電子發燒友網報道（文/黃山明）芯片，一直被譽為 人類智慧、工程協作與精密制造的集大成者 ，而制造芯片的重要設備光刻機就是 雕刻這個結晶的 “ 神之手 ”。但僅有光刻機還不夠，還需要光刻膠、掩膜版以及
2025-10-28 08:53:35
6234 ，中國科學院上海光學精密機械研究所高功率激光元件技術與工程部研究團隊在中紅外光譜合束光柵研究方面取得新進展，相關研究成果以“Robust volcano-shaped gold-coated
2025-12-24 06:38:3830 
、5G網絡、衛星通信、激光雷達等領域。近期，蘇州納米所納米加工平臺基于在InP材料外延、器件設計、器件制備等方面的積累在InP基半導體激光器領域取得了重要進展。 進展1：低閾值高功率單模激光器 DFB激光器因其窄線寬、高邊模抑制比和低相位噪聲優勢已成為光纖
2025-12-23 06:50:0529 
從協議到實踐——EtherNet/IP與NetStaX的最新進展
2025-12-19 15:26:55990 
2025年半導體芯片技術多領域創新突破，應用前景無限 概述 近期，半導體芯片技術在硬件與軟件優化、量子計算、設計工具、汽車與消費電子應用等多個關鍵領域取得顯著進展。臺積電等領軍企業技術突破，以及AI
2025-12-17 11:18:42887 收購湖北三峽實驗室重大科技成果“光刻膠用光引發劑制備專有技術及實驗設備所有權”，標志著我國在這一關鍵材料領域實現突破性進展。 ? “這不僅是一項技術成果的市場轉化，更是我國半導體產業鏈自主可控進程中的重要突破?！睒I內專家
2025-12-17 09:16:275950 在半導體制造過程中，晶圓去膠工藝之后確實需要進行清洗和干燥步驟。以下是具體介紹：一、清洗的必要性去除殘留物光刻膠碎片：盡管去膠工藝旨在完全去除光刻膠，但在實際操作中，可能會有一些微小的光刻膠顆粒殘留
2025-12-16 11:22:10110 
在Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2025) 上，Soitec 的寬禁帶半導體產品設計經理 Eric Guiot 代表 Soitec 分享了我們在碳化硅（SiC）技術方面的最新進展。
2025-12-13 15:50:181689 11月26日，立訊精密在最新的投資者關系活動記錄中披露了在人形機器人領域的最新進展。
2025-12-03 14:50:35817 在芯片制造這場微觀世界的雕刻盛宴中，光刻膠（PR）如同一位技藝精湛的工匠手中的隱形畫筆，在硅片這片“晶圓畫布”上勾勒出億萬個晶體管組成的復雜電路。然而，這支“畫筆”卻成了中國芯片產業最難突破的瓶頸之一：
2025-11-29 09:31:004623 
晶圓邊緣曝光（WEE）作為半導體制造關鍵精密工藝，核心是通過光刻膠光化學反應去除晶圓邊緣多余膠層，從源頭減少污染、提升產品良率。文章聚焦其四階段工作流程、核心參數要求及光機電協同等技術難點。友思特
2025-11-27 23:40:39243 
Labs（芯科科技）亞太區業務副總裁王祿銘、中國大陸區總經理周巍及臺灣區總經理寶陸格就公司技術路線、產品策略及市場趨勢回答了媒體提問。三位高管圍繞安全認證、無線連接、邊緣計算等議題，介紹了公司在物聯網領域的最新進展。
2025-11-13 10:48:13946 如有雷同或是不當之處，還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習！ 在半導體行業，光刻（Photo）工藝技術就像一位技藝高超的藝術家，負責將復雜的電路圖案從掩模轉印到光滑的半導體晶圓上。作為制造過
2025-11-10 09:27:481749 
電子發燒友網報道（文/李彎彎）2025年10月27日，VESA（視頻電子標準協會）在深圳益田威斯汀酒店舉辦新聞發布會，詳細介紹了DisplayPort汽車擴展標準（DP AE）的最新進展，同時分享了
2025-11-08 10:43:0110205 
近日，上揚軟件與其長期合作伙伴新進半導體再度達成深度合作共識，將為其在宜興建設的全新6英寸產線提供CIM解決方案，涵蓋MES（制造執行系統）、EAP（設備自動化程序）、RMS（配方管理系統）等核心
2025-11-07 13:47:17576 科技，涵蓋 光通信、光學、半導體、激光、量子、紅外及傳感 等領域。本屆展會將匯聚全球領先企業與創新力量，通過技術展覽、商貿對接、高端論壇等多元場景，深度呈現光電技術在半導體、量子技術、先進制造、生物醫療、消費電子等關鍵領域的創新成果與應用前景
