比特位的技術(shù)),實(shí)現(xiàn)了具有極大存儲(chǔ)容量的硅芯片。 目前,最先進(jìn)的3D NAND閃存可在單個(gè)硅片上容納高達(dá)1Tbit或1.33Tbit的數(shù)據(jù)。 譬如,英特爾(Intel)和美光科技(Micron)的開(kāi)發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術(shù)與64層堆棧和QLC(四層單元)技術(shù)相結(jié)合,該技
2019-08-10 00:01:00
8135 ,只有一層的2D NAND不能在不增加芯片管芯尺寸的情況下增加容量。然而,在像高層建筑物中那樣允許單元(NAND的最小單位)沿3D方向存儲(chǔ)的3D NAND中,容量可以隨著
2019-10-04 01:41:00
5916 的5%。 國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片今年有兩大陣營(yíng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,其中紫光集團(tuán)控股的長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年9月份量產(chǎn)了64層堆棧的3D閃存,采用了自研Xtacking架構(gòu),核心容量256Gb。 現(xiàn)階段長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加快產(chǎn)能提升,預(yù)計(jì)到明年底的時(shí)候晶圓月產(chǎn)能將翻兩番到6萬(wàn)片,這個(gè)
2019-11-22 19:07:18
5664 臺(tái)灣專用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示,旺宏將在
2019-12-14 09:51:29
5966 7月24日國(guó)外消息:SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:23
1561 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比,具有包括讀寫(xiě)速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:51
2858 
3D NAND的好處自然就是能夠比現(xiàn)在的閃存提供功能大的存儲(chǔ)空間,存儲(chǔ)密度可以達(dá)到現(xiàn)有閃存的三倍以上,未來(lái)甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出來(lái)。
2015-06-01 11:51:37
2985 句點(diǎn),加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入,3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細(xì)介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢(shì),主要的生產(chǎn)廠商,以及三星、東芝和Intel在這個(gè)領(lǐng)域的實(shí)力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:06
44661 
Intel去年最重大的科技成果不是推出14nm工藝的Skylake處理器,而是3D XPoint存儲(chǔ)芯片,性能是當(dāng)前水平的1000倍,但它可不是NAND非易失性閃存這么簡(jiǎn)單,實(shí)際上能帶來(lái)一次電腦革命,因?yàn)樗€可以作為DIMM插槽的內(nèi)存使用。
2016-11-22 17:07:23
4218 3D NAND Flash。中國(guó)已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào),若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù),中國(guó)3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:12
9182 
集微網(wǎng)消息,9月19日,2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)在深圳舉行,長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu):釋放3D NAND潛能”為主題,介紹長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND新進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:07
5992 Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:29
3528 什么是3D NAND?什么是4D NAND?3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
2021-06-18 06:06:00
還能保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)芯片主要有,EEPROM,NOR FLASH, NAND FLASH,EMMC, UFS。其中EEPROM歷史最為悠久,容量在幾KB到1MB左右,非常非常小,但其使用發(fā)讀寫(xiě)/擦除命令
2016-08-16 16:30:57
存儲(chǔ)也在3D NAND上有所突破,并推出了其獨(dú)特的Xtacking技術(shù)。據(jù)相關(guān)報(bào)道顯示,傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中,外圍電路約占芯片面積的20—30%,降低了芯片的存儲(chǔ)密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到
2020-03-19 14:04:57
前言:
很感謝深圳雷龍發(fā)展有限公司為博主提供的兩片SD NAND的存儲(chǔ)芯片,在這里博主記錄一下自己的使用過(guò)程以及部分設(shè)計(jì)。
深入了解該產(chǎn)品:
拿到這個(gè)產(chǎn)品之后,我大致了解了下兩款芯片的性能
2023-11-15 18:07:57
,西部數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器類型還沒(méi)完全從2D NAND轉(zhuǎn)換成3D NAND,現(xiàn)在3D NAND只占總產(chǎn)量的65%,換言之西部數(shù)據(jù)生產(chǎn)的所有存儲(chǔ)器還有三分之一是2D NAND。?另外,在本月12號(hào),西部數(shù)據(jù)宣布
2022-02-03 11:41:35
問(wèn)題,再也不用為SD卡的接觸穩(wěn)定性操心!
SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一樣,都是嵌入式系統(tǒng)中常見(jiàn)的用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)所使用的存儲(chǔ)芯片
2025-01-15 18:15:53
技術(shù)方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主,NAND閃存顆粒根據(jù)存儲(chǔ)原理分為SLC、MLC、TLC和QLC,從結(jié)構(gòu)上又可分為2D、3D兩大類
2024-12-17 17:34:06
的市場(chǎng)份額,有著不可取代的地位。
隨著芯片的發(fā)展存儲(chǔ)芯片的趨勢(shì)也開(kāi)始不甘落后,有著越來(lái)越多的新型的芯片問(wèn)世,這里就要提起SD NAND芯片了,市面上主流的生產(chǎn)廠家就是雷龍。
SD NAND
2024-11-13 15:20:16
`CFMS2018近日成功舉辦,來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖,與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星:看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05
前言
大家好,我們一般在STM32項(xiàng)目開(kāi)發(fā)中或者在其他嵌入式開(kāi)發(fā)中,經(jīng)常會(huì)用到存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。今天我和大家來(lái)介紹一款存儲(chǔ)芯片,我這里采用(雷龍) CS創(chuàng)世 SD NAND 。
SD
2024-01-05 17:54:39
(FTL,磨損均衡,糾錯(cuò)等),存在讀寫(xiě)干擾問(wèn)題。
結(jié)構(gòu)演進(jìn):
平面 NAND:傳統(tǒng)二維結(jié)構(gòu),工藝微縮遇到瓶頸。
3D NAND:將存儲(chǔ)單元垂直堆疊(幾十層到幾百層),突破密度限制,降低成本,提高
2025-06-24 09:09:39
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓,自帶壞塊管理,10W次擦寫(xiě)壽命,1萬(wàn)次隨機(jī)掉電測(cè)試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫(xiě)錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
新發(fā)明的透明柔性3D存儲(chǔ)芯片會(huì)成為小存設(shè)備中的一件大事。這種新的內(nèi)存芯片透明柔韌,可以像紙一樣折疊,而且可以耐受1000華氏度的溫度
2012-04-06 11:39:25
1380 現(xiàn)在,西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)(下半年出樣,2018年開(kāi)始量產(chǎn)),除了TLC類型外,其還會(huì)支持QLC,這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40
937 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái),最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì),3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者: (1)比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:00
52236 
西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一,也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日?qǐng)?bào)道,工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片,宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:27
1538 當(dāng)然中國(guó)的存儲(chǔ)芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲(chǔ)芯片企業(yè),長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國(guó)三星去年就開(kāi)始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND flash,長(zhǎng)江存儲(chǔ)希望在未來(lái)兩三年實(shí)現(xiàn)64層NAND flash的技術(shù)突破,將技術(shù)差距縮短到兩年內(nèi)。
2018-04-17 09:37:19
44620 在3D存儲(chǔ)器選通管和高密度阻變存儲(chǔ)器及其集成技術(shù)的研究上開(kāi)展合作,全力研發(fā)下一代3D存儲(chǔ)芯片,為早日實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器芯片技術(shù)的國(guó)產(chǎn)化貢獻(xiàn)力量。
2018-06-11 01:15:00
2853 無(wú)論是3D堆疊還是QLC的推出,這些情況均說(shuō)明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没瑖?guó)際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對(duì)2D NAND來(lái)說(shuō),是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:49
5087 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))今年將首次參加閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:01
5077 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展,2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)激烈,其中,三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報(bào)道稱,東芝存儲(chǔ)器(TMC)96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨,代表著NAND Flash市場(chǎng)霸主之爭(zhēng)正式拉開(kāi)序幕。
2018-08-05 11:50:16
1646 昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開(kāi)了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:39
5421 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:00
2770 作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱:長(zhǎng)江存儲(chǔ))昨日公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:00
2244 Maxio(杭州聯(lián)蕓科技)日前展示了基于Intel 3D QLC閃存的SSD樣品,容量高達(dá)4TB。
2018-08-19 11:42:40
1636 上周,美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND,由于采用的QLC(4bits/cell)架構(gòu)相較于TLC(3bits/cell)容量更大,使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb,備受市場(chǎng)高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:46
2599 宣布研發(fā)出3D NAND 芯片,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下句點(diǎn),加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入,3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。什么是3D NAND閃存?從新聞到評(píng)測(cè)
2018-10-08 15:52:39
