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電子發燒友網>存儲技術>合肥長鑫提升19nm DRAM內存芯片產能 目標是月產4萬片晶圓

合肥長鑫提升19nm DRAM內存芯片產能 目標是月產4萬片晶圓

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合肥即將試產DRAM 2019年底可單月產能2

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臺積電南京廠預計在2020年實現月產能2 雙倍于現在的月產能

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模擬生產線產能需求旺盛,國內現有產能嚴重不足

未來5年,國內模擬芯片市場規模將超過350億美元,假設按照未來模擬芯片國內自主供應能達到50%,那么產能需求為118/月,未來五年國內還將新增27/月的產能,國內既有產能加上確定增加的產能約為50/月,仍有70/月缺口,供需不平衡的絕對值反而越拉越大。
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臺積電南科晶圓廠發生了污染事件,預估報廢上片晶

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中國大陸產能增幅創全球之最!

據IC Insights最新的調查報告顯示,中國臺灣IC晶圓廠月產能達到 412.6 約當 8 吋,全球比重占 21.8%,位居世界第一。
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中國制造廠現狀跟蹤報告

根據芯思想研究院的統計,截止2018年底我國12英寸制造廠裝機產能約60;8英寸制造廠裝機產能約90;6英寸制造廠裝機產能約200;5英寸制造廠裝機產能約90;4英寸制造廠裝機產能約200。
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當做夾饃,來好好聊聊良率那些事兒!

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避免被封殺!合肥重新設計DRAM芯片!

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存儲內存芯片自主制造項目宣布投產 一期設計產能每月12片晶

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存儲DRAM芯片實現重大技術突破

國產半導體又有一家公司強勢崛起,這就是。就在昨天的世界制造業大會上,投資1500億的存儲內存芯片項目宣布投產,一起亮相的還有與國際主流同步的10nm第一代8Gb DDR4
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西安紫光國芯將展示全系列內存產品 包括DDR4

隨著紫光、合肥正式進軍DRAM內存行業,國產自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發。除此之外,紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內存芯片研發,他們將在集邦科技的2020存儲產業趨勢峰會上公開展示自研的內存,包括最新的16GB DDR4內存等。
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存儲DRAM芯片投產 力爭未來成為這個領域的領先者

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合肥量產DDR4內存 暫時不會產生什么大影響

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2019-11-19 10:44:313626

國產紫光DDR4內存亮相,年底完成DDR4內存研發并推向市場

隨著紫光、合肥正式進軍DRAM內存行業,國產自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發。除此之外,紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內存芯片研發,他們將在集邦科技的2020存儲產業趨勢峰會上公開展示自研的內存,包括最新的16GB DDR4內存等。
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環球韓國子公司MKC第2座工廠竣工 未來月產能將達到17.6片晶

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儲存將生產19nm DDR4內存,計劃再建兩個晶圓廠

根據AnandTech的報道,存儲科技有限公司已經開始使用19納米制造技術生產DDR4內存。目前,該公司已經制定了至少兩個10納米級制造工藝的路線圖,并計劃在未來生產所有類型的DRAM。不僅如此,存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產量。
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自主內存芯片投產 國內DRAM產業迎來重大突破

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2019-12-06 10:53:102505

明年Q2產能提高一倍,存儲每月4

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內存17nm工藝芯片即將量產,19nm芯片產能翻倍

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內存:七彩虹發布國創戰戟內存條 采用合肥DDR4內存

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存儲今年年底產能可達12,預計將超越南亞科技,屆時市占率將僅次于三大巨頭。此外, 17nm工藝即將出世,明年可實現大規模量產。 報道稱,存儲 19nm DRAM 工藝已于 2020
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2020-09-09 16:37:362341

5nm芯片戰爭即將打響

5nm訂單還在不斷涌入臺積電,因此,該公司還在不斷擴充5nm產能,目前的產能是6片晶/月,南科工業園的Fab 18工廠P3工程將于今年第四季度量產,明年第二季度P4工程還會進一步增加約1.7片晶/月。據悉,隨著這些工廠的擴產,臺積電的5nm產能將從目前的6
2020-09-11 15:15:113011

預計在2021年完成低功耗高速率17nm工藝內存芯片

在2019年,國內的內存以及閃存領域分別有一個重大的突破,長江存儲量產64層3D閃存,合肥則量產了DDR4內存,而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內存芯片廠。
2020-09-18 14:18:463335

未來幾年8吋的需求會更強勁

談到代工產能吃緊,IC設計業者分析,主因半導體的應用范圍愈來愈廣,但代工產能擴充速度跟不上,尤其有些芯片的面積大,一片晶甚至做不到1,000顆芯片,需要更多晶量生產。
2020-09-29 14:24:192462

