瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開(kāi)始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-05 11:09:191327 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出600V絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 系列，藉以優(yōu)化在10kHz以下操作的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包括冰箱及空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-06 09:51:002108 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產(chǎn)品系列，專為提升系統(tǒng)效率及易于使用所設(shè)計(jì)，補(bǔ)足了專注提供頂尖效能（CoolMOS CP）及強(qiáng)調(diào)使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）兩者之間的技術(shù)區(qū)間。
2012-11-13 08:54:332178 前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證并具有ESD保護(hù)的600V標(biāo)準(zhǔn)整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。對(duì)于空間有限的應(yīng)用，新器件可提供2A和3A的正向電流和高
2012-11-22 09:11:461355 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用小尺寸PowerPAK? 8x8封裝的600V E系列功率
2015-10-12 13:58:282813 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:113209 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級(jí)功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。
2020-12-24 15:08:341138 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
Limited?（AOS,?納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺(tái)，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:151402 
中國(guó)上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:501327 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請(qǐng)教個(gè)問(wèn)題本人有臺(tái)開(kāi)關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個(gè)大容，四個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管組成的對(duì)管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開(kāi)電沒(méi)問(wèn)題。只要工作就燒開(kāi)關(guān)管，大功率場(chǎng)效應(yīng)管，兩個(gè)對(duì)管。問(wèn)問(wèn)是怎么回事，會(huì)是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
600V、4A/4A 半橋門極驅(qū)動(dòng)SiLM2285，超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)三大核心優(yōu)勢(shì)，解決工業(yè)開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)拖動(dòng)、新能源逆變及儲(chǔ)能設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)難題，實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
升/下降時(shí)間及170ns典型傳播延遲，顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，提升高頻應(yīng)用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。
高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)： 獨(dú)特的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)，支持直接驅(qū)動(dòng)600V高邊N溝道MOSFET/IGBT，無(wú)需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
）
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：高壓超結(jié)工藝，效率更高、更可靠，適用于600V以上高壓應(yīng)用領(lǐng)域，行業(yè)前沿拓展產(chǎn)品。
應(yīng)用場(chǎng)景：PC電源開(kāi)關(guān)、電池、逆變器等。
此為RU15P12C的部分參數(shù) 可無(wú)償分享
原廠一級(jí)代理可為您答疑解惑
行業(yè)內(nèi)率先通過(guò) ISO9001、ISO14001質(zhì)量體系認(rèn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
2024-09-23 17:07:50
本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)的 600V IGBT，即IGBT3在UPS中的應(yīng)用。在介紹最新溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)的背景后，本文探討如何充分利用IGBT靜態(tài)與動(dòng)態(tài)性能改進(jìn)和175℃的
2009-11-20 14:30:27
89 Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:2417 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT 芯片級(jí)封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。
Si8422DB 針對(duì)手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:222091 英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹(shù)立硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢(shì)，可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44728 IGBT在客車DC 600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)
1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211691 
Qspeed推出超高效率600V H系列整流器
益登科技（EDOM Technology）代理的Qspeed半導(dǎo)體今日宣布推出H系列組件，協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)，同時(shí)也提
2009-11-11 10:49:221044 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:442304 超高效率600V H系列整流器擴(kuò)展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)， Qspeed半導(dǎo)體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器（PFC
2009-12-31 10:03:111237 600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181434 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291767 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:342107 IR推出汽車驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的AUIRS2301S 600V IC
國(guó)際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC，適用于汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)、微型逆變器驅(qū)動(dòng)和通用三相逆變器應(yīng)用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411787 
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開(kāi)關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181779 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列4接線端、牛角式功率鋁電容器 --- 095 PLL-4TSI。電容器具有17種大尺寸外形，電壓等級(jí)從350V至450V，在85℃下的使用壽命長(zhǎng)達(dá)10,000小時(shí)。
新款0
2010-07-21 08:58:441120 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301777 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級(jí)整流器。
2011-04-01 09:36:431012 Vishay Intertechnology宣布，發(fā)布34款采用6種功率封裝的新型600 V FRED Pt? Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-07-01 09:07:121606 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封裝、正向電流為4A～15A的200V和600V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-09-09 09:13:334115 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對(duì)電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:461170 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC，適用于電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的車用高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2011-10-21 09:45:211990 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過(guò)JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通
