五代產(chǎn)品。對(duì)于HBM3E，SK海力士預(yù)計(jì)2023年底前供應(yīng)HBM3E樣品，2024年開始量產(chǎn)。8層堆疊，容量達(dá)24GB，帶寬為1.15TB/s。 ? 近日，三星電子也更新了HBM3E的進(jìn)展。據(jù)韓媒報(bào)道
2023-10-25 18:25:24
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量測(cè)試，正就量產(chǎn)供應(yīng)展開磋商。當(dāng)前協(xié)商的供應(yīng)量按容量計(jì)算約為10億Gb級(jí)別左右，量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)最早從今年下半年延續(xù)至
2025-07-12 00:16:003465 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)臺(tái)媒消息，傳聞英偉達(dá)已開始開發(fā)自己的HBM基礎(chǔ)裸片，預(yù)計(jì)英偉達(dá)的自研HBM基礎(chǔ)裸片采用3nm工藝制造，計(jì)劃在2027年下半年進(jìn)行小批量試產(chǎn)。并且這一時(shí)間點(diǎn)大致對(duì)應(yīng)"Rubin
2025-08-21 08:16:002605 開始實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。這一進(jìn)展將使得三星參與到下一階段HBM訂單的有力競(jìng)爭(zhēng)。 ? 三星還在HBM3E上提供了非常具有吸引力的報(bào)價(jià)，傳聞向英偉達(dá)提供比SK海力士低20%至30%的報(bào)價(jià)，三星不得不通過激進(jìn)定價(jià)策略來提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。 ? 近日消息，S
2025-08-23 00:28:007170 明年HBM3E價(jià)格，漲幅接近20%。 ? 此次漲價(jià)背后，是AI算力需求爆發(fā)與供應(yīng)鏈瓶頸的共同作用。隨著英偉達(dá)H200、谷歌TPU、 亞馬遜Trainium 等AI芯片需求激增，HBM3E供需缺口持續(xù)擴(kuò)大。與此同時(shí)，存儲(chǔ)廠商正將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的 HBM4 ，進(jìn)一步擠壓了
2025-12-28 09:50:111557 光照時(shí)，Q1的B極電位很低，經(jīng)測(cè)量為0.37 V，Q1的E極為0 V，Q1的C極為3 V, 根據(jù)三極管三個(gè)極電位比較，集電極反偏，發(fā)射極正偏，Q1不是應(yīng)該處于放大狀態(tài)嗎？當(dāng)RP有光照時(shí)，經(jīng)測(cè)量Q的E極為
2023-03-22 13:42:20
SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請(qǐng)求。英偉達(dá)首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會(huì)在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:391894 
熱點(diǎn)新聞 1、三星計(jì)劃為英偉達(dá)AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù) 據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)正在努力實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的采購(gòu)多元化。消息人士稱，這家美國(guó)芯片巨頭正在
2023-07-20 17:00:021360 
在此之前，英偉達(dá)將大部分gpu的高級(jí)成套產(chǎn)品委托給tsmc。半導(dǎo)體方面，將sk海力士的hbm3安裝在自主制造的單一gpu芯片上，生產(chǎn)英偉達(dá)h100。但是最近隨著生成型人工智能的普及，h100的需求劇增，在處理nvidia的所有訂單上遇到了困難。
2023-08-02 11:54:181663 GH200 Grace芯片搭載全球首款HBM3e處理器，可通過英偉達(dá)的NVLink技術(shù)連接其他GH200芯片，計(jì)劃明年二季度投產(chǎn)。
2023-08-09 17:19:41863 
2023年8月8日，NVIDIA創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在計(jì)算機(jī)圖形年會(huì)SIGGRAPH上發(fā)布了HBM3e內(nèi)存新一代GH200 Grace Hopper超級(jí)芯片。這款芯片被黃仁勛稱為“加速計(jì)算和生成式AI時(shí)代的處理器”，旨在用于任何大型語(yǔ)言模型，以降低推理成本。
2023-08-11 16:29:172011 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e，鞏固在針對(duì)ai的存儲(chǔ)器市場(chǎng)上的獨(dú)一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:491808 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場(chǎng)無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:411676 HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對(duì)AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071670 有分析師爆料稱三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲(chǔ)芯片關(guān)鍵供應(yīng)商，三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:5141378 ，skjmnft同時(shí)已經(jīng)向英偉達(dá)等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局，每個(gè)堆棧為24 GB，采用1β 技術(shù)生產(chǎn)，具備出色的性能。Multiable萬(wàn)達(dá)寶ERP具備數(shù)字化管理各個(gè)業(yè)務(wù)板塊,提升
2023-10-10 10:25:461636 市場(chǎng)有關(guān)負(fù)責(zé)人表示，h100是英偉達(dá)gpu中規(guī)格最高的技術(shù)，但b100的影響力比h100更大，今后將采用3至4納米工程和芯片設(shè)計(jì)。隨著sk海力士決定獨(dú)家向英偉達(dá)提供可驅(qū)動(dòng)新一代b100 gpu的最新hbm3e顯示器存儲(chǔ)器，該公司將躍升為ai業(yè)界的半導(dǎo)體主要企業(yè)。
2023-10-17 09:23:471917 基于英偉達(dá)的“Hopper”架構(gòu)的H200也是該公司第一款使用HBM3e內(nèi)存的芯片，這種內(nèi)存速度更快，容量更大，因此更適合大語(yǔ)言模型。英偉達(dá)稱：借助HBM3e，H200以每秒4.8TB的速度提供141GB的內(nèi)存，與A100相比，容量幾乎是其兩倍，帶寬增加了2.4倍。
2023-11-15 11:17:311958 由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測(cè)，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購(gòu)買分配權(quán)重值，還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-27 15:03:571700 
由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測(cè)，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購(gòu)買分配權(quán)重值，還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-29 14:13:301601 