2025-11-07 10:42:44422 
電子發燒友網綜合報道 近日，我國半導體材料領域迎來重大突破。北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術，首次在原位狀態下解析了光刻膠分子在液相環境中的微觀三維結構、界面
2025-10-27 09:13:046178 
近日，深圳穩頂聚芯技術有限公司（簡稱“穩頂聚芯”）宣布，其自主研發的首臺國產高精度步進式光刻機已成功出廠，標志著我國在半導體核心裝備領域取得新進展。 此次穩頂聚芯出廠的步進式光刻機屬于WS180i
2025-10-10 17:36:33929 意法半導體（簡稱ST）公布了其位于法國圖爾的試點生產線開發下一代面板級包裝（PLP）技術的最新進展。該生產線預計將于2026年第三季度投入運營。
2025-10-10 09:39:42608 清洗策略半導體制造過程中產生的污染物可分為四類：顆粒物（灰塵/碎屑）、有機殘留（光刻膠/油污）、金屬離子污染、氧化層。針對不同類型需采用差異化的解決方案：顆粒物清除
2025-10-09 13:40:46705 
半導體腐蝕清洗機是集成電路制造過程中不可或缺的關鍵設備，其作用貫穿晶圓加工的多個核心環節，具體體現在以下幾個方面：一、精準去除表面污染物與殘留物在半導體工藝中，光刻、刻蝕、離子注入等步驟會留下多種
2025-09-25 13:56:46497 
摩矽半導體：專耕半導體行業20年，推動半導體國產化進展！
2025-09-24 09:52:052102 
、金屬屑），優先選擇物理作用強的超聲波或兆聲波模塊；針對有機殘留（光刻膠、樹脂）、油污等，則需化學溶解能力強的噴淋系統配合溶劑（如丙酮、NMP）。對于金屬離子污染，
2025-09-22 11:04:05463 
圖1 肘形圖形為目標圖形，不同方法得到的全息掩模分布、空間像與光刻膠輪廓 近日，中國科學院上海光學精密機械研究所高端光電裝備部李思坤研究員團隊在全息光刻研究方面取得進展。相關成果以
2025-09-19 09:19:56443 
光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟，其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結構。以下是該工藝的主要類型及實施要點：濕法剝離技術有機溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
%。至少將GAA納米片提升幾個工藝節點。
2、晶背供電技術
3、EUV光刻機與其他競爭技術
光刻技術是制造3nm、5nm等工藝節點的高端半導體芯片的關鍵技術。是將設計好的芯片版圖圖形轉移到硅晶圓上的一種精細
2025-09-15 14:50:58
近日，來自中國的晶眾光電科技有限公司（以下簡稱“晶眾”）自主研發的InAs/GaSb II型超晶格SESAM技術，在國際頂尖光學期刊《Optics Letters》上再次獲得關注，這一成就標志著中國在高端光電技術領域取得了重要突破。
2025-09-11 15:06:30913 提高光刻膠殘留清洗效率需要結合工藝優化、設備升級和材料創新等多方面策略，以下是具體方法及技術要點：1.工藝參數精準控制動態調整化學配方根據殘留類型（正膠/負膠、厚膜/薄膜）實時匹配最佳溶劑組合。例如
2025-09-09 11:29:06627 
電子發燒友網綜合報道 ?三安半導體在近期發布的中報里公開了不少關于碳化硅業務的新進展，包括器件產品、客戶導入、產能等信息。 ? 在產能方面，湖南三安在職員工1560人，已經擁有6英寸碳化硅配套產能
2025-09-09 07:31:001630 引言 晶圓光刻圖形是半導體制造中通過光刻工藝形成的微米至納米級三維結構（如光刻膠線條、接觸孔、柵極圖形等），其線寬、高度、邊緣粗糙度等參數直接決定后續蝕刻、沉積工藝的精度，進而影響器件性能。傳統
2025-09-03 09:25:20648 
在芯片制造領域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環節，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點，為光刻膠厚度監測提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461542 
