在談到DRAM技術未來的發展時,平博士首先強調,DRAM是有它的極限的。我們通過改進,可以將極限推遲。如導入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強外圍電路性能,就是DRAM產業的一個選擇,這在未來幾年將可以維持DRAM技術發展,滿足大數據時代的需求。
2019-09-19 15:06:13
2836 自從福建晉華遇到了極大麻煩后,其他本地廠商如合肥長鑫,西安國芯的計劃似乎很有限,不太可能對全球DRAM市場產生重大影響。但這一看法我想最近要糾正下。原為合肥長鑫的長鑫存儲已經開始批量生產其自制
2019-12-16 17:28:00
26019 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰全面引爆,近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續來臺鎖定IC設計和DRAM廠強力挖角,目前傳出包括鈺創員工、并入聯發科的NOR Flash設計公司常憶,以及
2016-11-22 16:06:15
1867 據臺灣媒體報道,大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲器主導權,隨著三大體系建廠計劃預定2018年量產,三大體系將正面對決。長鑫日前正式曝光相關投資計劃,預定第一期在合肥空港經濟
2016-12-19 14:49:25
8982 知情人士告訴半導體行業觀察記者,國產存儲三大勢力之一的合肥長鑫正式投片,產品規格為8Gb LPDDR4,這是國產DRAM產業的一個里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得進展的長江存儲,國內企業在國際主流存儲器上都取得了重大突破,為推動存儲國產化掀開了重要一頁。
2018-07-17 10:03:05
6161 在今日舉辦的中國閃存技術峰會(CFMS)上,長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士做了題為《DRAM技術趨勢與行業應用》的演講,披露了DRAM技術發展現狀和未來趨勢。
2019-09-26 05:13:00
4251 是來自于合肥長鑫的純國產CXMT DRAM芯片。 合肥長鑫作為國產DRAM芯片行業的代表,曾經吸收過奇夢達(Qimonda)的部分資源,這家德國DRAM廠商沒能等到熬過10年前的內存寒冬,在破產后將2.8TB的技術文件以及16000相專利申請轉讓給了合肥長鑫。 經過了足足
2020-10-30 15:33:14
8573 6月12日,日經新聞引述未具名消息人士報導,合肥長鑫已經重新設計了其DRAM芯片,以盡量減少對美國原產技術的使用。 日經:長鑫已重新設計DRAM芯片,盡量避免使用美國原產技術 據日經新聞亞洲評論報導
2019-06-13 18:30:03
3778 日前,長鑫存儲技術有限公司(以下簡稱長鑫存儲)與美國半導體公司Rambus Inc.(以下簡稱藍鉑世)簽署專利許可協議。依據此協議,長鑫存儲從藍鉑世獲得大量動態隨機存取存儲(以下簡稱DRAM)技術
2020-04-27 16:14:43
5261 4 月 28 日訊,近日,長鑫存儲技術有限公司與美國半導體公司 Rambus 簽署專利許可協議。根據協議,長鑫存儲從 Rambus 獲得大量動態隨機存取存儲(以下簡稱“DRAM”)技術專利的實施許可
2020-04-29 09:27:38
5040 今年2月底,長鑫存儲官方宣布,符合國際標準規范的自產DDR4內存芯片、DDR4內存條、LPDDR4內存芯片全面開始供貨,這也是DDR4內存第一次實現真正國產,并采用國產第一代10nm級工藝制造
2020-05-22 11:47:37
9678 電子發燒友網報道(文/黃晶晶),日前從長鑫存儲官網查閱到,長鑫存儲已正式發布LPDDR5/5X內存。 ? 據官網介紹,LPDDR5/5X 是第五代超低功耗雙倍速率動態隨機存儲器。通過創新的封裝技術
2025-10-30 09:12:55
5305 
電子發燒友網綜合報道,近日,長鑫存儲首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產品線最新產品。 ? 長鑫存儲最新的DDR5產品是中國首個自主研發的DDR5。該產品系列最高速率達8000Mbps,最高
2025-11-25 08:27:00
8146 
。
該貯箱采用了5米級長筒段,首次實現了國內近2米級筒段向5米級筒段的重大跨越,標志著我國已初步掌握長筒段研制技術,火箭在高質量、高效率、低成本研制上又取得重大突破。長筒段將現有多個筒段整合為一,有效
2021-07-06 10:02:35
理,相比之下在SRAM存儲芯片上一個bit通常需要六個晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。 DRAM存儲原理 DRAM的每一位存儲單元采用一個晶體管和小電容來實現
2020-12-10 15:49:11