美光已明確表示，預(yù)期明年將進(jìn)占市場(chǎng)份額約5%，排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度，且計(jì)劃于2023年最后階段為英偉達(dá)提供測(cè)試。
2023-12-26 14:39:31843 英偉達(dá)（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購(gòu)大量HBM3E內(nèi)存，為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場(chǎng)將新一輪競(jìng)爭(zhēng)。
2023-12-29 16:32:501622 據(jù)最新傳聞，英偉達(dá)正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級(jí)芯片，這也進(jìn)一步說明了對(duì)于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:041445 美國(guó)IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場(chǎng)迅速成長(zhǎng)。預(yù)計(jì)至2024年，HBM供應(yīng)緊缺問題將愈發(fā)嚴(yán)重。對(duì)此，三星計(jì)劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM產(chǎn)品HBM3，并計(jì)劃啟動(dòng)第五代HBM產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:022230 值得一提的是，半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)周期通常共九個(gè)階段，而 SK 海力士已經(jīng)成功走過了各個(gè)環(huán)節(jié)，正在進(jìn)行最后的產(chǎn)量提升階段。這代表著現(xiàn)有的HBM3E產(chǎn)能均可滿足從此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:451152 在嚴(yán)格的9個(gè)開發(fā)階段后，當(dāng)前流程全部完成，步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項(xiàng)目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志，這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交付的條件。SK海力士計(jì)劃3月獲取英偉達(dá)對(duì)終品質(zhì)量的認(rèn)可，同步啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:051429 在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲(chǔ)器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長(zhǎng)達(dá)半年的性能評(píng)估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，并計(jì)劃在下個(gè)月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:081739 近日，全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發(fā)，并且已經(jīng)通過了英偉達(dá)
2024-02-25 11:22:211656 目前，只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個(gè)平臺(tái)可以達(dá)到10TB/s的帶寬，單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率，內(nèi)存容量高達(dá)141GB。
2024-02-25 11:22:421391 英偉達(dá)下一代H200圖形處理器將采用美光HBM3E芯片，預(yù)計(jì)于今年第2季交付，有望超越現(xiàn)有的H100芯片，為美光科技貢獻(xiàn)更高業(yè)績(jī)。此外，龍頭廠商SK海力士等供應(yīng)的AI HBM（高寬帶存儲(chǔ)器）芯片市場(chǎng)需求持續(xù)升溫
2024-02-27 09:33:291543 美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達(dá)納（Sumit Sadana）稱，公司已實(shí)現(xiàn)HBM3E的市場(chǎng)首發(fā)和卓越性能，同時(shí)能耗具有顯著優(yōu)勢(shì)，使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占先機(jī)。他還強(qiáng)調(diào)，美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3E及HBM4路線圖，DRAM與NAND技術(shù)相結(jié)合
2024-02-27 09:38:42841 “隨著AI行業(yè)對(duì)大容量HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生，”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個(gè)存儲(chǔ)方案是我們?cè)谌巳斯ぶ悄軙r(shí)代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示。”
2024-02-27 10:36:251877 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 據(jù)手機(jī)資訊網(wǎng)站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊，并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。另外，該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要的存儲(chǔ)器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系，同時(shí)也與如臺(tái)積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:051327 美國(guó)記憶體制造巨頭美光（Micron）于26日宣布，其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產(chǎn)。此項(xiàng)技術(shù)將被用于今年第2季度的英偉達(dá)（NVIDIA）H200 Tensor Core GPU，標(biāo)志著美
2024-02-28 14:17:101311 其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存，并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:511493 
內(nèi)存解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進(jìn)展持續(xù)保持行業(yè)
2024-03-04 18:51:411886 
英偉達(dá)H200于2023年11月13日正式發(fā)布。然而，由于HBM3e芯片供應(yīng)問題，其實(shí)際開售時(shí)間有所延遲。英偉達(dá)表示，H200產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在2024年第二季度正式開售。因此，雖然H200在2023年已經(jīng)發(fā)布，但真正的上市時(shí)間是在2024年的第二季度。