這一突破的核心力量。 ? 然而，EUV光刻的廣泛應用并非坦途，其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷，這對配套的光刻膠材料提出了前所未有的嚴苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能力，還要在反應機制的穩定性、缺陷控制的精準度等方面實
2025-08-17 00:03:004219 電子束光刻（EBL）是一種無需掩模的直接寫入式光刻技術，其工作原理是通過聚焦電子束在電子敏感光刻膠表面進行納米級圖案直寫。
2025-08-14 10:07:212552 
當您尋找可靠的國產半導體材料供應商時，一家在光刻膠領域實現全產業鏈突破的企業正脫穎而出——久日新材（688199.SH）。這家光引發劑巨頭，正以令人矚目的速度在半導體核心材料國產化浪潮中嶄露頭角
2025-08-12 16:45:381160 半導體濕法去膠是一種通過化學溶解與物理輔助相結合的技術，用于高效、可控地去除晶圓表面的光刻膠及其他工藝殘留物。以下是其核心原理及關鍵機制的詳細說明：化學溶解作用溶劑選擇與反應機制有機溶劑體系：針對正性光刻膠
2025-08-12 11:02:511505 
? 電子發燒友網綜合報道 近日，八億時空宣布其KrF光刻膠萬噸級半導體制程高自動化研發/量產雙產線順利建成，標志著我國在中高端光刻膠領域的自主化進程邁出關鍵一步。 ? 此次建成的KrF光刻膠產線采用
2025-08-10 03:26:009090 圖1 實驗原理示意圖 近期，中國科學院上海光學精密機械研究所超強激光科學與技術全國重點實驗室賓建輝研究員團隊在激光驅動離子加速方面取得新進展。相關研究成果分別以“Enhanced proton
2025-08-06 09:36:46517 
光刻工藝是芯片制造的關鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結構和層間對準精度的控制要求達納米級，傳統檢測手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43944 
浸泡的方式，用去離子水（DIWater）或其他溶劑清除晶圓表面的殘留物（如光刻膠碎片、蝕刻劑副產物、顆粒污染物等）。主要作用：確保前一道工序后的有害物質被徹底去除
2025-08-04 14:53:231078 
于：光刻工藝后清洗：去除光刻膠殘留及顯影液副產物。刻蝕后清潔：清除蝕刻副產物及側壁顆粒。先進封裝：TSV（硅通孔）、Bumping（凸點）等3D結構的窄縫污染物清除。
2025-07-23 15:06:54
晶圓蝕刻后的清洗是半導體制造中的關鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產物、污染物等），同時避免對晶圓表面或結構造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠
2025-07-15 14:59:011621 
圖1 激光燒蝕曲面元件示意圖 近期，中國科學院上海光學精密機械研究所高功率激光元件技術與工程部魏朝陽研究員團隊，在激光燒蝕曲面元件理論研究中取得新進展。研究首次闡明激光燒蝕過程中曲面元件對形貌
2025-07-15 09:58:24462 
污染物。 方法：濕法化學清洗（如SC-1溶液）或超聲波清洗。 硅片拋光后清洗 目的：清除拋光液殘留（如氧化層、納米顆粒），避免影響后續光刻精度。 方法：DHF（氫氟酸）腐蝕+去離子水沖洗。 2. 光刻工序 光刻膠涂覆前清洗 目的：去除硅
2025-07-14 14:10:021016 厚膠量產到ArF浸沒式膠驗證，從樹脂國產化到EUV原料突破，一場靜默卻浩蕩的技術突圍戰已進入深水區。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過中芯國際28nm產線驗證，開創了國內半導體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083 光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是一種關鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射下，溶解度會發生變化，主要應用于顯示面板、集成電路和半導體分立器件等細微圖形加工作業。由于
