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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>Vishay的業(yè)內(nèi)首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻,可提供1100W功率

Vishay的業(yè)內(nèi)首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻,可提供1100W功率

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2025-11-10 10:47:49337

Vishay PTCES SMD PTC熱敏電阻技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/BC Components器件由焊接連接的均質(zhì)陶瓷PTC組成,封裝在UL 94V-0認(rèn)證的PPS-GF外殼中。PTCES系列包括標(biāo)準(zhǔn)240J和高能340J選項,可提供大量的浪涌功率循環(huán)。
2025-11-10 10:38:57361

Vishay RNC55系列金屬電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

驗收測試以及廣泛的規(guī)格范圍。Vishay RNC55電阻提供350V最大工作電壓、0.5W最大額定功率,以及 ±0.1%、 ±0.5%和 ±1%公差。
2025-11-10 09:23:43395

Vishay CRCW0201-AT e3 汽車級膜片式電阻技術(shù)分析

Vishay 汽車0201膜片式電阻是e3標(biāo)準(zhǔn)電阻器,符合汽車環(huán)境AEC-Q200要求。規(guī)格包括0201尺寸、10Ω 至1MΩ 電阻范圍、0.05W額定耗散功率、30V工作電壓額定值以及-55°至+155°的工作溫度范圍。Vishay汽車0201膜片式電阻適用于汽車、電信和工業(yè)應(yīng)用。
2025-11-09 17:32:45982

TE Connectivity BDS系列功率電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

TE Connectivity(TE)BDS功率電阻采用76mm x 76mm外殼,具有1000W和2000W功耗能力,設(shè)計用于輕松安裝。此系列電阻器在500mΩ至1000Ω寬阻抗范圍內(nèi)具有
2025-11-03 11:12:55393

TE Connectivity RT73系列精密電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

TE Connectivity(TE)/Holsworthy RT73 AEC-Q200型精密電阻器有四種不同封裝可供選擇,E96和E24系列提供標(biāo)準(zhǔn)電阻值。規(guī)格包括75V至200V最大
2025-11-02 16:10:49595

電阻功率額定值匹配計算方法?

電阻功率額定值的匹配需綜合考慮封裝尺寸、實際功率計算、環(huán)境溫度降額及電壓校驗,具體匹配計算方法如下: 一、封裝尺寸與額定功率的對應(yīng)關(guān)系 電阻的額定功率封裝尺寸決定,常見封裝功率對應(yīng)關(guān)系
2025-10-24 14:28:50409

貼片電阻功率電阻值大小有關(guān)嗎?

電阻值的直接關(guān)系:無直接關(guān)聯(lián) 貼片電阻的額定功率電阻本身能承受的最大功率,由電阻的物理尺寸、材料和制造工藝決定。例如: 0805封裝貼片電阻 :常規(guī)額定功率為1/8W(0.125W),部分高功率型號可達(dá)1/4W(0.25W)。 1206封裝貼片電阻 :額定功率通常為1
2025-10-22 14:45:39843

Leadway GaN系列模塊的功率密度

的120W/in3指標(biāo)已接近這一水平,且覆蓋更廣的功率范圍(15W-300W)。封裝與散熱創(chuàng)新: 模塊封裝尺寸最小達(dá)6.8mm×3.0mm,通過優(yōu)化內(nèi)部布線結(jié)構(gòu)降低寄生電感,減少開關(guān)損耗。同時,工作溫度范圍
2025-10-22 09:09:58

?基于STSPIN32G4的伺服驅(qū)動參考設(shè)計技術(shù)解析

EVLSERVO1采用系統(tǒng)級封裝的STSPIN32G4,三個高性能半橋柵極驅(qū)動器(具有可編程特性)、一個STM32G431微控制器,以及生成所需內(nèi)部電源的高級電源管理都結(jié)合在一個封裝中。該器件采用9mm x 9mm VFQFPN封裝。該設(shè)計通過堆疊電源和控制板實現(xiàn)了50mm x 80mm x 60mm的小外形尺寸
2025-10-16 17:31:35578

風(fēng)華高科MFL12KR系列合金電阻:2W功率的超低阻值精密解決方案

特性,為工業(yè)設(shè)備、新能源及便攜電子提供了可靠的電流管理解決方案。核心產(chǎn)品特性:高功率與優(yōu)化封裝全系列采用2512封裝尺寸6.40±0.20mm×3.20±0.20
2025-10-16 14:02:17426