高科技產業的技術、產品還可長可久,投資于此,理所當然。DRAM制程推進已很緩慢,目前的制程是1y,有EUV的助力,也許可以推進到1z,但是1a呢?很多人持疑。即使可以,也是事倍功半的努力。對于一個商業公司
2018-10-12 14:46:09
某16K x 4的存儲體由16個字長為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時擴展而成,DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲矩陣。分析:由題得,16個DRAM芯片需要先在位方向擴展為4位得
2022-03-02 06:18:45
鑫達科技近期以來取得重大技術突破且擁有成熟解密方案的優勢解密系列,針對各種IC芯片,目前我們均能夠提供高效可靠、價格合理的芯片解密方案。 MPC82G516芯片解密是其中成功破解的典型芯片
2012-09-29 11:29:00
比同容量的SRAM更少的地址引腳。二、DRAM芯片的刷新技術由于DRAM的特性決定,DRAM能存儲電荷的時間非常短暫,這樣它需要在電荷消失之前進行刷新,直到下次寫入數據或者計算機斷電才停止。每次讀寫
2010-07-15 11:40:15
CPU、內存和加速器,可能改變內存池化、共享的架構。
國產化:中國在存儲芯片領域(尤其是DRAM和NAND)投入巨大,長江存儲(NAND)和長鑫存儲(DRAM)是代表,正努力突破技術和產能瓶頸。
6.
2025-06-24 09:09:39
什么是SOI技術?在實現CAN收發器EMC優化方面有哪些重大突破?
2021-05-10 06:42:44
據新華社等多家媒體報道!暢能達科技實現散熱技術重大突破
由 廣東暢能達科技發展有限公司 自主研發的高熱流密度散熱相變封裝基板,其散熱性能遠遠超過現有的金剛石鋁和金剛石銅。該技術可廣泛運用于芯片、微波
2024-05-29 14:39:57
`華爾街日報發布文章稱,科技產品下一個重大突破將在芯片堆疊領域出現。Apple Watch采用了先進的的3D芯片堆疊封裝技術作為幾乎所有日常電子產品最基礎的一個組件,微芯片正出現一種很有意思的現象
2017-11-23 08:51:12
ADI寬帶RFIC實現重大技術突破,大大簡化設計
隨著多種標準在中國的共存,射頻器件需要滿足多種頻段的需求。目前的情況是移動終端的射頻已開始走向部分集成,支持
2010-01-04 14:10:48
862 IBM宣布芯片實現重大突破 可建百萬萬億次電腦
網易科技訊 北京時間3月4日消息 據《自然》雜志報道,IBM的科學家當日宣布,他們用微型硅電路取代銅線實現了芯片間
2010-03-04 08:50:13
769 “第三代”光伏發電技術,也就是綠色光伏發電技術,特點是綠色、高效、價廉和壽命長。中國第三代光伏發電技術又取得了重大突破。
2011-11-30 09:34:38
1197 日前,存儲器芯片主要供應商之一美光公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會,會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術發展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 的生產工藝,合肥長鑫和福建晉華在投產后預計在工藝方面較這些存儲芯片巨頭還有較大差距,在正式投產后還將面臨著良率問題等,需要時間。
值得驚喜的關注,北京兆易創新公司,他們在DRAM技術上取得了突破
2018-04-18 09:12:37
6932 近日于合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”中,長鑫存儲技術有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲器項目的 5 年規劃:2018 年 1 月一廠廠房建設完成
2018-04-18 13:50:00
8123 
長鑫存儲技術有限公司董事長、睿力集成電路有限公司CEO王寧國高調現身合肥集成電路重大項目發布會表示,合肥長鑫作為國內進展最快的存儲器生產基地,近日12吋基地約300臺研發設備已基本全部到位,裝機后今年下半年將全力投片試生產。
2018-04-23 11:25:00
13560 中國三大存儲器勢力還有一大神秘隊伍合肥長鑫,看看背后有著怎么樣的神秘。 揭開合肥存儲器項目神秘 合肥對DRAM的謀劃不僅是合肥長鑫的存儲項目,在2016年3月,就有消息傳出,原爾必達社長坂本幸雄成立的半導體設計公司兆基科技(Sino King Technology)將在中國主導大規模半導體生產項目。
2018-05-02 10:28:00
9953 國內目前有三大存儲芯片基地,紫光主導的長江存儲以武漢為基地,主要生產3D NAND閃存,預計明年正式投產32層堆棧的64Gb閃存,選擇DRAM內存芯片作為重點的有兩大陣營,福建晉華集團聯合臺聯電在
2018-07-20 17:48:19
9888 中國DRAM存儲器產業自主化更是刻不容緩的一條艱巨道路。中國目前在全球個人計算機、智能手機、服務器/數據中心以及未來新時代的AI人工智能以及物聯網均扮演關鍵地位,聯想品牌已是全球PC市占率最高的廠商