2025-07-11 15:53:24430 
上半年，東風汽車堅定高質量發展步伐，整體銷量逐月回升，經營質量持續改善，自主品牌和新能源滲透率和收益性進一步提升，半年累計終端銷售汽車111.6萬輛，轉型突破取得新進展。
2025-07-10 15:29:16810 一、涂膠顯影設備：光刻工藝的“幕后守護者” 在半導體制造的光刻環節里，涂膠顯影設備與光刻機需協同作業，共同實現精密的光刻工藝。曝光工序前，涂膠機會在晶圓表面均勻涂覆光刻膠；曝光完成后，顯影設備則對晶
2025-07-03 09:14:54770 
引言 在半導體制造與微納加工領域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方法，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中
2025-06-30 15:24:55739 
引言 在半導體制造與微納加工領域，光刻圖形的垂直度對器件的電學性能、集成密度以及可靠性有著重要影響。精準控制光刻圖形垂直度是保障先進制程工藝精度的關鍵。本文將系統介紹改善光刻圖形垂直度的方法，并
2025-06-30 09:59:13489 、蝕刻、薄膜沉積等工序，每個環節均需準確溫控。以下以典型場景為例，闡述半導體直冷機Chiller的技術需求與解決方案：1、光刻工藝中的溫度穩定性保障光刻膠涂布與曝
2025-06-26 15:39:09820 
引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關鍵環節，其效果直接影響芯片性能與良率。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48815 引言 在半導體及微納制造領域，光刻膠剝離工藝對金屬結構的保護至關重要。傳統剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝質量的關鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565 引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關鍵環節。銅布線在制程中廣泛應用，但傳統光刻膠剝離液易對銅產生腐蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精準測量對確保 ARRAY 制程工藝精度
2025-06-18 09:56:08693 半導體藥液單元（Chemical Delivery Unit, CDU）是半導體前道工藝（FEOL）中的關鍵設備，用于精準分配、混合和回收高純化學試劑（如蝕刻液、清洗液、顯影液等），覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08
一、產品概述全自動Mask掩膜板清洗機是半導體光刻工藝中用于清潔光罩（Reticle/Mask）表面的核心設備，主要去除光刻膠殘留、顆粒污染、金屬有機物沉積及蝕刻副產物。其技術覆蓋濕法化學清洗、兆
2025-06-17 11:06:03
引言 在半導體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現出色，但因其高含量使用帶來的成本、環保等問題備受關注。同時，光刻圖形的精準
2025-06-17 10:01:01678 近日，瑞豐光電受邀亮相DVN（東京）國際汽車照明研討會。本次研討會，瑞豐光電在現場展示了多項前沿技術并發表主題演講，詳細介紹了在車載光學領域的技術應用實踐，以及在車內外顯示交互的最新進展。
2025-06-16 17:17:42957 通過使用光掩膜和光刻膠在基板上復制流體圖案的過程?；鍖⑼扛补瓒趸瘜咏^緣層和光刻膠。光刻膠在被紫外光照射后可以容易地用顯影劑溶解，然后在腐蝕后，流體圖案將留在基板上。無塵室(Cleanroom)排除掉空間范圍內空氣中的微
