當代數據中心正在依靠人工智能（AI）和高性能計算（HPC）環境來應對當今最緊迫的挑戰。但無論是人工智能還是高性能計算，都必須依靠快速、高效并持續地輸入大量數據才能保證它們的高峰運行。

高帶寬內存（HBM）提供超帶寬及可擴展的密度，同時具備低功耗的特點，處于最前沿的是HBM2E——目前世界最快的內存。 為什么HBM2E能做到如此強大呢？因為內存更接近計算。首先，更接近意味著更快速，節約毫米可能聽起來不是很多，但對以納米為尺度計量的數據來說，結果顯著。其次，更接近意味著更高帶寬，它使用高達1024位的超寬多通道I/O來拓展帶寬和容量。再者，更接近意味著更節能，更低的功耗，這得益于內存在物理空間上緊鄰計算單元。

正是由于其功能之強大，技術門檻也相對較高，需要具備深厚的高性能存儲技術儲備和專業團隊。目前國內掌握該項高端技術的企業可以說是鳳毛麟角，中國高端IP和芯片定制領導者——芯動科技則當仁不讓。據悉，芯動自研的HBM3運行速率達6.4Gbps，HBM2E運行速率達3.6Gbps，支持12-high DRAM堆疊，最大支持24GB容量，支持ECC和DBI/DM功能，實現了高性能、高帶寬、低功耗、低延時、小尺寸。

值得一提的是，除了最前沿的HBM3/2E，芯動科技的全系高端DDR存儲接口解決方案均具備國際領先水平，曾被評為“硬核中國芯”2021年度最佳IP產品，還在2021年全球半導體設計大會（DesignCon）上一展風采。

芯動科技在高端DDR方面可以說是一騎絕塵，從DDR5（單DQ達4.8Gbps~5.6Gbps），到LPDDR5/5X（單DQ達6.4Gbps~7.6Gbps）、GDDR6（單DQ達16Gbps）乃至GDDR6X（單DQ達21Gbps）、HBM3.0（單DQ達6.4Gbps），均包含PHY和控制器IP，全面支持JEDEC各標準，做到了一站式覆蓋，這在全球都是絕無僅有的。

該技術還具備高性能、高帶寬、低功耗、低延時、小尺寸、可擴展設計等特征，做到各主流FinFET先進工藝全覆蓋，支持一站式集成和多樣化定制，是全球覆蓋面最廣、業界最頂尖的DDR系列技術，堪稱DDR領域的天花板，已一站式賦能高性能計算、多媒體&汽車電子、IoT物聯網等多個平臺。

　　審核編輯：湯梓紅