RALEC旺詮高壓貼片電阻選型技巧

在為旺詮RALEC高壓貼片電阻選型時,需從阻值、功率、精度、溫度系數(shù)、封裝尺寸及環(huán)境適應(yīng)性等關(guān)鍵參數(shù)入手,結(jié)合電路需求進(jìn)行綜合匹配。以下是具體選型要點: 1. 阻值匹配 原則:標(biāo)稱阻值與電路所需
2025-10-14 14:52:51323

2 W InGaP HBT 功率放大器 ISM 600–1100 MHz 頻段 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()2 W InGaP HBT 功率放大器 ISM 600–1100 MHz 頻段相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有2 W InGaP HBT 功率放大器 ISM 600–1100
2025-10-13 18:34:19

Bourns推出全新Riedon PF2472系列功率電阻

Bourns 推出全新 Riedon 系列功率電阻。此系列采用緊湊型 TO-247 封裝,具備堅固耐用、高功率電阻特性,能在搭配散熱器時提供高達(dá) 100 W 的輸出功率,并可承受最高 700
2025-09-17 14:37:11678

國巨電阻在電源電路中的 1206 封裝效果

國巨電阻?RC1206FR-0733KRL?在電源電路中采用?1206 封裝?時,其效果可從以下核心參數(shù)和實際應(yīng)用場景綜合評估: 一、1206 封裝特性與電源電路適配性 尺寸功率承載 1206
2025-09-03 14:49:401078

富捷科技電阻覆蓋多元應(yīng)用場景

在電子元件的復(fù)雜生態(tài)中,電阻作為基礎(chǔ)且關(guān)鍵的存在,其性能與品質(zhì)深刻影響著各類電子設(shè)備的運行。富捷科技深耕電阻領(lǐng)域,憑借豐富的產(chǎn)品系列、精準(zhǔn)的性能設(shè)計與成熟的制造工藝,為消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等多元場景,提供著穩(wěn)定可靠的元件支撐。
2025-08-26 09:13:49921

風(fēng)華高科貼片電感型號封裝尺寸

:1812(長4.5±0.20mm,寬3.2±0.20mm1.5±0.20mm) 特點 :適用于高頻電路,具有低直流電阻(1Ω)和高自諧振頻率(≥17MHz)。 2、CMH系列(疊層片式鐵氧體功率電感
2025-08-11 15:13:10980

TLM1211F-121LE大功率貼片功率電感器現(xiàn)貨庫存

下降約 20 % 的電流)溫升電流 Ir:77 A(器件表面溫升約 40 ℃ 的電流)工作溫度范圍:–40 ℃ ~ +125 ℃(含自熱)封裝尺寸:12.0 mm × 6.0 mm × 11.1 mm
2025-08-11 09:20:57

CSD95472Q5MC 20 V 60 A SON 5 x 6 mm DualCool 同步降壓 NexFET? 功率級數(shù)據(jù)手冊

CSD95472Q5MC NexFET? 智能功率級是一高度 優(yōu)化設(shè)計,適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。本產(chǎn)品 集成驅(qū)動IC和功率MOSFET,完成功率級開關(guān)功能。這 組合可在小范圍內(nèi)產(chǎn)生
2025-08-07 10:33:41831

電阻標(biāo)簽的命名規(guī)則

電阻標(biāo)簽的命名規(guī)則圍繞尺寸功率、精度、阻值及包裝等核心參數(shù)展開,采用結(jié)構(gòu)化編碼體系確保信息清晰傳遞。以下是具體規(guī)則解析: 一、尺寸編碼:英制與公制對照 電阻采用英制尺寸標(biāo)注,對應(yīng)公制封裝
2025-07-28 17:24:401014

Bourns擴(kuò)展符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級電流檢測電阻產(chǎn)品線, 提供更高額定功率與更廣泛的電阻范圍

Bourns??寬端子?CRK 系列擴(kuò)展產(chǎn)品在小巧的?1225 封裝中;可提供高達(dá)?3?W功率耗散,滿足當(dāng)今大電流應(yīng)用的需求。 2025年7月 21 日 - Bourns 全球知名電源、保護(hù)
2025-07-22 11:46:0322167

旺詮合金電阻 1206 封裝在電源電路中的應(yīng)用效果

旺詮合金電阻的 1206 封裝(3.2mm×1.6mm)在電源電路中展現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢,尤其適配中大功率場景的電流檢測、電壓分壓及功率調(diào)節(jié)需求,具體效果體現(xiàn)在以下幾個方面:? 1. 高功率承載
2025-07-14 16:31:30835