2024-03-07 16:46:044390 近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及影像產(chǎn)品制造商美光公司宣布，已開始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著美光在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破，也預(yù)示著人工智能領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀鼮閺?qiáng)勁的計(jì)算能力支持。
2024-03-08 10:02:07891 同日，SK海力士宣布啟動(dòng) HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個(gè)月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項(xiàng)數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時(shí)內(nèi)處理多達(dá)約 33，800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn)，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:211675 據(jù)悉，HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術(shù)。至于GDDR7，有望在RTX 50系列顯卡中得到應(yīng)用。
2024-03-20 10:25:591737 在英偉達(dá)GTC 2024大會(huì)上，英偉達(dá)CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名為GB200，將于今年晚些時(shí)候上市。
2024-03-20 11:32:042405 
Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374681 
HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購(gòu)買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力，稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測(cè)試，未來可能增加采購(gòu)量。
2024-03-20 16:17:241406 現(xiàn)如今，SK海力士為英偉達(dá)AI半導(dǎo)體提供主要HBM產(chǎn)品，同時(shí)自去年起，美光公司也加入了該供應(yīng)陣營(yíng)。據(jù)悉，相比其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，三星電子在HBM授權(quán)上大約晚了一年有余。
2024-03-22 09:53:231383 英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系，計(jì)劃從后者采購(gòu)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時(shí)，三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士，后者已率先實(shí)現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:041287 據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲(chǔ)容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989 據(jù)最新消息透露，英偉達(dá)即將從今年9月開始大規(guī)模采購(gòu)12層HBM3E內(nèi)存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動(dòng)。
2024-03-26 10:59:061180 據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對(duì)英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917 12層HBM3e將每個(gè)堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s，這比單個(gè)堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:091352 
三星方面表示，預(yù)計(jì)今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存，而AMD則計(jì)劃于下半年開始生產(chǎn)相應(yīng)的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達(dá)到驚人的1280GB/s，產(chǎn)品容量更是高達(dá)36GB。
2024-04-24 14:44:381196 韓國(guó) SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應(yīng)壓力，可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
2024-04-25 14:45:071054 銷售額達(dá)110億！麥格納公布2024年Q1財(cái)報(bào)
2024-05-09 18:00:381422 
業(yè)內(nèi)評(píng)論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺(tái)積電在驗(yàn)證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異，導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗(yàn)證。
2024-05-16 17:56:201863 據(jù)行業(yè)觀察者透露，三星HBM3E面臨的問題源于臺(tái)積電在驗(yàn)證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)，而這與三星自身的生產(chǎn)方式有所出入，從而影響了產(chǎn)品的認(rèn)證進(jìn)程。
2024-05-17 09:30:53892 三星電子近期正積極投入驗(yàn)證工作，以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達(dá)。然而，業(yè)界傳出消息，因臺(tái)積電在采用標(biāo)準(zhǔn)上存在的某些問題，導(dǎo)致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進(jìn)一步的檢驗(yàn)。
2024-05-17 11:10:13918 美光，這家位于美國(guó)愛達(dá)荷州波伊西（Boise）的企業(yè)，是HBM芯片的三大供應(yīng)商之一，也是AI服務(wù)器所需硬件的關(guān)鍵部件。他們生產(chǎn)的最新一代高頻寬存儲(chǔ)器3E（HBM3E）被AI芯片巨頭英偉達(dá)（NVDA-US）的H200采用。
2024-05-22 10:08:20877 早在今年3月份，韓國(guó)媒體DealSite報(bào)道中指出，全球HBM存儲(chǔ)器的平均良率約為65%。據(jù)此來看，SK海力士在近期對(duì)HBM3E存儲(chǔ)器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079 近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達(dá)測(cè)試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達(dá)標(biāo)，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 據(jù)報(bào)道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星HBM3E未能通過英偉達(dá)測(cè)試可能源于臺(tái)積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)，但在英偉達(dá)主導(dǎo)的HBM市場(chǎng)，三星不得不尋求與臺(tái)積電合作。臺(tái)積電作為英偉達(dá)GPU芯片的制造商和封裝商