2012-05-03 17:29:422109 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:191026 瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開(kāi)始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:401004 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241360 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 宣布擴(kuò)充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:421778 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出高性能600V超高速溝道場(chǎng)截止絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IR66xx系列。堅(jiān)固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:533856 MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導(dǎo)通電阻和低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)點(diǎn)。
2014-10-09 12:59:191841 
今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)，表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS，無(wú)鹵素，無(wú)鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E
2016-07-18 16:19:592081 近日，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，新推出電流達(dá)1A的集成式功率光敏可控硅---VO2223B，可直接驅(qū)動(dòng)中功率的交流負(fù)載。Vishay Semiconductors VO2223B的dv／dt性能達(dá)到600V／μs，具有很高的穩(wěn)定性和噪聲隔離功能，可用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。
2018-05-03 17:19:001526 VO2223B的dv／dt性能達(dá)到600V／μs，具有很高的穩(wěn)定性和噪聲隔離功能，可用于和工業(yè)設(shè)備。 這顆器件包括一個(gè)光學(xué)耦合的光敏可控硅，性能強(qiáng)勁的集成式功率雙向可控硅，采用小尺寸DIP封裝。
2018-02-14 22:15:003908 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:542338 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強(qiáng)型 3.3 mm x
2021-05-28 17:25:573908 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級(jí)可靠性。
2022-02-07 15:37:081783 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352299 Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:142761 Vishay 推出 Vishay BCcomponents193 PUR-SI Solar新系列卡扣式功率鋁電容器，額定電壓和類別電壓分別提升至 570V 和 475V。 器件面向太陽(yáng)能
2022-08-19 09:32:271636 Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗特性，能有效提高中頻功率轉(zhuǎn)換器以及軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:112026 Vishay 推出 15 款采用 SOT-227 小型封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V 和 1200V Hyperfast 和 Ultrafast 恢復(fù)整流器。
2022-09-16 10:52:201897 （NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14780 
Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復(fù)整流器。
2022-10-14 16:11:242241 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:121359 AN-9085 智能電源模塊，600V Motion SPM?3 ver.5 系列用戶指南
2022-11-14 21:08:341 600V SPM? 2 系列熱性能（通過(guò)安裝扭矩）
2022-11-15 20:04:030 600V耐壓IGBT IPM：BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:212074 
優(yōu)越的電氣參數(shù)，呈現(xiàn)出最佳效能 強(qiáng)茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs，以拓展LowVF系列和LowTrr的產(chǎn)品線；此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路，而
2023-03-06 11:56:27709 Vishay 新型 Power DFN 系列?DFN3820A 封裝 汽車級(jí) 200V、400V 和 600V 器件高度僅為 0.88 mm 采用可潤(rùn)濕側(cè)翼封裝 改善熱性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:001637 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30802 
“R60xxVNx系列” （含7款機(jī)型）。 此外，高速開(kāi)關(guān)型600V耐壓Super Junction MOSFET產(chǎn)品陣容中也新增了導(dǎo)通電阻更低的 “R60xxYNx系列” （含2款機(jī)型
2023-07-12 12:10:081617 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:541530 
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:011859 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E。這款新型功率MOSFET為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-10 10:48:121771 Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422284 
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù)，標(biāo)志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計(jì)算領(lǐng)域帶來(lái)了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價(jià)比，在全球范圍內(nèi)樹(shù)立了高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展，在全球范圍內(nèi)樹(shù)立了技術(shù)和性價(jià)比標(biāo)準(zhǔn)。CoolMOS8是英飛凌新一代
2024-09-03 08:02:39930 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于600V GaN功率級(jí)的QFN12x12封裝的熱性能.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-21 10:18:060 近日，碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed推出了其全新的第4代MOSFET技術(shù)平臺(tái)。該平臺(tái)在設(shè)計(jì)之初就充分考慮了耐久性和高效性，旨在為高功率應(yīng)用帶來(lái)突破性的性能表現(xiàn)。 作為碳化硅技術(shù)
2025-02-17 10:28:44943 VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號(hào)為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945 
Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26337 
Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V（D-S）MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術(shù)。該MOSFET優(yōu)化了功率效率，R~DS(on)~ 可最大限度地降低
2025-11-12 14:12:58320 Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365 
Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導(dǎo)通和低開(kāi)關(guān)損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設(shè)計(jì)用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開(kāi)關(guān)或諧振設(shè)計(jì)的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離，有助于構(gòu)建常見(jiàn)散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224 
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