（IBS）正式發布《邊緣AI機遇與FD SOI機遇分析》報告。作為深耕半導體行業超35年、聚焦全球電子產業生態的專業機構，IBS在報告中結合技術趨勢、市場數據與企業動態，全面剖析了邊緣AI驅動下半導體行業的增長機遇，以及FD SOI技術在其中的戰略價值，為行業參與者提供了覆蓋至2035年的前瞻性參考。IBS 首席執行官 Handel Jones在論壇上現場作題為《邊緣 AI 與 FD-SOI 技術的機遇分析》的主題演講。

邊緣AI與云端AI雙輪驅動，半導體市場迎長期增長

Handel Jones指出，數字時代下邊緣AI與高性能計算（HPC）AI應用并行發展，正成為半導體市場增長的核心引擎。從應用場景來看，邊緣AI的布局已深入多元終端與垂直領域：智能手機將成為邊緣數據整合樞紐，智能手表、健身追蹤器等穿戴設備則構成關鍵數據生成端；智能眼鏡、AR與VR設備預計在2027-2028年進入大規模量產階段，2028-2029年全球銷量有望達到1.5億臺，中國市場將憑借強勁增長與創新活力成為重要增長極。

在垂直領域，L3級高級駕駛輔助系統（ADAS）于2025年在中國實現實用化，融合處理器與軟件支持成為關鍵技術支撐，而L5級ADAS預計將在2030年啟動初步遷移，LIDAR等高頻傳感器的需求將持續攀升；智能機器人領域，中國市場的支出規模已達到其他國家總和的20倍，技術研發聚焦特定任務效率提升而非類人復制；數字健康則被預測為2030-2040年最大市場 segment，圖像傳感器、MEMS設備的升級將推動行業發展，甚至有望將人類壽命延長20年以上。

云端AI方面，數據中心的普及程度未來將媲美個人計算機，大型數據中心與個人數據中心將形成互補格局，數字孿生與AI代理將依托這一架構運行，且數字孿生在多類數據處理任務中的IQ將超越人類。報告數據顯示，2025年美國數據中心企業資本支出（CAPEX）預計達3990億美元，較2024年的2563億美元大幅增長；臺積電2025年近30%的營收增長也將源于HPC領域的需求拉動，凸顯云端AI對半導體產業的強勁帶動作用。

值得關注的是，AI在推動產業效率提升的同時，也將引發勞動力結構變革。Handel Jones在報告中提到，隨著邊緣AI的廣泛應用，社會將經歷深刻轉型，部分人力崗位面臨淘汰，教育體系需同步革新以適應技術趨勢，而中國在相關教育創新領域已展現積極進展。

在區域市場分析中，Handel Jones的報告重點關注中國半導體產業的發展態勢。數據顯示，中國半導體市場需求規模將持續擴大，2035年預計達到7200億美元，其中本土電子制造企業的半導體消費占比將從2020年的55.2%升至2035年的85.5%，市場重心向本土客戶傾斜，對全球供應鏈格局產生深遠影響。

從本土企業供應能力來看，中國半導體企業在多類產品領域實現突破：顯示驅動芯片的本土市場供應占比從2020年的4%升至2035年的79%，全球競爭力（10分制）從行業初期提升至8.2；SiC MOSFET、MCU等產品的2035年本土供應占比也將分別達到82%、73%，全球競爭力同步提升至8.1和7.8。

針對FD SOI（全耗盡絕緣體上硅）技術，報告進行了專項分析，認為其憑借超低功耗與高效無線連接的核心優勢，將成為邊緣AI場景的關鍵半導體技術。從市場規模來看，2030年FD SOI總市場規模（TAM）預計達127.6萬片晶圓/月（KWPM），其中MCU、圖像信號處理器（ISPs）是核心增長領域.MCU的2030年市場規模將達26.44萬片晶圓/月，較2020年增長1164.5%；ISPs的2030年規模將達64.84萬片晶圓/月，較2020年增長219.1%。

技術層面，22nm FD SOI已成為格芯（GlobalFoundries）用于MCU、雷達等產品的核心技術，意法半導體正擴大FD SOI產能并開發18nm技術；12nm FD SOI技術未來或可替代部分7nm FinFET應用，Soitec與CEA-Leti已啟動10nm FD SOI技術的評估工作，為行業技術升級提供方向。

對于中國在FD SOI領域的布局，Handel Jones指出，本土企業已具備一定基礎,例如300mm SOI襯底的本土生產能力逐步成熟，良率具備競爭力；芯原股份（VeriSilicon）已實現28nm、22nm FD SOI技術的設計落地，擁有豐富的IP portfolio，可拓展至智能手表、AR/VR設備、MCU等邊緣AI產品。不過，中國仍需加強與國際技術伙伴（如Soitec）的合作，構建“襯底-晶圓-設計-應用”的完整生態，以結構化方式提升FD SOI技術的自主化水平與產品競爭力。

在論壇上午的專題一演講分享環節，多位行業領軍企業代表和專家聚焦 FD-SOI 工藝的技術優勢與發展趨勢，分享了最新的技術成果與戰略規劃。

格羅方德超低功耗產品線高級副總裁 Ed Kaste 發表《推動 FD-SOI 技術創新：專為邊緣 AI 打造》的演講。Ed Kaste 表示，格羅方德是 FD-SOI 技術應用領域的領導者，隨著 AI 在多個產品領域的加速普及，市場對更低功耗、更強連接性及功能集成度的需求日益增長，而格羅方德的 22FDX + 平臺能充分發揮 FD-SOI 技術優勢，為 AI 應用提供一流的低功耗性能，同時詳細介紹了格羅方德 FD-SOI 技術的規模化優勢、功能特性及路線圖投資。

Taejoong Song 指出，隨著 AI、自動駕駛和超互聯社會的興起，半導體行業對低功耗和高性能的需求不斷增加，傳統體硅 CMOS 面臨局限，而 FD-SOI 憑借動態體偏置技術、低漏電特性及出色的 RF 性能，實現了超低功耗與高性能的獨特平衡。三星已將 28FDS 工藝打造為成熟且量產驗證的 FD-SOI 技術，目前正推進 18FDS 工藝，未來還將加強合作伙伴關系并支持生態系統建設，推動 FD-SOI 市場持續擴大。

意法半導體執行副總裁、中國區總裁曹志平作了主題為《意法半導體：以 FD-SOI 推動創新》的演講。

圓桌環節現場投票結果 1：FD-SOI+eNVM會在哪些殺手應用中創造獨特的價值（限選三）。現場投票前三：汽車安全控制、物聯網安全、邊緣AI。

圓桌現場投票結果2：在28和22納米 FD-SOI之后，我們需要12納米還是10納米及以下先進工藝？（單選）。投票結果是這兩種都需要。

（完）