2025-06-16 14:36:251070 引言 在半導體制造與微納加工領域，光刻膠剝離是重要工序。傳統剝離液常對金屬層產生過度刻蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量也是確保制造質量的關鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應用，并
2025-06-16 09:31:51586 ? ? 引言 ? 在半導體制造領域，光刻膠剝離工藝是關鍵環節，但其可能對器件性能產生負面影響。同時，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質量至關重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736 一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導體制造的核心技術，通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發生化學變化，再經過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設計在掩膜上的圖形轉移到襯底上，是現代半導體、微電子、信息產業
2025-06-09 15:51:162127 如果說最終制造出來的芯片是一道美食，那么光刻膠就是最初的重要原材料之一，而且是那種看起來可能不起眼，但卻能決定一道菜味道的關鍵輔料。 光刻膠（photoresist），在業內又被稱為光阻或光阻劑
2025-06-04 13:22:51992 引言 在半導體制造與微納加工領域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環節的核心材料，其性能優劣直接影響光刻膠去除效果與基片質量。同時，精準測量光刻圖形對把控工藝質量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術保障
2025-05-29 09:38:531108 
優勢，為光刻圖形測量提供了可靠手段。 ? Micro OLED 陽極像素定義層制備方法 ? 傳統光刻工藝 ? 傳統 Micro OLED 陽極像素定義層制備常采用光刻剝離工藝。首先在基板上沉積金屬層作為陽極材料，接著旋涂光刻膠，通過掩模版曝光使光刻膠發生光化學反應，隨后
2025-05-23 09:39:17628 圖1.拼接曝光加工系統 衍射光柵廣泛應用于精密測量、激光脈沖壓縮、光譜分析等領域。干涉光刻作為一種無掩膜曝光光刻方法，在衍射光柵加工制造方面具有高效率、高靈活度的優勢。但干涉光刻加工的光柵尺寸在
2025-05-22 09:30:59570 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）FMCW激光雷達有了新進展。近日FMCW激光雷達廠商Aeva宣布，通過與SICK?AG和LMI等工業自動化領域領導者合作，其應用于工業自動化的高精度傳感器Eve?1系列
2025-05-18 00:02:005783 近日，在2025英特爾代工大會上，英特爾展示了多代核心制程和先進封裝技術的最新進展，這些突破不僅體現了英特爾在技術開發領域的持續創新，也面向客戶需求提供了更高效、更靈活的解決方案。 在制程技術方面
2025-05-09 11:42:16626 
光刻圖形轉化軟件可以將gds格式或者gerber格式等半導體通用格式的圖紙轉換成如bmp或者tiff格式進行掩模版加工制造，在掩膜加工領域或者無掩膜光刻領域不可或缺，在業內也被稱為矢量圖形光柵化軟件
2025-05-02 12:42:10
近日，我們在武漢舉辦了Create2025百度AI開發者大會，與全球各地的5000多名開發者，分享了百度在AI領域的新進展。
2025-04-30 10:14:101219 光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337829 
及應用的詳細介紹： 一、技術原理 化學反應機制 氨水（NH?OH）：提供堿性環境，腐蝕硅片表面的自然氧化層（SiO?），使附著的顆粒脫離晶圓表面。 過氧化氫（H?O?）：作為強氧化劑，分解有機物（如光刻膠殘留）并氧化硅片表面，形成新的親水性
2025-04-28 17:22:334238 刻蝕工藝的核心機理與重要性 刻蝕工藝是半導體圖案化過程中的關鍵環節，與光刻機和薄膜沉積設備并稱為半導體制造的三大核心設備。刻蝕的主要作用是將光刻膠上的圖形轉移到功能膜層，具體而言，是通過物理及化學