Bourns 推出具高耐熱性全新電阻系列, 采用緊湊型 TO-227 封裝

領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商,推出全新電阻系列,具備高耐熱特性并采用緊湊型 TO-227 封裝。Bourns? Riedon? PF2270 系列功率電阻采用膜技術(shù)設(shè)計,具備卓越的功率耗散能力與優(yōu)異的脈沖處理性能,搭配散熱片時可承受高達(dá) 300 瓦的功率耗散。其低電感設(shè)計與高功率處理能力,使該系
2025-07-11 17:39:141578

SGK5872-20A 是一功率 GaN-HEMT,其內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻段,可提供最佳功率和線性度。

:SGK5872-20A 是一功率 GaN-HEMT,其內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻段,可提供最佳功率和線性度。 現(xiàn)貨庫存qq:419341947
2025-06-16 16:18:36

MASW-011098型Ka波段高功率單刀雙擲(SPDT)開關(guān)MACOM

PE4259Peregrine0.1-30.42228封裝與引腳定義封裝尺寸:5 mm x 5 mm。引腳數(shù)量:20 引腳。主要引腳功能:RF1 和 RF2:射頻輸入/輸出端口。Bias 1
2025-06-09 08:57:53

RECOM推出15W AC/DC電源模塊RAC15-K/WI

面積僅為 1.5" x 2"(52.5 mm x 40 mm), 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳或可選飛線,可提供 5V 至 54VDC 穩(wěn)壓輸出。超高的效率使其在高于 48VAC 輸入和高達(dá)
2025-05-30 15:27:44946

TPSM53604 36V、4A 降壓電源模塊,采用小型 5.5 x 5 x 4mm 增強(qiáng)型 HotRod? QFN 封裝數(shù)據(jù)手冊

5.5mm x 4mm、15 引腳封裝采用*增強(qiáng)型 HotRod QFN* 技術(shù),可提高熱性能、減小尺寸和降低 EMI。封裝尺寸具有可從周邊訪問的所有引腳和一個大型導(dǎo)熱墊,可實現(xiàn)簡單的布局和制造中的輕松處理。
2025-04-21 09:22:48754

國巨電阻:高精度與低成本的完美融合

電阻領(lǐng)域,國巨通過獨特的技術(shù)工藝,成功實現(xiàn)了高精度與低成本的完美平衡,為電子設(shè)備制造商提供了極具競爭力的解決方案。 一、國巨電阻技術(shù) (一)電阻的基本原理 電阻是通過在陶瓷基板上印刷電阻漿料,并經(jīng)過高溫
2025-04-16 17:05:23600

國巨電阻的標(biāo)識解讀

+封裝尺寸+精度代碼+包裝方式+功率代碼+阻值代碼+附加代碼”?的格式構(gòu)成。例如,RC0603JR-0710KL?的具體含義如下: RC:產(chǎn)品系列,表示電阻(Chip Resistor)。 0603:封裝尺寸,英制0603對應(yīng)公制1.6mm×0.8mm。 J:精度代碼,表示±5%的容差。 R:
2025-04-16 14:41:071361

CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET,單 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技術(shù)手冊

) 低熱阻 雪崩評級 邏輯電平 無鉛端子電鍍 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) 無鹵素 SON 5 mm × 6 mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品特性 ? 低導(dǎo)通電阻 ?:RDS(on)在VGS=10V
2025-04-16 10:45:52677

CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應(yīng)用。 *附件:CSD18543Q3A 60V N 溝道
2025-04-16 10:35:32787

CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共漏 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm數(shù)據(jù)手冊

CSD87313DMS 是一 30V 共漏極、雙 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護(hù)而設(shè)計。這款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源極到源導(dǎo)通電阻,可最大限度地減少損耗,并為空間受限的應(yīng)用提供低元件數(shù)量。
2025-04-16 09:55:06835

CSD22206W -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊

這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,并在超薄外形中具有出色的熱特性。低導(dǎo)通電阻、小尺寸和扁平外形使該器件成為電池供電空間受限應(yīng)用的理想選擇。
2025-04-16 09:32:28634

CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊

這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,并在超扁平中具有出色的熱特性。基板柵格陣列 (LGA) 封裝是一種硅芯片級封裝采用金屬焊盤而不是焊球。
2025-04-16 09:18:13614

20W功率插入式循環(huán)器NOVA Microwave

5.800 GHz等。正向功率:20W。反向功率:20W。駐波比(VSWR):≤1.3。尺寸:8.890 mm×12.065 mm×4.572 mm。應(yīng)用場景通信網(wǎng)絡(luò):適用于高頻通信系統(tǒng)中,實現(xiàn)信號的可靠傳輸
2025-04-16 09:09:55

