在Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2025) 上，Soitec 的寬禁帶半導體產品設計經理 Eric Guiot 代表 Soitec 分享了我們在碳化硅（SiC）技術方面的最新進展。

隨著可再生能源基礎設施的迅速發展，寬禁帶半導體正成為推動能源轉型的關鍵技術。APCSCRM作為亞太地區的重要行業與學術交流平臺，為芯片制造商、產業領導者和研究專家提供了寶貴的合作與洞察機會。

在此次大會上，Eric Guiot 進行了技術分享，分享的主題為《SmartSiC 工程化襯底：解決 SiC 功率器件雙極退化的可靠方案》。這一創新技術展示了 Soitec 如何通過SmartSiC 工程化材料，助力行業突破性能瓶頸，推動下一代高效、可靠的 SiC 功率器件發展。

Soitec 將持續以創新材料推動功率電子的未來，與全球生態系統共同構建更可持續的能源基礎設施。