2018-07-23 15:12:24
17648 據國際電子商情,日前,消息稱長鑫存儲DRAM項目正式首次投片,啟動試產8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:03
13272 
日前,合肥長鑫的DRAM正式投片,產品的規格為為8Gb LPDDR4。可以說,近期國內三大存儲芯片工廠好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:50
9922 7月16號,中國DRAM代表廠商合肥長鑫召開存儲器項目首次投片總結大會,在會上傳出消息,合肥長鑫即將進行8GB LPDDR4的投片,成為中國第一家邁向高端存儲投片階段的存儲器廠商。中國市場的存儲
2018-11-29 16:51:05
18310 隨著福建晉華和合肥長鑫兩大陣營投入研發 DRAM 技術,若兩大廠研發成功且量產,西安紫光國芯的DRAM設計實力恐與這兩家再度拉大,合并紫光國芯后的紫光存儲要如何進行大整合,以發揮集團的存儲戰力,還待時間觀察。
2019-02-25 10:22:49
10153 從福建晉華被美國宣布列為禁止出口的制裁名單后,國內存儲產業發展氣氛轉為低調,業界更擔心另一家 DRAM 自主研發大廠合肥長鑫會踩到前人地雷,然合肥長鑫首席執行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:38
9805 據悉,臺灣工業技術研究院(ITRI)下屬的電子與光電子系統研究實驗室(EOSRL)日前宣布,在Micro LED芯片巨量轉移技術上實現了重大突破。
2019-05-24 15:29:25
2508 日前,據消息人士稱,合肥長鑫存儲為減少美國制裁威脅,已經重新設計了DRAM芯片,以盡量減少對美國原產技術的使用。
2019-06-14 10:46:28
19830 長鑫存儲已經重新設計DRAM芯片,以盡量減少對美國原產技術的使用。
2019-06-14 15:54:36
3777 來到DRAM方面,國產存儲三大勢力之一的合肥長鑫在七月中下旬正式投片,產品規格為8Gb LPDDR4,這是國產DRAM產業的一個里程碑。據合肥長鑫的王寧國之前的披露,合肥長鑫的一廠廠房已經于2018年1月建設完成,設備也開始安裝。
2019-08-30 11:22:22
1657 
作為中國DRAM產業的領導者,長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉變,用自主研發的DRAM技術和專利,引領中國實現DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00
832 在早前長江存儲宣布它已研發出64層NAND flash芯片之后,近日合肥長鑫也宣布已解決DRAM芯片的技術難題并已進入小規模生產,這意味著困擾中國制造業的芯片產業取得了重大突破,這為中國制造業的轉型升級提供有力的支持。
2019-08-30 14:08:09
981 20日在安徽合肥召開的2019世界制造業大會上,總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產,其與國際主流DRAM產品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相,一期設計產能每月12萬片晶圓。
2019-09-20 15:57:16
4487 昨日,長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士披露了DRAM技術發展現狀和未來趨勢。作為中國DRAM產業的領導者,長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉變,用自主研發的DRAM技術和專利,引領中國實現DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:07
8443 在深圳舉辦的中國閃存技術峰會上,長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士進行了《DRAM技術趨勢與行業應用》的演講。
2019-09-20 16:52:56
4030 在9月20日-23日安徽合肥舉行的2019世界制造業大會上,長鑫存儲宣布DRAM生產線投產。這標志著我國在內存芯片領域取得重大突破。合肥將依托長鑫存儲引進芯片設計、封裝測試、裝備材料、智能終端類項目,打造空港集成電路配套產業園。
2019-09-24 15:40:05
2418 最新消息,今天在安徽合肥召開的2019世界制造業大會上,總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產,其與國際主流DRAM產品同步的10nm級第一代8Gb DDR4首度亮相,一期
2019-11-14 15:31:36
