引言

在半導體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現出色，但因其高含量使用帶來的成本、環保等問題備受關注。同時，光刻圖形的精準測量對工藝優化和產品質量控制至關重要。本文將探討低含量 NMF 光刻膠剝離液及其制備方法，并介紹白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用。

低含量 NMF 光刻膠剝離液及制備方法

配方組成

低含量 NMF 光刻膠剝離液主要由低濃度 NMF、助溶劑、堿性物質、緩蝕劑和添加劑組成。助溶劑（如乙二醇單丁醚）可協同 NMF 增強對光刻膠的溶解能力，降低 NMF 使用量；堿性物質（如氫氧化鉀）加速光刻膠分解；緩蝕劑（如有機膦酸鹽）保護金屬層免受腐蝕；添加劑（如消泡劑）改善剝離液使用性能 。

制備流程

首先，在反應容器中加入定量的助溶劑，在攪拌條件下緩慢加入 NMF，使其充分混合。接著，依次加入堿性物質、緩蝕劑和添加劑，持續攪拌 30 - 60 分鐘，確保各成分均勻分散，形成穩定的低含量 NMF 光刻膠剝離液。制備過程需嚴格控制溫度在 20 - 30℃，避免成分因高溫發生化學反應影響性能。

低含量 NMF 光刻膠剝離液的應用

在集成電路制造中，低含量 NMF 光刻膠剝離液可有效去除光刻膠，同時降低對金屬布線和半導體襯底的損傷。例如在先進的 7nm 制程芯片制造中，該剝離液能精準剝離光刻膠，減少對銅互連結構的腐蝕，保障芯片的電學性能和良率。在平板顯示制造領域，用于去除玻璃基板上的光刻膠時，低含量 NMF 剝離液憑借良好的溶解性能和低腐蝕性，可避免對基板表面造成劃痕和化學損傷，提升顯示面板的質量和生產效率。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用

測量原理

白光干涉儀基于白光干涉效應，通過分析參考光束與樣品表面反射光束之間的光程差，將光強分布轉化為高度信息，從而實現對光刻圖形表面形貌的高精度測量，其測量精度可達納米量級，能夠滿足微小光刻結構的檢測需求。

測量過程

將待測光刻樣品固定于白光干涉儀載物臺上，利用顯微鏡初步定位測量區域。通過調節干涉儀的光路參數，獲取清晰的干涉條紋圖像。軟件對干涉圖像進行處理，通過相位解包裹等算法，精確計算出光刻圖形的深度、寬度、粗糙度等參數，為光刻工藝的優化和質量控制提供數據依據。

優勢

白光干涉儀采用非接觸式測量，避免了對光刻圖形的物理損傷；其測量速度快，可實現對光刻圖形的快速批量檢測；并且能夠直觀呈現三維表面形貌，便于工程師分析光刻圖形的質量問題，從而及時調整光刻工藝參數 。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實時”動態/靜態 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統白光干涉操作復雜的問題，實現一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實現卓越的重復性表現。

2)系統集成CST連續掃描技術，Z向測量范圍高達100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復雜形貌測量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測振系統，實現實現“動態”3D輪廓測量。

實際案例

1，優于1nm分辨率，輕松測量硅片表面粗糙度測量，Ra=0.7nm

2，毫米級視野，實現5nm-有機油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測量能力，實現光刻圖形凹槽深度和開口寬度測量。

審核編輯 黃宇