Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向導引TO-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產品反向黏著于PCB 上，即將散熱器黏著于頂部以產生更好的散熱效果。

由于功率應用產生的熱量能散發到空氣中而非PCB 上，與采用傳統接腳的DPAK 功率MOSFET 相較，此類功率MOSFET 具有更小的有效接通電阻值以及更大的電流作業能力。同時，更好的散熱效果能消除電路板的熱應力，因而提高該產品的整體可靠性。此款SUR 功率MOSFET 適用于桌上型計算機的核心直流變直流轉換應用，使VRM 模塊與PC 主機板實現「超綠色」的設計。應用該SUR 功率MOSFET 后，VRM 模塊與PC 主機板可更有效地利用功率，而進一步減少所需的組件。SUR 功率MOSFET 系列產品，包括20VSUR70N02-04P、30VSUR50N03-06P、SUR50N03-09P、SUR50N03-12P 以及SUR50N03-16P的接通電阻值范圍為4mΩ 至16mΩ，適用于直流變直流轉換器的同步及控制FET。
Siliconix 可提供SUR 系列反向導引TrenchFET 功率MOSFET 樣品及量產。
Intersil 兩款超小型抗熱封裝100V 半橋驅動器IC 開始供貨
Intersil 公司宣布采用新型超小抗熱封裝的HIP2100 和HIP2101 高壓半橋MOSFET 驅動器IC 現已開始供貨。新的8 接腳裸露片盤(EP 或E-pad)SOIC 封裝增強了散熱效率，而4 X 4 mm 雙扁平無鉛(DFN)封裝則使其成為超小型的100V 半橋MOSFET驅動器。該產品適用于電訊和數據通訊電源、航空DC/DC 轉換器、雙開關正向轉換器和主動箝位正向轉換器。采用4 × 4mm DFN 封裝的產品現已開始向客戶提供樣品，將于近期內全面投產。該超小100V 半橋MOSFET 驅動器允許設計人員按照IPC-2221設計標準來設計印刷電路板的布線。為確保系統的長期可靠性，產品使用指南要求高壓節點間的間距達到0.6mm。

堆棧式儲存模塊封裝技術的發展趨勢
無線產業技術正以令人興奮的速度向前發展，市場對成本降低的無止境要求，驅動行動電話制造商不斷致力于減少電話的積和重量，而與此同時，行動電話卻需要配備大屏幕彩色顯示屏幕、照相機、視訊流、MP3 和多種下載鈴聲等等功能，新功能的出現直接導致額外內存的大量增加，本文將展示在相同的封裝內堆棧更多的硅組件的嶄新封裝技術及其發展趨勢。電視及視訊點播的新的應用推動了超小型及多功能行動電話的普及，具有彩色屏幕和照相機功能的手機熱銷于全球各地市場，因此出現了對堆棧式內存解決方案的需要，無線儲存模塊在全球的應用日益普及，這一點在亞太地區尤其如此。每個行動電話制造商要求采用不同的芯片組合，當生產量低的時候還不是問題，但是隨著中國大陸、臺灣地區、韓國和亞太地區行動電話制造商的迅速增加，對堆棧式封裝技術的采用，用戶定制堆棧式產品的模式使供應鏈面臨更大的風險。對于行動電話制造商而言，要在產品開始投產前準確預測的內存配置非常困難，因為激烈的市場競爭環境常迫使生產廠商在生產前最后一刻對產品軟件及性能加以改變。要減少行動電話制造商的風險，業界需要來調整商業模式，使堆棧式組件更為標準而且更利于業務的拓展。為將堆棧式內存產品以更快的速度投入市場，英特爾開發了一種稱為‘分層封裝’的方法，該方法對一組通過預先品質檢驗的產品，按照行動電話制造商的需要進行迅速配置和分層封裝，因而為行動電話制造商提供了更大的靈活性，使他們能夠推出更多種類的產品。分層封裝內的內存都使用相同的標準占位空間，因此，行動電話制造商就有可能對幾種型號手機和配置采用相同的電路板。

封裝堆棧技術
無線原始設備制造商始終在尋找一種減少功耗和尺寸的同時增加內存密度和性能的方法，人們稱之為2M/2m 法則，我們的目標是使m 更小時M 更大。在這種情況下，它就意味著在減少功耗(milliwatt)和包裝尺寸(millimeter)的同時，增加處理速度(MIPs)和內存容量(Mb)。