3283 中國的技術自給自足之路正處于重大突破的邊緣,新生的芯片產業有望在 2020 年底之前從去年的幾乎為零的產量增長到世界 5%的存儲芯片生產。
2019-11-22 16:46:58
1191 存儲器產品占到了我國每年進口半導體芯片中的大頭,其中DRAM內存芯片占比最高,有20%以上。
2019-11-27 17:01:15
2508 根據AnandTech的報道,長鑫存儲科技有限公司已經開始使用19納米制造技術生產DDR4內存。目前,該公司已經制定了至少兩個10納米級制造工藝的路線圖,并計劃在未來生產所有類型的DRAM。不僅如此,長鑫存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產量。
2019-12-03 10:46:22
4970 12月3日消息,根據消息報道,長鑫存儲科技有限公司已經開始使用19納米制造技術生產DDR4內存。目前,該公司已經制定了至少兩個10納米級制造工藝的路線圖,并計劃在未來生產所有類型的DRAM。不僅如此,長鑫存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產量。
2019-12-03 14:22:48
3838 長鑫存儲技術有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯合宣布,就原內存制造商奇夢達開發的DRAM內存專利,長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協議和專利采購協議。
2019-12-06 09:35:50
1187 長鑫存儲技術有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯合宣布,就原內存制造商奇夢達開發的DRAM內存專利,長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協議和專利采購協議。
2019-12-06 09:37:45
3817 12 月 5 日訊,在近日召開的 2019 世界制造業大會上,總投資約 1500 億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產,其與國際主流 DRAM 產品同步的 10 納米級第一代 8Gb DDR4 首度亮相,一期設計產能每月 12 萬片晶圓。
2019-12-06 10:53:10
2505 近日,據外媒報道,長鑫存儲正式宣布其成為了國內第一家也是唯一一家DRAM供應商。
2019-12-09 16:18:52
7140 近日,長鑫存儲技術有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯合宣布,就原動態隨機存取存儲芯片(DRAM)制造商奇夢達開發的DRAM專利,長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協議和專利采購協議。
2019-12-10 15:20:39
3829 12 月 10 日訊,長鑫存儲獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告,將生產國產第一代 10nm 工藝級 8Gb DDR4 內存芯片。標志著長鑫存儲正式成為了國內第一家也是唯一一家 DRAM 供應商。
2019-12-10 16:01:53
2748 長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(即19nm工藝)來制造4GB和8GB的DDR4內存芯片,目標是在2020年第一季度上市。現在,一名用戶就曝光了新款內存的外觀和參數。
2020-02-26 15:01:13
9620 2 月 27 日訊,日前,國產芯片代表企業長鑫存儲官方正式上線 DRAM 產品,包括 8Gb DDR4 芯片、8GB DDR4 內存條、2GB/4GB LPDDR4X 產品,均符合國際通行標準規范
2020-02-28 14:23:35
2530 千呼萬喚始出來,前兩天國內DRAM內存終于迎來了歷史性一刻——合肥長鑫的DDR4內存終于開始對外供貨了。
2020-02-29 11:16:03
6311 據韓媒Business Korea報道,長鑫存儲技術有限公司啟動DRAM芯片銷售,成為中國第一家DRAM芯片供應商。中國企業正在逐步增加在DRAM和NAND閃存市場的份額。
2020-02-29 14:50:56
3824 如果說處理器等領域,中國半導體行業還有些存在感,那么存儲市場就幾乎為零了。
2020-03-11 10:44:56
4255 據合肥在線報道,3月25日晚,一架搭載2臺共34噸精密設備的波音747全貨機在合肥新橋國際機場落地,解決了本地長鑫存儲公司疫情期間設備進口的燃眉之急。
2020-04-03 16:42:05
4588 近日,我國在基于量子中繼的量子通信網絡技術方面取得重大突破,在國際上首次實現相距50公里光纖的存儲器間的量子糾纏。
2020-04-03 17:58:44
3811 江波龍嵌入式存儲品牌FORESEE推出了3款國產化內存,核心DRAM均采用長鑫存儲的顆粒,這標志著中國存儲在質量上開始參與市場競爭。