780 三星是全球最大的存儲(chǔ)芯片企業(yè),其占有NAND flash市場(chǎng)超過(guò)45%的市場(chǎng)份額,在DRAM市場(chǎng)也占有近四成的市場(chǎng)份額,存儲(chǔ)芯片價(jià)格的持續(xù)上漲讓它在去年取代Intel成為全球最大的半導(dǎo)體企業(yè),而此前Intel霸占這個(gè)位置已長(zhǎng)達(dá)24年。
2018-10-18 08:38:31
5669 存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言,存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。
2018-11-06 16:42:18
2399 昨日,紫光集團(tuán)旗下紫光宏茂微電子(上海)有限公司發(fā)布信息,宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示,這次公告標(biāo)志著內(nèi)資封測(cè)產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有的重大突破,也為紫光集團(tuán)完整存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:00
5697 在3D NAND Flash大行其道的21世紀(jì),當(dāng)Intel和美光在2015年首次介紹3D Xpoint的時(shí)候,市場(chǎng)掀起了軒然大波。據(jù)當(dāng)時(shí)的介紹,3D Xpoint會(huì)比NAND Flash快1000倍,且壽命也會(huì)比其長(zhǎng)1000倍。
2019-01-19 09:41:38
1340 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:12
2056 傳海力士正在跟Intel談判,欲收購(gòu)整個(gè)Intel大連工廠和3D NAND業(yè)務(wù)。
2019-07-12 14:28:14
5180 7月11日,業(yè)內(nèi)傳出消息稱,SK海力士計(jì)劃收購(gòu)Intel位于中國(guó)大連的Fab 68存儲(chǔ)工廠及3D NAND業(yè)務(wù)。對(duì)此傳聞,英特爾向芯智訊進(jìn)行了回應(yīng)。
2019-08-06 15:16:01
4741 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片一直受到業(yè)界的關(guān)注,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布,公司實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-05 10:54:00
1884 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)本周早些時(shí)候表示,已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:16
2374 據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:00
5147 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09
1144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:24
1455 美光科技已經(jīng)流片第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片,它們基于美光全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3D NAND內(nèi)存,但美光警告稱,使用新架構(gòu)的存儲(chǔ)芯片將僅用于特定應(yīng)用,因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。
2019-10-08 16:25:15
4507 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。
在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上,終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道,今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:24
3767 長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:05
3808 存儲(chǔ)公司 Kioxia(原東芝存儲(chǔ))近日宣布,將在今年 Q1 送樣 112 層 TLC Flash 芯片,這是第五代 BiCS Flash 3D 存儲(chǔ)芯片。
2020-02-03 15:44:22
2735 英特爾客戶端SSD戰(zhàn)略規(guī)劃與產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Dave Lundell表示:“很多公司都談?wù)撨^(guò)QLC技術(shù),但只有英特爾真正意義上實(shí)現(xiàn)了QLC技術(shù)的大規(guī)模交付。
2020-02-29 09:29:00
1619 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來(lái)看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:15
2895 兩年前,美光發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD,型號(hào)為5210 ION系列。今天,美光宣布5210 ION已經(jīng)得到全面升級(jí),可以作為機(jī)械硬盤(pán)的完美替代品。
2020-04-10 09:14:41
3042 今日(4月13日),長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:09
1347 2020年4月13日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款
2020-04-13 09:29:41
6830 2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:52
3480 4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:49
1750 據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片,這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:45
14823 長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:06
3603 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:00
3612 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:09
1627 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:22
5527 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:42
1991 Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:16
2690 Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:34
2586 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:49
3038 據(jù)媒體報(bào)道指SK海力士已與Intel簽署收購(gòu)后者的NAND flash存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù),不過(guò)Intel保留了它的3D Xpoint存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù),如此一來(lái)SK海力士將成為全球第二大NAND flash存儲(chǔ)芯片企業(yè)。
2020-10-21 11:28:50
1696 韓國(guó)的SK海力士在收購(gòu)Intel的NAND flash存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)之后,將取得全球NAND flash存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)大約20%的市場(chǎng)份額,它與三星將合計(jì)占有全球NAND flash存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)超過(guò)五成的市場(chǎng)份額。
2020-10-22 11:41:48
