納微半導體宣布將在5月6-8日參加于德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術在AI數據中心、電動汽車、電機馬達和工業領域的應用新進展。

PCIM是全球功率電子、智能運動、可再生能源以及能源管理領域的領先展會。納微誠邀觀眾蒞臨位于9號館，展位號544的“納微芯球”展位，了解納微如何通過下一代氮化鎵和碳化硅技術，對傳統硅器件進行替代，從而實現Electrify Our World的宏偉使命。

主要的展品及技術亮點包括：

全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片和高速隔離型IsoFast門極驅動器

二者能使傳統的兩級架構向單級架構躍遷，打造電力電子的全新范式。目標應用市場包括電動汽車充電（車載充電機OBC和充電樁），太陽能逆變器，儲能和電機馬達。

更多細節可回顧線上發布會：

符合車規的高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片

均已通過AEC-Q100和AEC-Q101認證，可為車載充電機（OBC）和高壓轉低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現。為了支撐這一認證，納微半導體編制了一份全面的可靠性報告，該報告分析了超過7年的生產和實際應用數據。報告展示了公司的業績記錄，以及產品在魯棒性和可靠性方面的迭代和系列改進，確認了氮化鎵功率芯片具備極高的可靠性并且非常適用于汽車領域。

全新的SiCPAK功率模塊

采用環氧樹脂灌封技術及納微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術，使得熱阻變化量降低五倍，顯著延長系統使用壽命。經過嚴格設計和驗證，適用于最嚴苛的高功率環境，重點確保可靠性與耐高溫性能。目標市場包括電動汽車直流快充（DCFC）、工業電機驅動、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器與功率優化器、儲能系統（ESS）、工業焊接及感應加熱。

專為電機馬達打造的GaNSense氮化鎵功率芯片

具備雙向無損電流感應、電壓感測以及溫度保護功能，與任何分立氮化鎵或分立硅器件所能達到的性能相比，進一步提升了性能和穩定性。

符合AEC-Q101車規認證的第三代快速碳化硅MOSFETs

憑借著超20年的碳化硅創新領導地位，GeneSiC推出全球領先的第三代快速碳化硅功率器件，基于納微專有的“溝槽輔助平面柵”技術研發，為實現最快的開關速度、最高的效率和功率密度的增進進行優化，為AI數據中心提升三倍功率并加速電動汽車充電。

集成之巔，易用至極的GaNSlim氮化鎵功率芯片

全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片，以最高水平的集成度和散熱性能，將進一步簡化并加速小型化、高功率密度應用的開發。目標應用包括移動設備和筆記本電腦充電器、電視電源以及高達500W的照明系統。

全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源

該方案采用大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs，分別用于三相LLC拓撲結構和三相交錯CCM TP-PFC結構，可實現最高效率、性能以及最少的元件數量，并具備98%的超高整機效率。

全球功率密度最高的AI數據中心服務器電源

采用納微大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造，為最新的AI GPUs打造了體積最小的4.5kW電源，滿足最新AI GPUs每個機柜達3倍的功率增長需求，可實現137W/in3的全球最高功率密度以及超過 97% 的效率。

搭載IntelliWeave專利數字控制技術的AI數據中心服務器電源

采用了高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs的混合設計，PFC的峰值效率高達99.3%，相較現有方案降低30%的功率損耗。

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經過優化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業市場。納微半導體擁有超過300項已經獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。