（文章來源：中關村在線）

國產存儲芯片一直受到業界的關注，長江存儲正式宣布，公司實現量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。據該公司透露，其新產品傳輸速度可較目前傳統產品提升三倍左右。

相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市周期。目前大多數NAND芯片僅能供應1.0 Gbps實際速率。Xtacking技術有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。

閃存芯片堆棧層數越高，雖然可以有效的提升存儲密度，讓人們獲得更大容量的存儲產品，但同時也存在一定的負面效應，比如I/O傳電路增多擠占芯片空間。隨著堆棧層數提升，外圍電路占比可能高達50%，所以減少I/O傳電路成為技術難題。

長江存儲的Xstacking技術基于武漢新芯科技的CIS傳感器芯片上開發的堆棧技術，它把外圍電路置于存儲單元之上，外圍電路和存儲單元是2片晶圓，這就意味著其芯片可用面積遠大于其他傳統3D NAND架構，從而實現更高的存儲密度。

不僅是提高容量利用率，基于該技術節省出來的部分，除了控制電路，也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND閃存的定制化提供了無限可能。盡管長江存儲的進步值得肯定，但是跟三星、西數、東芝、美光等國際頂級公司仍舊存在差距。目前這些公司都已經實現了96層堆棧的3D閃存量產。此前媒體報道稱這些廠商正在積極改進96層閃存的良率，有望在2020年成為市場的主流。

根據資料顯示，這些公司的96層堆棧3D閃存今年將占到產能的30%，不過隨著廠商加快技術轉型并提高良率，明年96層閃存的產能將超過64層閃存。也就是說，與國際上處于頭部的存儲芯片公司相比，我們仍舊存在一個完整的代差。

簡單的說，長江存儲剛剛宣布實現64層堆棧量產，而那些耳熟能詳的“洋品牌”則已經即將完成64層到96層的過渡。不過這僅僅是國產閃存芯片實現追趕的開端，長江存儲也曾公開宣布，未來將會直接跳過96層堆棧技術，直接在128層堆棧上展開競爭。

與3D NAND堆棧層數關聯度最大的參數就是產品容量的差異，所以在一開篇我們看到，長江存儲官方宣布的是“64層256 Gb TLC 3D NAND閃存”。而在實際零售市場上來看，256GB容量的產品其實屬于過去幾年熱銷的產品。

如今隨著堆棧層數的不斷增加，64層堆棧技術已經成為主流，512GB乃至1TB的SSD已經成為市場主銷型號。因為這個容量的產品不僅每GB容量的價格更低，而且因為技術的原因，更高容量的產品可以獲得更好的性能表現和更可靠的使用壽命。而隨著明年96層堆棧成為國際的主流，明年1TB容量的產品將會成為市場上絕對的主力。所以，如果您不懂技術上的差異，或許直接比較容量上的差異更為簡單和直觀。

盡管如此，我們不能否認國產存儲芯片技術的進步。畢竟起步較晚，缺乏技術積累，并且屢屢遭受封鎖和打壓是不爭的事實。中國存儲芯片企業能夠在如此之短的時間追趕上國際一線品牌的步伐，這仍舊是值得驕傲的巨大進步。

實現存儲芯片的完全自主可控，這不僅對于中國科技產業發展具有極為重要的現實意義，更是國家科技發展戰略的重要一環。長江存儲實現64層堆棧閃存量產意義非凡，請給我們的科技企業多一些時間，相信未來必然會實現偉大的超越。