2025-04-27 10:42:452200 
納微半導體宣布將在5月6-8日參加于德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術在AI數據中心、電動汽車、電機馬達和工業領域的應用新進展。
2025-04-27 09:31:571008 高精度超表面逆向設計方法及透射/反射雙功能的寬頻段聚焦渦旋光產生器示意圖 近日，中國科學院西安光機所超快光科學與技術全國重點實驗室在太赫茲頻段超表面逆向設計領域取得新進展，相關研究成果以《High
2025-04-22 06:12:21676 
——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜，再到測試封裝，一目了然。 全書共分20章，根據應用于半導體制造的主要技術分類來安排章節，包括與半導體制造相關的基礎技術信息；總體流程圖
2025-04-15 13:52:11
體驗的 Live API 的最新進展，以及正式面向開發者開放的高質量視頻生成工具 Veo 2。近期，我們面向在 Google AI Studio 中使用 Gemini API 的開發者推出了許多不容錯過的重要更新，一起來看看吧。
2025-04-12 16:10:431534 近日，華為公司常務董事、華為云計算CEO張平安在華為云生態大會2025上公布了AI基礎設施架構突破性新進展——推出基于新型高速總線架構的CloudMatrix 384超節點集群，并宣布已在蕪湖數據中心規模上線。
2025-04-12 15:09:031836 數據中介的示意圖。
光刻膠
正性光刻膠中感光部分的光刻膠可以被腐蝕溶解掉，未感光部分的光刻膠不能被腐蝕溶解；復姓光刻膠的感光部分的光刻膠不能被腐蝕溶解，未感光部分的光刻膠可以被腐蝕溶解掉。如下圖所示
2025-04-02 15:59:44
在智能電動汽車的時代浪潮中，每一次技術的突破都可能重塑未來的出行方式。2025年3月27日，備受矚目的中國智能電動汽車科技與供應鏈展覽會（CIES）于重慶國際博覽中心盛大開幕。在為期3天的展會中，東芝半導體攜豐富的車載相關產品及解決方案亮相會場，展示了公司在車載領域的尖端技術與最新進展。
2025-03-28 09:10:201985 
，三合一工藝平臺，CMOS圖像傳感器工藝平臺，微電機系統工藝平臺。 光掩模版:基板，不透光材料 光刻膠:感光樹脂，增感劑，溶劑。 正性和負性。 光刻工藝: 涂光刻膠。掩模版向下曝光。定影和后烘固化蝕刻
2025-03-27 16:38:20
微流控芯片制造過程中，勻膠是關鍵步驟之一，而勻膠機轉速會在多個方面對微流控芯片的精度產生影響： 對光刻膠厚度的影響 勻膠機轉速與光刻膠厚度成反比關系。旋轉速度影響勻膠時的離心力，轉速越大，角速度越大
2025-03-24 14:57:16750 體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導體材料在表面加工時，若采用適當的有選擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類
2025-03-18 13:59:533005 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發總監馬歡應半導體在線邀請，分享了關于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業的廣泛關注。隨著全球半導體領域對高性能、高效率器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術逐漸成為新一代電子器件的熱點，其優越的性能使其在電源轉換和射頻應用中展現出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261526 北京市最值得去的十家半導體芯片公司
原創 芯片失效分析 半導體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國半導體產業的重要基地，聚集了眾多在芯片設計、制造、設備及新興技術領域具有
2025-03-05 19:37:43
近日，華大半導體與湖南大學在上海舉辦SiC功率半導體技術研討會，共同探討SiC功率半導體在設計、制造、材料等領域的最新進展及挑戰。
