近日，華大半導體與湖南大學在上海舉辦SiC功率半導體技術研討會，共同探討SiC功率半導體在設計、制造、材料等領域的最新進展及挑戰。

會上，湖南大學電氣與信息工程學院王俊教授詳細介紹了SiC功率半導體芯片設計與應用領域的熱點問題及團隊所取得的最新研究成果，翟東媛副教授圍繞缺陷測試方面的前沿趨勢和團隊已有的研究基礎，進行系統而深入的闡述。

公司4位技術專家也帶來精彩的分享，結合行業專業會議ICSCRM的熱點議題，就企業SiC MOSFET工藝、電動汽車用SiC MOSFET及SiC材料領域的最新進展和挑戰等話題進行深入剖析。

本次會議為公司與湖南大學搭建了一個高效的交流協作平臺，雙方開展熱烈討論與交流，氣氛活躍、互動頻繁，取得良好效果。