引言

在半導體制造與微納加工領域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環節的核心材料，其性能優劣直接影響光刻膠去除效果與基片質量。同時，精準測量光刻圖形對把控工藝質量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術保障。

光刻膠剝離液及其制備方法

常見光刻膠剝離液類型

有機溶劑型剝離液

有機溶劑型剝離液以丙酮、N - 甲基吡咯烷酮（NMP）等有機溶劑為主體成分。丙酮對普通光刻膠的溶解能力強，能夠快速滲透光刻膠內部，破壞其分子間作用力，使其溶解剝離 。NMP 則對多種光刻膠樹脂具有良好的溶解性，且沸點較高，揮發性較低，在剝離過程中能保持穩定的性能。此類剝離液的優勢在于剝離效率高、對基片損傷小，但有機溶劑多具有揮發性和毒性，使用過程中需做好防護，且易造成環境污染。

堿性剝離液

堿性剝離液通常以氫氧化鉀、氫氧化鈉等強堿為主要成分。其作用原理是通過與光刻膠中的酸性基團發生中和反應，破壞光刻膠的分子結構，使其從基片上脫落。為改善剝離效果，常添加表面活性劑、絡合劑等助劑。表面活性劑可降低溶液表面張力，增強堿性溶液對光刻膠的浸潤性；絡合劑能與金屬離子結合，防止其在基片表面殘留，避免對基片造成腐蝕。堿性剝離液適用于多種光刻膠，且成本相對較低，但對某些金屬基片可能存在腐蝕性。

光刻膠剝離液制備要點

在制備光刻膠剝離液時，需精準控制各成分比例。對于有機溶劑型剝離液，要根據光刻膠種類和性質，合理調配不同有機溶劑的混合比例，以達到最佳溶解效果。例如，在去除含特殊樹脂成分的光刻膠時，可將 NMP 與少量其他極性溶劑混合，增強對光刻膠的溶解能力。制備堿性剝離液時，需嚴格控制堿的濃度，濃度過高可能腐蝕基片，過低則影響剝離效率；同時，助劑的添加量也需精確把控，以保證剝離液性能穩定。此外，制備過程中應采用適當的攪拌方式和時間，確保各成分充分混合均勻，提高剝離液的一致性和穩定性。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用

測量原理

白光干涉儀基于光的干涉原理，將白光光源發出的光經分光鏡分為兩束，一束照射待測光刻圖形表面反射回來，另一束作為參考光，兩束光相遇產生干涉條紋。由于光刻圖形不同位置高度存在差異，導致反射光光程差不同，干涉條紋的形狀、間距和強度也隨之變化。通過分析干涉條紋特征，結合光程差與表面高度的對應關系，能夠精確獲取光刻圖形的高度、深度、線寬等參數。

測量優勢

白光干涉儀具備高精度、非接觸式測量特性，測量精度可達納米級，能夠準確捕捉光刻圖形細微的尺寸變化。非接觸測量避免了對脆弱光刻圖形的物理損傷，保證樣品完整性。同時，測量速度快，可實現實時在線檢測，并通過專業軟件對測量數據進行可視化處理，直觀呈現光刻圖形形貌，為工藝優化和質量控制提供有力支持。

實際應用

在光刻膠剝離前后，白光干涉儀均發揮重要作用。剝離前，可測量光刻膠厚度、光刻圖形初始形貌，評估光刻工藝質量；剝離過程中，實時監測光刻膠去除情況，判斷剝離進程；剝離完成后，精確測量殘留光刻膠厚度、基片表面粗糙度以及光刻圖形最終尺寸，為后續工藝提供數據依據，確保產品符合設計要求 。

一款可以“實時”動態/靜態 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統白光干涉操作復雜的問題，實現一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實現卓越的重復性表現。

2)系統集成CST連續掃描技術，Z向測量范圍高達100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復雜形貌測量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測振系統，實現實現“動態”3D輪廓測量。

實際案例

（以上為新啟航實測樣品數據結果）

1，優于1nm分辨率，輕松測量硅片表面粗糙度測量，Ra=0.7nm

（以上為新啟航實測樣品數據結果）

2，毫米級視野，實現5nm-有機油膜厚度掃描

（以上為新啟航實測樣品數據結果）

3，卓越的“高深寬比”測量能力，實現深蝕刻槽深槽寬測量。

審核編輯 黃宇