引言

Micro OLED 作為新型顯示技術，在微型顯示領域極具潛力。其中，陽極像素定義層的制備直接影響器件性能與顯示效果，而光刻圖形的精準測量是確保制備質量的關鍵。白光干涉儀憑借獨特優勢，為光刻圖形測量提供了可靠手段。

Micro OLED 陽極像素定義層制備方法

傳統光刻工藝

傳統 Micro OLED 陽極像素定義層制備常采用光刻剝離工藝。首先在基板上沉積金屬層作為陽極材料，接著旋涂光刻膠，通過掩模版曝光使光刻膠發生光化學反應，隨后進行顯影，去除曝光或未曝光部分的光刻膠。最后通過剝離工藝，將未被光刻膠保護的金屬層去除，從而形成陽極像素定義層。但此方法存在缺陷，光刻膠剝離過程中易殘留雜質，影響像素電極的導電性和穩定性，且工藝復雜，成本較高 。

新型制備技術

為克服傳統工藝弊端，新型制備技術不斷涌現。如噴墨打印技術，利用高精度噴頭將陽極材料墨水直接噴射到基板指定位置，形成像素定義層圖案。該技術可實現材料按需分配，減少材料浪費，且能精確控制圖案尺寸，適合制備高分辨率 Micro OLED 陽極像素定義層。此外，納米壓印技術也備受關注，通過將帶有圖案的模板壓印在涂有軟質材料的基板上，實現圖案的復制轉移，可快速制備大面積、高精度的陽極像素定義層，有效提升生產效率。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用

測量原理

白光干涉儀基于白光干涉原理，將白光分為兩束，一束照射待測光刻圖形表面反射回來，另一束作為參考光，兩束光相遇產生干涉。通過分析干涉條紋，依據光程差與表面高度的關系，可獲取光刻圖形的高度、輪廓等參數。

測量優勢

白光干涉儀具有高精度、非接觸的特點，測量精度可達納米級，不會對脆弱的光刻圖形造成損傷。同時，測量速度快，能夠實時在線檢測，配合專業軟件還能對測量數據進行可視化處理，直觀呈現光刻圖形質量。

實際應用

在 Micro OLED 陽極像素定義層制備中，白光干涉儀可用于測量光刻膠圖案的高度、線寬，以及陽極金屬層圖形的平整度等關鍵參數，確保制備的陽極像素定義層符合設計要求，為提升 Micro OLED 顯示性能提供保障。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實時”動態/靜態 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統白光干涉操作復雜的問題，實現一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實現卓越的重復性表現。

2)系統集成CST連續掃描技術，Z向測量范圍高達100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復雜形貌測量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測振系統，實現實現“動態”3D輪廓測量。

實際案例

1，優于1nm分辨率，輕松測量硅片表面粗糙度測量，Ra=0.7nm

2，毫米級視野，實現5nm-有機油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測量能力，實現光刻圖形凹槽深度和開口寬度測量。

審核編輯 黃宇