3489 韓國(guó)的SK海力士在收購(gòu)Intel的NAND flash存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)之后,將取得全球NAND flash存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)大約20%的市場(chǎng)份額,它與三星將合計(jì)占有全球NAND flash存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)超過(guò)五成的市場(chǎng)份額。
2020-10-22 15:17:26
3852 存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:55
3696 NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限,以及晶體管越來(lái)越小,NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng),擦寫(xiě)次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的 3D
2020-11-20 16:07:13
3095 上,TechInsights 高級(jí)技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講,詳細(xì)介紹了 3D NAND 和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。TechInsights 是一家對(duì)包括閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:44
4306 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著2D NAND容量達(dá)到極限,以及晶體管越來(lái)越小,NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng),擦寫(xiě)次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:49
3617 發(fā)展至今,NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久,存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”,2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:37
4583 12 月 16 日消息 根據(jù)英特爾官方的消息,在今天的 2020 英特爾內(nèi)存存儲(chǔ)日活動(dòng)上,英特爾正式發(fā)布了英特爾固態(tài)盤(pán) 670p,采用了英特爾下一代 144 層 QLC 3D NAND。 IT之家
2020-12-17 09:30:22
3066 近日,Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒,并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品,不過(guò)對(duì)于主控芯片,Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:39
2737 據(jù)媒體報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年把產(chǎn)量提高一倍,計(jì)劃到下半年將每月的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高到10萬(wàn)片晶圓,并準(zhǔn)備試產(chǎn)192層NAND快閃記憶體晶片,最快將于2021年中試產(chǎn),不過(guò)該試產(chǎn)計(jì)劃可能會(huì)推遲至2021下半年。
2021-01-12 14:47:01
5916 日前,有媒體報(bào)道稱,消息人士透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬(wàn)片晶圓,并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片,不過(guò)為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量,該計(jì)劃有可能會(huì)被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:27
5875 長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年把產(chǎn)量提高一倍,計(jì)劃到下半年將每月的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高到 10 萬(wàn)片晶圓,約占全球總產(chǎn)量的 7%。并準(zhǔn)備試產(chǎn) 192 層 NAND 快閃記憶體晶片。這將有助于長(zhǎng)江存儲(chǔ)縮小與全球先進(jìn)制造商之間的差距。據(jù)悉,三星電子目前每月約生產(chǎn) 48 萬(wàn)片晶圓,而美光的月產(chǎn)能約為 18 萬(wàn)片。
2021-02-14 09:21:00
9270 此前4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。這標(biāo)志著國(guó)內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)水平。
2021-01-17 10:19:20
3430 2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:36
2729 長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:21
8286 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:39
4227 應(yīng)用了閃存堆疊技術(shù)的3D NAND Flash的出現(xiàn),比以往的2D NAND Flash提供了更大存儲(chǔ)空間,滿足了業(yè)界日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求,因而成為主流。
2023-04-10 17:35:17
2618 無(wú)獨(dú)有偶,SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來(lái)的Solidigm,很快又發(fā)布了同樣基于QLC閃存的全新企業(yè)級(jí)產(chǎn)品P5-D5430,再次引發(fā)了“QLC取代TLC”的話題討論。據(jù)悉,P5-D5430采用大連Fab 68工廠出品的192層堆疊3D QLC閃存芯片(該廠的QLC產(chǎn)品占40%以上)
2023-06-13 16:16:00
1465 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:29
3142 三星將在IEEE國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:31
1299 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)(NVM Non-VolatileMemory),屬于Memory(存儲(chǔ)器)的一種。
2024-03-17 15:31:39
2376 
在全球半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,日本知名存儲(chǔ)芯片制造商鎧俠(Kioxia)展現(xiàn)了其雄心壯志和堅(jiān)定決心。在結(jié)束了長(zhǎng)達(dá)20個(gè)月的NAND閃存減產(chǎn)計(jì)劃后,鎧俠的兩座日本工廠生產(chǎn)線開(kāi)工率已提升至100%,同時(shí)上周還公布了其令人矚目的3D NAND閃存技術(shù)路線圖計(jì)劃。
2024-06-29 09:29:37
1369 在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:14
4822 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)根據(jù) IC Insights 統(tǒng)計(jì),2020年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 1,267 億美元,其中DRAM和NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模較大,占比分別為53%和44
2022-04-17 15:21:46
6469 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊,而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3D NAND存儲(chǔ)器。三星也在此前表示,將在
2024-06-29 00:03:00
8061
評(píng)論