近日，韓國權威媒體ETNews爆出猛料，SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發進程，并且已經設定了明確的發展時間表——計劃在2025年底之前，全面完成高達400多層堆疊NAND的半成品制備工作，緊隨其后，將于2026年第二季度正式啟動并大規模投入生產。

值得一提的是，早在2023年，SK海力士就已經向外界展示過其321層堆疊NAND閃存的樣品，并公開表示，這款產品有望在2025年上半年實現量產。

據該媒體透露，SK海力士在未來兩代NAND閃存的研發周期內，將把時間壓縮至大約1年左右，這一速度相對于行業平均水平來說，無疑是驚人且顯著的。

需要注意的是，從各大廠商發布新一代NAND閃存的時間跨度來看，美光從232層NAND閃存升級到276層，耗費了整整兩年的時間；而三星V8 NAND和V9 NAND之間的更新間隔則大約為1.5年。

在報道中，韓媒還特別強調了SK海力士即將推出的400+層堆疊NAND閃存所采用的獨特架構：

SK海力士現有的4D NAND采用了PUC（Peri Under Cell，單元下外圍）技術，即將外圍控制電路置于存儲單元之下，這種設計相較于傳統的外圍電路側置設計，能夠有效地縮小芯片占用空間。

然而，SK海力士未來的NAND閃存將會在兩片晶圓上分別制作外圍電路和存儲單元，然后再通過W2W（晶圓對晶圓）形式的混合鍵合技術，將這兩個部分完美融合成一個完整的閃存。

換言之，SK海力士也將借鑒長江存儲Xtacking、鎧俠-西部數據CBA等先進的結構設計理念。

據悉，SK海力士已經開始著手建立NAND混合鍵合所需的原材料及設備供應鏈，同時也在對混合鍵合技術及其相關材料進行深入研究和重新評估；此外，三星電子也在考慮在下一代NAND生產過程中引入混合鍵合技術。