2025年9月24日，美光在2025財(cái)年第四季度財(cái)報(bào)電話會議中確認(rèn)，第四代高帶寬內(nèi)存（HBM4）將于2026年第二季度量產(chǎn)出貨，2026年下半年進(jìn)入產(chǎn)能爬坡階段。其送樣客戶的HBM4產(chǎn)品傳輸速率突破11Gbps，帶寬超2.8TB/s，采用12層堆疊架構(gòu)，基礎(chǔ)邏輯裸片由內(nèi)部CMOS工藝制造，單顆容量36GB，功耗較競品低30%，且已通過英偉達(dá)等核心客戶驗(yàn)證。2025財(cái)年第四季度，美光HBM營收近20億美元，年化營收達(dá)80億美元，計(jì)劃2026年將HBM相關(guān)資本開支提升至總投入的35%，用于先進(jìn)封裝產(chǎn)線升級。

?

技術(shù)上，美光突破兩項(xiàng)瓶頸：采用新型MR-MUF封裝工藝，堆疊良率提升至75%以上；通過邏輯裸片優(yōu)化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)11Gbps傳輸速率，滿足英偉達(dá)下一代Hopper2架構(gòu)AI芯片需求。產(chǎn)能布局采取“漸進(jìn)式爬坡”，2026年第二季度首批出貨量占全年計(jì)劃20%，供應(yīng)頭部客戶，第三季度起快速釋放產(chǎn)能，目標(biāo)全年HBM4出貨量占全球市場15%以上。客戶合作方面，美光與英偉達(dá)就2026年HBM3E大部分產(chǎn)能達(dá)成價(jià)格協(xié)議，同時(shí)推進(jìn)HBM4供應(yīng)談判，計(jì)劃數(shù)月內(nèi)完成與AMD、英特爾等簽約，下一代HBM4E產(chǎn)品確定與臺積電合作代工邏輯裸片，2027年量產(chǎn)，形成“標(biāo)準(zhǔn)品搶份額、定制品賺利潤”的產(chǎn)品矩陣。

美光HBM4量產(chǎn)將重構(gòu)HBM競爭格局，當(dāng)前SK海力士以66%市場份額主導(dǎo)，計(jì)劃2025年下半年量產(chǎn)HBM4（單顆容量48GB，帶寬2.0TB/s），三星力爭2025年底量產(chǎn)，美光加入后形成“三足鼎立”，其HBM4帶寬和低功耗優(yōu)勢適配高算力場景，預(yù)計(jì)2026年搶占20%以上市場份額。對AI產(chǎn)業(yè)，HBM4可將數(shù)據(jù)存取延遲降低40%，單集群訓(xùn)練效率提升30%，如谷歌DeepMind稱其能使Gemini Pro模型訓(xùn)練周期從6個(gè)月縮短至4個(gè)月。供應(yīng)鏈上，HBM4量產(chǎn)加劇硅片競爭，HBM3E較傳統(tǒng)DRAM消耗3倍晶圓，HBM4消耗進(jìn)一步增加，信越化學(xué)計(jì)劃2026年將300mm硅片產(chǎn)能提升20%，優(yōu)先供應(yīng)美光等企業(yè)。

不過，美光HBM4量產(chǎn)面臨挑戰(zhàn)。良率方面，SK海力士HBM4良率80%，美光當(dāng)前75%，推高單位成本；晶圓供應(yīng)緊張，HBM4所需高純度硅晶圓依賴日本信越、SUMCO，2026年全球300mm硅片產(chǎn)能增幅僅15%，或制約產(chǎn)能釋放。技術(shù)迭代上，SK海力士啟動16層堆疊HBM4研發(fā)，2027年量產(chǎn)，三星整合晶圓代工與SAINT先進(jìn)封裝技術(shù)，美光HBM4E與臺積電合作存在技術(shù)磨合風(fēng)險(xiǎn)。此外，2025年全球HBM3E產(chǎn)能局部過剩，美光若HBM4產(chǎn)能爬坡過快且AI芯片需求不及預(yù)期，可能庫存積壓，其當(dāng)前庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)82天，較行業(yè)平均高12天。

美光HBM4量產(chǎn)標(biāo)志全球HBM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入“技術(shù)比拼+產(chǎn)能競賽”白熱化階段，HBM成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心戰(zhàn)略資源。對美光而言，這是重返存儲行業(yè)巔峰的關(guān)鍵契機(jī)，對行業(yè)則推動存儲密度與傳輸效率突破。未來兩年，HBM市場競爭焦點(diǎn)集中在良率提升、成本控制與技術(shù)迭代速度，2026年Q2臨近，相關(guān)軍備競賽進(jìn)入沖刺階段。

來源：半導(dǎo)體芯科技

審核編輯 黃宇