貼片電阻與薄膜工藝之別

在電子元件領(lǐng)域,貼片電阻憑借其小型化、高精度等優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。其中,工藝與薄膜工藝是制造貼片電阻的兩種主要技術(shù),二者在多個方面存在顯著差異。 從制造工藝來看,電阻一般采用絲網(wǎng)
2025-04-07 15:08:001059

意法半導(dǎo)體推出完整的低壓高功率電機(jī)控制參考設(shè)計

緊湊的大功率電機(jī)控制解決方案,為設(shè)計人員探索創(chuàng)新、開發(fā)應(yīng)用和設(shè)計產(chǎn)品原型提供了一個完整的無縫銜接的開發(fā)平臺。 ? EVLSERVO1的外形緊湊 (50mm x 80mm x 60mm) ,最大輸出功率達(dá)到 3kW ,為伺服電機(jī)控制帶來豐富的功能,適用于工業(yè)自動化、家庭自動化、家電、伺服電驅(qū)、電
2025-04-02 15:24:091591

請問瑞芯微的soc芯片,有沒有尺寸小于10mm*10mm的? 找一尺寸的soc用于視頻處理

請問瑞芯微的soc芯片,有沒有尺寸小于10mm*10mm的? 找一尺寸的soc用于視頻處理
2025-03-28 11:47:44

HMC659LC5功率放大器,采用SMT封裝,DC-15GHz技術(shù)手冊

HMC659LC5是一GaAs MMIC PHEMT分布式功率放大器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的5x5 mm無引腳陶瓷表貼封裝,在DC到15 GHz的頻率范圍內(nèi)工作。該放大器提供19 dB增益、+35 dBm輸出IP3和+27.5 dBm輸出功率(1 dB增益壓縮),功耗為300mA(采用+8V電源)。
2025-03-21 10:26:52835

CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE

功率損耗:50mW。 封裝尺寸 80mm x 53mm x 19mm。 應(yīng)用領(lǐng)域 電動汽車充電站:CAB450M12XM3模塊適用于高功率的快速充電設(shè)備,其高開關(guān)頻率和低損耗特性能夠滿足電動汽車快速充電
2025-03-17 09:59:21

ST25TV02K芯片的尺寸是不是1.6mm X1.8mm

ST25TV02K這款的芯片的尺寸是不是1.6mm X1.8mm
2025-03-13 07:02:22

Power Integrations推出新款LLC開關(guān)IC, 可提供1650W的連續(xù)輸出功率

Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日推出新款HiperLCS?-2芯片組,可實現(xiàn)輸出功率翻倍。新器件采用更高級的半橋開關(guān)技術(shù)和創(chuàng)新封裝可提供高達(dá)1650W的連續(xù)輸出功率,效率超過98%。該產(chǎn)品系列的這一新品主要面向工業(yè)電源以及電動踏板車和戶外電動工具的充電器,其高效率和
2025-03-06 15:32:11729

聲貼片電阻功率降額曲線如何解讀?

聲貼片電阻功率降額曲線是描述在不同環(huán)境溫度下,電阻額定功率變化規(guī)律的重要工具。以下是對該曲線的詳細(xì)解讀: 一、功率降額曲線的定義 功率降額曲線顯示了在不同環(huán)境溫度下,電阻器在工作溫度范圍內(nèi)的最大
2025-02-26 14:23:401110

應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結(jié)

德州儀器(TI)提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵(GaN)功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳(QFN)封裝中實現(xiàn),該封裝尺寸為12mm x 12mm。這種擴(kuò)大的QFN封裝可以從GaN
2025-02-25 10:36:391037

國巨RC0603FR-0710KL貼片電阻:0603封裝高精度通用型介紹

:±1% 額定功率 :100mW(或0.1W封裝類型 :0603(1608公制) 二、技術(shù)特性 電阻類型 :電阻 溫度系數(shù) :±100ppm/°C 額定電壓 :75V 工作溫度范圍 :-55°C
2025-02-21 14:18:151457

Vishay最新推出可滿足嚴(yán)苛要求的高精度60mm感應(yīng)式位置傳感器

科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出一適用于工業(yè)等應(yīng)用于嚴(yán)苛要求的基于感應(yīng)技術(shù)的新型高精度位置傳感器---RAIK060。與基于磁技術(shù)的解決方案
2025-02-07 14:58:28550

利用AgileSwitch Augmented Switching?柵極驅(qū)動器對62 mm SiC功率模塊進(jìn)行表征

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《利用AgileSwitch Augmented Switching?柵極驅(qū)動器對62 mm SiC功率模塊進(jìn)行表征.pdf》資料免費下載
2025-01-21 14:00:570

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