Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1436 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:112875 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
120 、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復損耗的體二極管.驅動方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
`深圳市三佛科技有限公司 供應 ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫存現貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場效應管
2021-03-24 10:35:56
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
描述：
APJ14N65D是CoolFET II MOSFET系列
也就是利用電荷平衡技術
低導通電阻和低柵極電荷性能
APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效果
一般特性
2025-07-15 16:22:02
描述：
APJ14N65F/P/T是CoolFET II MOSFET系列
也就是利用電荷平衡技術，低導通電阻和低柵極電荷性能。
APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效率
一般
2025-07-09 13:35:13
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強。而600V IGBT3主要適用于低功率應用或雜散電感很低的高功率應用。650V IGBT4的設計與技術
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:24
17 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經過完備測試的N溝道功率MOSF
2010-02-05 08:37:092023 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON)
應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52729 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴充N溝道功率MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161310 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:262309 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:401182 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開關損耗優點。
2014-10-09 12:59:191841 
2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:422388 賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件
2016-05-12 14:01:14924 意法半導體推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案，適用于暖通空調系統（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業和企業級電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:011015 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 電源系統中的恒定電流源，固態繼電器，電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:589886 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211914 
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:081783 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 東芝拓展650V超結結構N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發布JH920 東芝拓展新一代超級結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 （“東芝
2022-03-18 17:35:265831 Wolfspeed 新款車規級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設計人員滿足 EV 車載充電機應用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術
2022-11-07 09:59:211907 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D30-40E
2023-02-20 19:14:270 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E
2023-02-20 19:14:442 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D72-30E
2023-02-20 19:57:140 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-40E
2023-02-20 19:58:171 80 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D230-80E
2023-02-20 19:58:350 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D38-30E
2023-02-20 20:01:040 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D22-30E
2023-02-20 20:02:250 80 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D81-80E
2023-02-20 20:03:220 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:400 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:170 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E
2023-02-23 19:05:270 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK9D23-40E
2023-02-23 19:05:410 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D23-40E
2023-02-23 19:05:580 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D25-40E
2023-02-23 19:06:150 20 V、共漏極 N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM650CUNE
2023-02-23 19:09:280 12 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM650VNE
2023-02-27 19:05:590 MPVA12N65FTO-220F650V12A功率MOSFET
2021-11-16 15:08:012 電子發燒友網站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發燒友網站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250 電子發燒友網站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發燒友網站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術，標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創新產品為通信、工業及計算領域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET，不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產品的推出旨在提升電信、工業
2025-03-27 11:49:46945 
新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術，為行業技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031016 
仁懋電子（MOT）推出的MOT5N65C是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、穩定雪崩能力及650V耐壓特性，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-10-29 16:43:51591 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65D是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、穩定雪崩能力及650V耐壓特性，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-10-30 14:53:11280 仁懋電子（MOT）推出的MOT7N65AC是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、高開關速度及穩定雪崩能力，廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED
2025-10-30 15:30:12327 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N65D是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、穩定雪崩能力及650V耐壓特性，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-10-30 15:37:22324 仁懋電子（MOT）推出的MOT8N65MD是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、高開關速度及穩定雪崩能力，廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED
2025-10-30 15:44:09276 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級結技術的N溝道功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數校正（PFC）、開關模式電源（SMPS
2025-10-31 17:28:48199 仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規性，廣泛適用于電子鎮流器、電子變壓器、開關模式電源等領域
2025-11-04 15:59:03238 仁懋電子（MOT）推出的MOT7N65AF是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩定雪崩能力，廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED
2025-11-06 16:15:37292 仁懋電子（MOT）推出的MOT10N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低柵極電荷、快速開關特性及穩定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、UPS等領域
2025-11-07 10:40:08223 仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及650V耐壓，廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED電源等
2025-11-11 09:23:54217 Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26337 
仁懋電子（MOT）推出的MOT12N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、半橋式電子鎮流器、LED
2025-11-12 14:19:35317 仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及TO-220F封裝適配性，適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器
2025-11-17 14:37:39200 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-18 15:32:14203 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-18 15:39:25204 仁懋電子（MOT）推出的MOT20N65HF是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、100%雪崩測試驗證及650V耐壓，適用于高效開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-11-24 14:33:13243 威兆半導體推出的VSU070N65HS3是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-247封裝，適配高壓電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-12 15:36:26246 
威兆半導體推出的VS4N65CD是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓小功率電源管理、開關電路等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-24 13:04:05104 威兆半導體推出的VS7N65AD是一款面向650V高壓小功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓電源開關、小功率DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-29 10:24:08106 
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