電子發燒友網報道（文/黃晶晶）日前，多家服務器廠商表示因AI服務器需求高漲拉高業績增長。隨著AI服務器需求旺盛，以及英偉達GPU的更新換代，勢必帶動HBM供應商的積極產品推進。三星方面HBM3E/HBM4有了新進展，SK海力士的HBM4性能更強。同時，DDR4的陸續減產，更多資源投向了DDR5和HBM。

AI服務器帶動業績增長

戴爾科技發布2026財年第一財季（截至2025年5月2日）業績報告。數據顯示，第一財季戴爾營收達233.8億美元，同比增長5%，non-GAAP下，營業利潤為17億美元，同比增長10%。得益于收入增長和運營支出下降，凈利潤同比增長13%至11億美元。

戴爾第一財季服務器和網絡收入達63億美元，創歷史新高，且市場對AI優化服務器的需求空前高漲。戴爾首席運營官杰夫·克拉克表示：“僅本季度，我們就獲得了121億美元的AI訂單，超過了2025財年全年的出貨量，目前我們還有144億美元的訂單積壓。”

戴爾預估，第二財季AI服務器將出貨約70億美元。相比之下，戴爾過去每季AI服務器出貨約為31億美元。今年2月，戴爾預估全財年AI服務器營收預計約150億美元，與去年度的98億美元相比，大幅成長超50%。

富士康是英偉達AI服務器制造商，得益于AI服務器銷售強勁，第一季度營收同比增長24.2%，創同期歷史新高。預計第二季度將實現顯著同比增長，其中AI服務器業務將呈現兩位數高增長，量產爬坡速度加快。其1-3月凈利潤達421.2億新臺幣（13.9億美元），高于分析師平均預估的378億新臺幣。

英偉達近期表示，今年下半年將轉向Blackwell Ultra芯片，Blackwell Ultra GPU配備12層HBM3e顯存，實現8TB/s內存帶寬。2026年下半年將出貨Vera Rubin。Vera CPU的內存是Grace的4.2倍，內存帶寬是Grace的2.4倍。Rubin GPU由兩個GPU組成一個單芯片，將配備288GB的HBM4。Vera Rubin之后名為Vera Rubin Ultra的芯片，將Vera CPU和Rubin Ultra芯片（Rubin Ultra由四個GPU組成）結合，將于2027年下半年上市。

三星、SK海力士積極備戰HBM

外媒消息稱，目前三星12層HBM3E產品已基本通過英偉達的DRAM單芯片認證，現階段正在進行成品認證程序。三星原本預計6~7月完成認證，但消息稱三星設定的最新目標是在今年7~8月通過英偉達的12層HBM3E品質驗證測試。在一季度財報會議上，三星電子曾表示，下半年將擴大增強型12層堆疊HBM3E產品的銷售。

韓國業界人士指出，若三星2025年無法供應12層HBM3E給英偉達，其2026年的HBM策略將勢必要大幅修正，甚至可能放棄該HBM3E產品，轉而專注第六代HBM（HBM4）。

SK海力士全球首款16層堆疊的HBM3E產品，帶寬達到1.2TB/s。預計將應用于NVIDIA最新的GB300“Blackwell Ultra”AI集群產品。
HBM4進展方面，此前SK海力士向公眾展示了其最新一代HBM4高帶寬內存技術。根據官方介紹，SK海力士HBM4單顆容量最高可達48GB，帶寬高達2.0TB/s，I/O速度達到8.0Gbps。公司計劃在2025年下半年實現HBM4的大規模量產。

而三星已與多家客戶合作，開發基于HBM4和增強型HBM4E的定制版本，計劃于今年下半年實現量產，預計將于2026年開始商業供應。

當前，SK海力士和美光采用1b DRAM制造HBM4，而據韓媒報道，三星直指更先進的1c DRAM。三星計劃在韓國華城和平澤擴大1c DRAM（第六代10nm級）生產，相關投資將在年底前啟動。三星還考慮在今年底前將華城17號生產線從1z DRAM轉為1c DRAM生產，以進一步擴大產能。

三星今年早些時候已在平澤第四園區（P4）啟動首條1c DRAM生產線，目標月產能為3萬片晶圓。若后續擴建順利，月產能有望提升至4萬片。

DDR4減產，轉向DDR5/HBM

三星、美光、SK海力士從去年開始縮減DDR4產能。三星從2025年4月起停止生產1y和1z納米工藝的8GB DDR4產品，最后訂單截止日期為6月。SK海力士在2024年第3季DDR4生產比重已由第2季40%降至30%，第4季計劃進一步降低至20%。而美光也通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊。

隨著DDR4的減產，產能將轉到DDR5、LPDDR5、HBM等產品上。美光在最新財報中表示，公司專注于在現有制造設備中增加HBM產能，以滿足2026年的市場需求。今年4月，美光進行了業務部門重組，新成立了向超大規模云客戶提供內存解決方案、為數據客戶中心客戶提供HBM的云內存業務部。美光稱，此次重組的背景是高性能內存和存儲在推動AI發展方面越來越重要。

HBM的熱度也反映在設備投資上面。據SEMI最新報告，隨著半導體前端及后端制程投資擴大，帶動設備市場增長，2024年全球半導體制造設備投資額達1171億美元，比上年增長10%。半導體前端設備領域，晶圓加工和其他設備投資同比增長分別9%和5%，后端封裝設備和測試設備投資也分別增長25%和20%。后端主要是由于對高帶寬存儲器（HBM）的需求增加，導致對基本工藝設施的投資增加。

集邦咨詢TrendForce預測，受強勁需求推動，2026年HBM總出貨量將突破300億吉比特，HBM4將在2026年下半年超越HBM3e，成為市場主流解決方案。