2020-05-15 14:18:15
3534 6月6日,長三角一體化發展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行最近,其中,長鑫存儲技術有限公司、蘇州瑞紅電子化學品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約《長鑫12英寸
2020-06-08 17:00:50
5239 近年來,以中芯國際、長江存儲、合肥長鑫為代表的本土半導體制造企業正分別在邏輯電路芯片、3DNAND存儲芯片、DRAM存儲芯片領域布局先進制程產能,也是中國半導體制程工藝技術走在最前沿的企業。
2020-07-14 14:49:45
4203 長鑫存儲今年年底產能可達12萬片,預計將超越南亞科技,屆時市占率將僅次于三大巨頭。此外,長鑫 17nm工藝即將出世,明年可實現大規模量產。 報道稱,長鑫存儲 19nm DRAM 工藝已于 2020
2020-09-03 15:08:00
6616 
在2019年,國內的內存以及閃存領域分別有一個重大的突破,長江存儲量產64層3D閃存,合肥長鑫則量產了DDR4內存,而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內存芯片廠。
2020-09-18 14:18:46
3335 生產能力為“零”。在我國不斷強調科技創新,“關鍵核心技術實現重大突破”的大背景下,未來存儲芯片***空間極為廣闊!
三、合肥長鑫+長江存儲吹響
2020-11-03 12:27:32
3601 
12 月 1 日消息,英文媒體此前曾多次報道,存儲芯片制造商今年下半年的處境并不樂觀,行業內供過于求,三星電子和其他主要制造商 DRAM 和 NAND 閃存的平均庫存,已接近 4 個月。 但從英文
2020-12-01 17:39:58
2292 的非易失性存儲器類型(PCM和MRAM)將在獨立存儲器中處于領先地位。 傳統存儲芯片到達技術節點 存儲器產業如今形成了DRAM芯片、NADA Flash芯片、特殊存儲器三個相對獨立的市場。 然而,隨著摩爾定律的延伸,技術需求也越來越高,傳統存儲芯片
2020-12-06 06:57:00
4266 理,相比之下在SRAM存儲芯片上一個bit通常需要六個晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。存儲芯片供應商宇芯電子本篇文章主要介紹關于DRAM的基本知識。 DRAM存儲原理 DRAM的每一位存儲單元采用一個晶體管和小電容來實現。若寫入位
2020-12-11 15:11:29
4696 
芯片已成為世界各國科技角力的主陣地,但最近全球卻面臨一個重大的問題——“芯片荒”。
2020-12-25 11:11:19
3759 ? DRAM廠商長鑫存儲完成156億元融資,內存芯片的國產替代之路又獲資金助力。12月14日,工商信息顯示,大基金二期、安徽國資、兆易創新及另一家朱一明實控企業、小米長江產業基金等機構入股長鑫存儲
2020-12-25 17:49:10
6588 ? 國產DRAM廠商長鑫存儲母公司睿力集成電路有限公司已成功完成156.5億元的增資,國產DRAM發展再獲強勁助力。 ? 根據天眼查資料顯示,12月14日,國產DRAM廠商長鑫存儲母公司發生工商信息
2021-01-08 10:36:42
7501 華為中國芯片技術最新突破:因為疫情和美國的芯片禁令導致中國缺芯問題愈發嚴重,華為和中國的很多的芯片企業都在積極地解決問題,華為海思的芯片技術也有了重大突破,國產14nm芯片將會在明年年底量產。
2022-01-10 11:04:20
32799 中國存儲器的努力已縮小到兩個最有前途的參與者,即 NAND 的 YMTC 和 DRAM 的長鑫存儲技術 (CXMT),它們得到了蓬勃發展的半導體生態系統的支持。
2022-05-10 15:04:11
4586 
近日,全球領先的集成電路制造和技術服務提供商長電科技宣布,公司在先進封測技術領域又取得新的突破,實現4納米(nm)工藝制程手機芯片的封裝,以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝。
2022-07-22 11:46:41
3975 日前,甲子光年舉辦的“2022科技產業投資峰會”長鑫存儲入選“2021—2022年度半導體與集成電路最具投資價值公司”。長鑫存儲作為國內專業從事DRAM芯片設計、研發、生產和銷售領軍企業,是唯一實現
2022-08-04 16:23:14
3700 
華為芯片迎重大突破:目前華為的麒麟系列芯片已經成為世界上最強大的移動芯片之一,被廣泛應用于華為自家的旗艦手機以及平板電腦等設備上。 華為一直是全球領先的芯片設計和制造企業之一,近年來通過自主研發
2023-09-06 11:14:56
4987 長鑫存儲12gb lpddr5芯片目前已經在韓國主流手機制造商小米、傳音等品牌機型上完成了驗證。lpddr5是長鑫存儲針對中高端移動機器市場推出的產品,市場化將進一步完善長鑫存儲的dram半導體產品配置。
