意法半導體攜手三星推出18nm FD-SOI工藝，支持嵌入式相變存儲器
3 月 21 日，全球著名半導體公司意法半導體攜手韓國科技巨頭三星共同發布，18nm FD-SOI 工藝正式落地，該技術將集成嵌入式相變存儲器（EPCM）。
據悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現有的 40nm EPM 技術，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數。
值得注意的是，盡管制程僅為 18nm，但此項工藝依然保證了各種模擬功能如電源管理及復位系統在 3V 電壓環境中正常運行。另外在耐熱性、防輻射性能方面都有出色表現，適用于各類嚴苛的工業領域。
按照計劃，首批基于該工藝平臺開發的 STM32 MCU 將在下半年投放到選定客戶群，預計 2025 年下半年進入大規模生產階段。
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