美光12層堆疊36GB HBM4能效領先業界，實現數據中心和云端AI加速。

隨著數據中心對AI訓練與推理工作負載需求的持續增長，高性能內存的重要性達到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM4內存。這一里程碑再次擴大了美光在AI內存性能和能效方面的領導地位。憑借其成熟的1β（1-beta）DRAM制程、經過驗證的12層先進封裝技術及功能強大的內存內建自測試（MBIST）功能，美光HBM4為開發下一代AI平臺的客戶及合作伙伴提供了無縫集成的解決方案。

重要飛躍

隨著生成式AI應用的不斷增長，高效管理推理能力的重要性與日俱增。美光HBM4內存具備2048位元接口，每個內存堆疊的傳輸速率超過2.0 TB/s，性能較前一代產品提升超60%1。這樣的擴展接口有助于實現高速通信與高吞吐量設計，進而提高大型語言模型和思維鏈推理系統的推理性能。簡而言之，HBM4將使AI加速器響應更迅速、推理更高效。

此外，延續美光前一代HBM3E內存2曾在業界樹立的HBM能效新標桿，HBM4的能效再度提升超20%，展現了美光更進一步的技術突破。這項進展能以最低功耗提供更大吞吐量，從而更大限度地提高數據中心的效率2。

隨著生成式AI應用場景的持續擴展，此顛覆性技術將為社會創造顯著價值。HBM4是加速洞察與創新突破的關鍵推動力，能夠促進醫療保健、金融和交通運輸等不同領域的進步與變革。

美光高級副總裁暨云端存儲事業部總經理Raj Narasimhan表示：“美光HBM4具備卓越的性能、更高的帶寬和業界領先的能效，印證了美光在內存技術和產品方面的領導地位。基于此前HBM3E部署所取得的矚目成就，我們將繼續通過HBM4及強大的AI內存和存儲解決方案組合引領創新。我們的HBM4生產進程與客戶下一代AI平臺的準備進度緊密配合，以確保無縫集成與適時擴大產量，滿足市場需求。”

1基于美光內部HBM4測試結果和已發布的HBM3E內存規格（2.0 TB/s對比1.2 TB/s的帶寬）

2根據美光內部模擬預測，以美光12層堆疊36GB HBM3E內存和類似競爭產品進行的比較

加速智慧革新：

美光在AI革命中的關鍵作用

近五十年來，美光不斷突破內存和存儲創新的邊界。如今，美光持續通過提供廣泛多元的解決方案，將數據轉化為智慧，推動從數據中心到端側設備的突破，進而加速AI發展。憑借HBM4，美光再次鞏固了其作為AI創新領域關鍵推手的地位，并成為客戶應對嚴苛解決方案的可靠合作伙伴。