2023-11-29 09:31:10
2769 長鑫12GB LPDDR5芯片由8個12Gb顆粒封裝,這是長鑫存儲首款采用層疊封裝(Package on Package)的芯片產品。
2023-11-29 11:11:33
2566 與上一代LPDDR4X相比,長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達到12Gb和6400Mbps,同時功耗降低30%。長鑫存儲LPDDR5芯片加入了RAS功能,通過內置糾錯碼(On-die ECC)等技術,實現實時糾錯,減少系統故障,確保數據安全,增強穩定性。
2023-11-30 17:39:06
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據國家知識產權局公告,長鑫存儲技術有限公司取得一項名為“時鐘信號生成電路、方法及存儲器”的專利,授權公告號CN116631469B,申請日期為2023年7月。
2023-12-04 10:03:44
1191 LPDDR5芯片目前已在國內主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。LPDDR5是長鑫存儲面向中高端移動設備市場推出的產品,它的市場化落地將進一步完善長鑫存儲DRAM芯片的產品布局。 其中,12GB
2023-12-13 11:12:08
1383 ”;這是我國在光存儲領域獲重大突破。有助于解決大容量和節能的存儲技術難題。 利用國際首創的雙光束調控聚集誘導發光超分辨光存儲技術,實驗上首次在信息寫入和讀出均突破了衍射極限的限制,實現了點尺寸為54nm、道間距為70
2024-02-22 18:28:45
2307 本輪所有投資人均以相同條款及價格,與長鑫科技、上述三個早期股東簽署增資協議,并將簽署《關于長鑫科技集團股份有限公司之股東協議》,共同參與長鑫科技增資事項。
2024-03-30 14:48:50
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1.88%股權。 兆易創新表示,本次對長鑫科技投資,有利于加深雙方戰略合作關系,發揮在代工產能和技術優勢等方面的產業鏈協同,通過強化協同聯動,在存儲器業務領域持續深化合作,實現互利共贏。長鑫科技本輪融資完成后,將繼續推進產
2024-04-02 15:27:35
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三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達到1b nm級別,并計劃在今年內啟動1c nm DRAM的量產工作。
2024-04-16 15:22:30
1327 如果內存是一個巨大的矩陣,那么DRAM芯片就是這個矩陣的實體化。如下圖所示,一個DRAM芯片包含了8個array,每個array擁有1024行和256列的存儲單元。
2024-07-26 11:41:30
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速率動態隨機存儲器。通過創新的封裝技術和優化的內存設計,長鑫存儲 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有顯著提升,目前提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量,最高速率達到10667Mbps ,達到國際主流
2025-10-30 09:53:28
937 據報道,長鑫存儲技術有限公司(CXMT)公布了最新的DRAM技術路線圖,從其路線規劃來看,其研發的產品線包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6, 雖然未公布具體時間節點
2019-12-03 18:18:13
23542 價格一路走跌, 2019 年底稍有回暖跡象。 國產存儲芯片在剛剛過去的 2019 年成長顯著,兆易創新受益于 TWS 業績一路攀升,長江存儲 64 層 256 Gb 3D NAND 量產,長鑫存儲 10
2020-01-06 08:30:00
26712 近兩年,國內存儲產業發展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,長江存儲、合肥長鑫相繼宣布64層3DNAND量產、DDR4內存芯片量產,實現從0到1的突破。 今年,基于長江存儲64層
2020-07-14 09:26:57
12532 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)終于!國內DRAM龍頭長鑫科技在2025年的尾巴向上交所遞交招股書,擬在科創板掛牌上市。成立于2016年的長鑫專注于DRAM存儲芯片的全產業鏈布局,填補了中國大陸本土
2026-01-01 04:09:00
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