光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是一種關鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射下，溶解度會發生變化，主要應用于顯示面板、集成電路和半導體分立器件等細微圖形加工作業。由于光刻膠生產技術復雜、品種規格多樣，在電子工業集成電路制造中，對其有著極為嚴格的要求，而保證光刻膠產品的厚度便是其中至關重要的一環。

項目需求

本次項目旨在測量光刻膠厚度，光刻膠本身厚度處于 30μm-35μm 范圍，測量精度要求達到納米級。測量幅面為 135mm×135mm，按照客戶要求，需在光刻膠表面選取 13×13 個點進行測量。

測量方案

針對客戶的需求，我們精心制定了測量方案，選用膜厚儀搭配位置移動平臺來完成測量工作。該膜厚儀基于白光干涉技術，其工作原理如下：光源發射的光經過擴束準直后，由分光棱鏡分成兩束，一束經被測表面反射，另一束經參考鏡反射。這兩束反射光最終匯聚并發生干涉，隨經處理器轉化為干涉條紋信號。憑借這一技術，膜厚儀能夠輕松應對各種透明材質，精準計算分析各層薄膜的厚度

測試結果

在靜態測試環境下，如下圖所示，可測量2nm及以上的膜厚。而在在機構抖動模擬測試情況下，可測量3.5nm及以上的膜厚。因此使用我公司膜厚儀檢測光刻膠30nm-35um的厚度是可實現的。

審核編輯 黃宇