2025-02-28 17:33:531172 用的有機溶劑包括以下幾種： 丙酮 性質與特點：丙酮是一種無色、具有特殊氣味的液體，它具有良好的溶解性，能溶解多種有機物，如油脂、樹脂等。在半導體清洗中，可有效去除晶圓表面的有機污染物，對于去除光刻膠等有機材料也有較好的
2025-02-24 17:19:571828 汽車結構件焊接技術的最新進展、應用現狀以及未來發展趨勢三個方面進行探討。
### 汽車結構件焊接技術的最新進展
近年來，隨著輕量化設計要求的提高，高強度鋼、鋁合金
2025-02-20 08:45:27844 過去兩年中，氮化鎵雖然發展迅速，但似乎已經遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創企業倒閉或者賣盤，這引發大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發展進行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發的最新進展以及相關的可靠性挑戰。
2025-02-17 14:27:362014 
電子發燒友網綜合報道 最近氧化鎵領域又有了新的進展。今年1月，鎵仁半導體宣布基于自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實現4英寸氧化鎵單晶的導電型摻雜。本次
2025-02-17 09:13:241340 圖1 多物理場耦合模型示意圖 近期，中國科學院上海光學精密機械研究所高功率激光元件技術與工程部研究團隊在在激光燒蝕波紋的調制機理研究中取得新進展。研究揭示了激光燒蝕波紋對光學元件損傷閾值的影響。相關
2025-02-14 06:22:37677 
半導體設備光刻機防震基座的安裝涉及多個關鍵步驟和考慮因素，以確保光刻機的穩定運行和產品質量。首先，選擇合適的防震基座需要考慮適應工作環境。由于半導體設備通常在潔凈的環境下運行，因此選擇的搬運工具如
2025-02-05 16:48:451240 
機和光刻膠： ? 光掩膜：如同芯片的藍圖，上面印有每一層結構的圖案。 ? ? ?光刻機：像一把精確的畫筆，能夠引導光線在光刻膠上刻畫出圖案。 ? 光刻膠：一種特殊的感光材料，通過光刻過程在光刻膠上形成圖案，進而構建出三維結構。
2025-01-28 16:36:003591 
隨著汽車照明技術的快速發展，新型光電子半導體器件不斷涌現，為汽車行業帶來革新。為保證駕駛安全，AEC Q102標準作為國際公認的規范，為車載光電子半導體器件的質量和可靠性設立了嚴格的要求，對推動整個汽車行業的發展具有重要意義。
2025-01-16 09:22:52973 
供應商保持著長期合作關系。近日，Qorvo資深產品行銷經理陳慶鴻（Footmark Chen）與Qorvo亞太區無線連接事業部高級行銷經理林健富（Jeff Lin）接受了DigiTimes的專訪，深入探討了Qorvo在手機RF和Wi-Fi 7技術上的最新進展及市場策略，以下是根據此次專訪整理的報告。
2025-01-15 14:45:531187 上期介紹了TGV技術的國內外發展現狀，今天小編繼續為大家介紹TGV關鍵技術新進展。TGV工藝流程中，成孔技術，填充工藝為兩大核心難度較高。? 成孔技術 TGV成孔技術需兼顧成本、速度及質量要求，制約
2025-01-09 15:11:432809 
用先進材料項目等。 恒坤新材成立于2004年12月，是中國境內少數具備12英寸集成電路晶圓制造關鍵材料研發和量產能力的創新企業之一。據其股東廈門市產業投資基金披露，恒坤新材是國內12英寸晶圓制造先進制程上出貨量最大的光刻膠企業。 根據弗若斯特沙利文市
2025-01-07 17:38:55843 一、烘膠技術在微流控中的作用 提高光刻膠穩定性 在 微流控芯片 制作過程中，光刻膠經過顯影后，進行烘膠（堅膜）能使光刻膠結構更穩定。例如在后續進行干法刻蝕、濕法刻蝕或者LIGA等工藝時，烘膠可以讓
2025-01-07 15:18:06824 泊蘇 Type C 系列防震基座在半導體光刻加工電子束光刻設備的應用案例-江蘇泊蘇系統集成有限公司一、企業背景與光刻加工電子束光刻設備挑戰某大型半導體制造企業專注于高端芯片的研發與生產
2025-01-07 15:13:21
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