2025年9月24日，美光在2025財年第四季度財報電話會議中確認，第四代高帶寬內存（HBM4）將于2026年第二季度量產出貨，2026年下半年進入產能爬坡階段。其送樣客戶的HBM4產品傳輸速率突破11Gbps，帶寬超2.8TB/s，采用12層堆疊架構，基礎邏輯裸片由內部CMOS工藝制造，單顆容量36GB，功耗較競品低30%，且已通過英偉達等核心客戶驗證。2025財年第四季度，美光HBM營收近20億美元，年化營收達80億美元，計劃2026年將HBM相關資本開支提升至總投入的35%，用于先進封裝產線升級。

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技術上，美光突破兩項瓶頸：采用新型MR-MUF封裝工藝，堆疊良率提升至75%以上；通過邏輯裸片優化設計，實現11Gbps傳輸速率，滿足英偉達下一代Hopper2架構AI芯片需求。產能布局采取“漸進式爬坡”，2026年第二季度首批出貨量占全年計劃20%，供應頭部客戶，第三季度起快速釋放產能，目標全年HBM4出貨量占全球市場15%以上。客戶合作方面，美光與英偉達就2026年HBM3E大部分產能達成價格協議，同時推進HBM4供應談判，計劃數月內完成與AMD、英特爾等簽約，下一代HBM4E產品確定與臺積電合作代工邏輯裸片，2027年量產，形成“標準品搶份額、定制品賺利潤”的產品矩陣。

美光HBM4量產將重構HBM競爭格局，當前SK海力士以66%市場份額主導，計劃2025年下半年量產HBM4（單顆容量48GB，帶寬2.0TB/s），三星力爭2025年底量產，美光加入后形成“三足鼎立”，其HBM4帶寬和低功耗優勢適配高算力場景，預計2026年搶占20%以上市場份額。對AI產業，HBM4可將數據存取延遲降低40%，單集群訓練效率提升30%，如谷歌DeepMind稱其能使Gemini Pro模型訓練周期從6個月縮短至4個月。供應鏈上，HBM4量產加劇硅片競爭，HBM3E較傳統DRAM消耗3倍晶圓，HBM4消耗進一步增加，信越化學計劃2026年將300mm硅片產能提升20%，優先供應美光等企業。

不過，美光HBM4量產面臨挑戰。良率方面，SK海力士HBM4良率80%，美光當前75%，推高單位成本；晶圓供應緊張，HBM4所需高純度硅晶圓依賴日本信越、SUMCO，2026年全球300mm硅片產能增幅僅15%，或制約產能釋放。技術迭代上，SK海力士啟動16層堆疊HBM4研發，2027年量產，三星整合晶圓代工與SAINT先進封裝技術，美光HBM4E與臺積電合作存在技術磨合風險。此外，2025年全球HBM3E產能局部過剩，美光若HBM4產能爬坡過快且AI芯片需求不及預期，可能庫存積壓，其當前庫存周轉天數82天，較行業平均高12天。

美光HBM4量產標志全球HBM產業進入“技術比拼+產能競賽”白熱化階段，HBM成為半導體產業核心戰略資源。對美光而言，這是重返存儲行業巔峰的關鍵契機，對行業則推動存儲密度與傳輸效率突破。未來兩年，HBM市場競爭焦點集中在良率提升、成本控制與技術迭代速度，2026年Q2臨近，相關軍備競賽進入沖刺階段。

來源：半導體芯科技

審核編輯 黃宇