2024-05-27 16:53:211264 美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目，這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能，功耗比競(jìng)品1低 30%。
2024-05-28 14:08:131659 英偉達(dá)公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM（高帶寬內(nèi)存）的傳聞進(jìn)行了澄清。他明確表示，英偉達(dá)仍在認(rèn)證三星提供的HBM內(nèi)存，并否認(rèn)了三星HBM未通過英偉達(dá)任何測(cè)試的傳聞。
2024-06-06 10:06:531101 在全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，英偉達(dá)以其卓越的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)影響力，始終保持著領(lǐng)先地位。最近，這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨(dú)特的戰(zhàn)略眼光和強(qiáng)大的資金實(shí)力，以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨，不惜以高達(dá)13億美元的預(yù)算，向美光和SK海力士預(yù)訂了部分高帶寬存儲(chǔ)HBM3e的產(chǎn)能。
2024-06-22 16:46:581465 在科技界的密切關(guān)注下，三星電子與英偉達(dá)之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據(jù)韓國(guó)主流媒體NewDaily最新報(bào)道，三星電子已成功通過英偉達(dá)的HBM3e（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測(cè)試，標(biāo)志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:561151 在科技界與金融市場(chǎng)的交匯點(diǎn)，一則關(guān)于三星電子HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）芯片通過英偉達(dá)嚴(yán)格質(zhì)量測(cè)試的消息于7月4日悄然傳開，瞬間點(diǎn)燃了業(yè)界內(nèi)外對(duì)于高性能存儲(chǔ)技術(shù)未來
2024-07-04 16:22:511195 近日，韓國(guó)媒體的一則報(bào)道引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注，稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過了GPU巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的質(zhì)量認(rèn)證，即Qualtest PRA（產(chǎn)品準(zhǔn)備批準(zhǔn)），并預(yù)示著該產(chǎn)品
2024-07-05 10:37:031118 近期，有媒體報(bào)道稱三星電子已成功通過英偉達(dá)（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測(cè)試，并預(yù)計(jì)很快將啟動(dòng)量產(chǎn)流程，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能存儲(chǔ)解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認(rèn)。
2024-07-05 15:08:181268 韓國(guó)新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報(bào)道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試，預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達(dá)供貨的序幕。然而，三星電子方面迅速對(duì)此消息進(jìn)行了否認(rèn)，表示并未收到官方確認(rèn)。
2024-07-05 16:09:581392 近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào)，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的嚴(yán)格認(rèn)證，標(biāo)志著該產(chǎn)品即將進(jìn)入規(guī)模化生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)在本季度內(nèi)正式向
2024-07-18 09:36:591401 1. 三星：HBM3e 先進(jìn)芯片今年量產(chǎn)，營(yíng)收貢獻(xiàn)將增長(zhǎng)至60% ? 三星電子公司計(jì)劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）芯片HBM3e，并迅速提高其對(duì)營(yíng)收的貢獻(xiàn)。三星電子表示，該公司預(yù)計(jì)其
2024-08-01 11:08:111376 三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃，即今年將全面啟動(dòng)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）芯片HBM3e的量產(chǎn)工作，并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營(yíng)收貢獻(xiàn)。據(jù)三星電子透露，隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053 8月7日，市場(chǎng)上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達(dá)（Nvidia）測(cè)試的消息引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子對(duì)此事態(tài)的反應(yīng)卻顯得較為謹(jǐn)慎。三星電子官方表示：“我們無法證實(shí)與我
2024-08-07 15:23:26968 近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng)，明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
2024-08-08 10:06:021161 進(jìn)入八月，市場(chǎng)傳言四起，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子（簡(jiǎn)稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過英偉達(dá)嚴(yán)格測(cè)試。然而，三星迅速澄清，表示這一報(bào)道與事實(shí)相去甚遠(yuǎn)，強(qiáng)調(diào)目前質(zhì)量測(cè)試
2024-08-23 15:02:561635 9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程，并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要面向英偉達(dá)H200系列應(yīng)用。同時(shí)，三星電子還積極推進(jìn)Blackwell系列的驗(yàn)證工作，預(yù)示著更先進(jìn)技術(shù)的穩(wěn)步前行。
