長鑫儲存將生產19nm DDR4內存，計劃再建兩個晶圓廠
12月3日消息 根據AnandTech的報道，長鑫存儲科技有限公司已經開始使用19納米制造技術生產DDR4內存。目前，該公司已經制定了至少兩個10納米級制造工藝的路線圖，并計劃在未來生產所有類型的DRAM。不僅如此，長鑫存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產量。
據報道，目前，長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(即19nm工藝)來制造4GB和8GB的DDR4內存芯片，目標是在2020年第一季度上市。長鑫存儲還將使用同樣的技術將在2020年下半年制造LPDDR4X內存。該公司的技術路線圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內存。
根據之前的報道，長鑫存儲誕生于2016年，專業從事動態隨機存取存儲芯片(DRAM)的研發、生產和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠。
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