2024-09-04 15:57:091772 自豪地宣布，SK 海力士當(dāng)前市場(chǎng)上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，而更進(jìn)一步的是，公司即將在本月底邁入一個(gè)新的里程碑，正式啟動(dòng)12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 近日，知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達(dá)驗(yàn)證，并正式開啟出貨流程。具體而言，三星的HBM3E 8Hi版本已被確認(rèn)
2024-09-05 17:15:281404 美光科技近期宣布，其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動(dòng)交付，標(biāo)志著AI計(jì)算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進(jìn)內(nèi)存正陸續(xù)送達(dá)主要行業(yè)合作伙伴手中，以全面融入并驗(yàn)證其在整個(gè)AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:371553 近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對(duì)其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道，三星已將2025年底的產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月17萬(wàn)片晶圓，這一調(diào)整反映了半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)前緊張的供需關(guān)系和激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
2024-10-11 17:37:121554 近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達(dá)提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255 領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。 然而，對(duì)于三星電子來說，向英偉達(dá)供應(yīng)HBM不僅是一個(gè)重要的商業(yè)機(jī)會(huì)，更是展示其技術(shù)實(shí)力和
2024-11-04 10:39:39786 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域
2024-11-05 15:01:201231 在近日舉行的SK AI峰會(huì)上，韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動(dòng)中，SK hynix（SK海力士）透露了一項(xiàng)令人矚目的新產(chǎn)品計(jì)劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達(dá)48GB，將為用戶帶來前所未有的存儲(chǔ)體驗(yàn)。
2024-11-14 18:20:201364 近日，英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對(duì)三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進(jìn)程，旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。 此次認(rèn)證工作的焦點(diǎn)在于三星的HBM3E內(nèi)存
2024-11-25 14:34:171028 近日，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛近日在接受采訪時(shí)透露，英偉達(dá)正在全力加速對(duì)三星最新推出的AI存儲(chǔ)芯片——HBM3E的認(rèn)證進(jìn)程。這一舉措標(biāo)志著英偉達(dá)在AI存儲(chǔ)技術(shù)上的又一次重要布局。 據(jù)黃仁勛介紹，英偉達(dá)
2024-11-26 10:22:171129 近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測(cè)試已經(jīng)正式啟動(dòng)，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供應(yīng)奠定了
2024-12-26 14:46:241050 近日，全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的美光科技公司宣布，將正式進(jìn)軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場(chǎng)。目前，美光正在對(duì)最終設(shè)備進(jìn)行評(píng)估，并計(jì)劃在今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 這一消息標(biāo)志著美光在高性能內(nèi)存
2025-01-17 14:14:12914 三星電子在近期舉行的業(yè)績(jī)電話會(huì)議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實(shí)現(xiàn)了顯著增長(zhǎng)。
2025-02-06 17:59:001106 其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會(huì)晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測(cè)，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認(rèn)證工作已接近尾聲，這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈。對(duì)于三星而言
2025-02-18 11:00:38979 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）據(jù)報(bào)道，繼英偉達(dá)之后，全球多個(gè)科技巨頭都在競(jìng)購(gòu)SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E。半導(dǎo)體行業(yè)知情人士稱，各大科技巨頭都已經(jīng)在向SK海力士請(qǐng)求獲取HBM3E樣本，包括
2023-07-06 09:06:313695 
和B100兩款芯片。來源：英偉達(dá)官網(wǎng) ? 首款搭載HBM3e 的GPU ，推理速度幾乎是H100 的兩倍 ? 與A100和H100相比，H200最
2023-11-15 01:15:005794 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道，三星華城17號(hào)產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí)，美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此，高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）眼下各家存儲(chǔ)芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn)，HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā)，從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展，原本SK海力士計(jì)劃2026年量產(chǎn)HBM4，不過最近
2024-07-28 00:58:136874 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）在早前的報(bào)道中，對(duì)于HBM產(chǎn)能是否即將過剩，業(yè)界有不同的聲音，但絲毫未影響存儲(chǔ)芯片廠商對(duì)HBM產(chǎn)品升級(jí)的步伐。 ? 三大廠商12 層HBM3E 進(jìn)展 ? 9月26日SK
2024-10-06 01:03:005496 
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