臺積電預計四季度將出貨的15片晶的5nm芯片中,約90%是蘋果訂單

隨著投產時間的延長,臺積電5nm工藝的產能也會有提升,外媒在報道中表示,臺積電方面預計他們5nm芯片在四季度的出貨量將超過15片晶。 由于在9月14日之后不能繼續為華為代工芯片,在5月15日之后
2020-10-21 09:25:451858

中芯國際發布2020年Q3財報,創歷史新高

由于中芯國際沒有公布14nm及28nm的具體比例,但是今年中中芯國際重點建設的就是14nm工藝,預計貢獻最多的還是14nm工藝,今年底前目標月產能1.5,上海項目建成之后是3.5片晶/月的產能。
2020-11-19 14:28:021904

臺積電正按計劃推進3nm工藝在2022年下半年量產

最新的報道顯示,臺積電正在按計劃推進3nm工藝在2022年下半年大規模量產,消息人士透露,臺積電為這一工藝在2022年下半年設定的月產能是5.5片晶。 隨著量產時間的延長,3nm工藝的產能也將提升,外媒在報道中就表示,3nm工藝月產能在2023年將提升至每月10片晶
2020-11-25 13:52:562274

臺積電四季度給蘋果出貨 1.8 片晶的 M1 芯片

三星有望獲得蘋果部分 M1 芯片的代工訂單。 目前還不清楚臺積電將為蘋果代工多少顆 M1 芯片,但外媒在最新的報道中表示,蘋果與臺積電簽訂的協議,是在四季度出貨 1.8 片晶的 M1 芯片。 不過,有外媒在報道中也表示,臺積電四季度向蘋果出貨 1.8 片晶
2020-12-10 09:00:591816

合肥加速開發17nm工藝內存研發

在量產國內首個8Gb DDR4芯片之后,合肥日前又獲得了156億元的巨額投資,將加速開發17nm工藝的DDR5內存研發及生產。
2020-12-18 09:53:145086

國產內存加速 DRAM廠商存儲完成156億元融資

? DRAM廠商存儲完成156億元融資,內存芯片的國產替代之路又獲資金助力。12月14日,工商信息顯示,大基金二期、安徽國資、兆易創新及另一家朱一明實控企業、小米長江產業基金等機構入股長存儲
2020-12-25 17:49:106588

內存漲價 三星進一步削減產能:每月減少1片晶產能

多種因素所致,內存行業開始加大備貨力度了,然而三星這時候的動作并不一致,他們依然計劃削減2021年的內存投資,減少產能。 韓國媒體報道,三星原本計劃2021年新增內存產能4片晶/月,現在決定將產能投資減少到3片晶/月,削減了1片晶
2020-12-29 09:10:002170

三星2021年將新增內存產能4片晶

2020年內存價格雖然總體還在跌,但是年底的2個月中風向已經變了,部分內存芯片價格開始上漲,甚至1個月內存漲了10%,這給2021年的內存市場漲價發出了信號。
2020-12-29 09:12:462427

美光全球首創1αnm DRAM內存芯片

美光今天宣布,已經開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內存芯片,這也是迄今為止最先進的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896

長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片月產量提高一倍

兩名知情人士表示,長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片月產量提高一倍,至10片晶,約占全球總產量的7%。這將有助于該公司縮小與全球先進制造商之間的差距。據悉,三星電子目前每月約生產48片晶,而美光的月產能約為18
2021-02-01 17:40:3610445

產業鏈人士:臺積電計劃在下半年提升至每月12片晶

,芯片廠商對臺積電5nm工藝的需求也越來越高,臺積電也在不斷提高他們5nm工藝的產能。 產業鏈人士透露,臺積電5nm制程工藝的月產能,在去年四季度達到了9片晶,在今年上半年仍將繼續提升,將提升到每月10.5片晶。 這一產業鏈人士還透
2021-02-27 11:06:382350

臺積電計劃在下半年提升至每月12片晶

產業鏈人士透露,臺積電5nm制程工藝的月產能,在去年四季度達到了9片晶,在今年上半年仍將繼續提升,將提升到每月10.5片晶。
2021-03-03 09:55:141455

合肥規劃2021年完成17nm技術研發

合肥存儲技術有限公司于 2016 年成立,從事 DRM 內存顆粒的設計、研發、生產和銷售,目前已建成一座 12 英寸晶圓廠并投產,其生產的 DDR4 內存顆粒被威剛、江波龍、臺電廠商等應用。
2021-03-05 10:49:037032

合肥12英寸存儲器實現了從投產到量產再到批量銷售的關鍵跨越

3月5日,合肥產投集團官微發文《潮起正是揚帆時——合肥產投集團成立六周年發展紀實》,透露了合肥國產內存產能情況。
2021-03-09 14:15:394379

中芯目標實現最終每月約412吋產能

并提供技術服務,旨在實現最終每月約412吋產能。預期將于2022年開始生產。 待最終協議簽訂后,項目的新投資額估計為23.5億美元,折合人民幣約為153億元。各方的實際出資額將根據第三方專業公司對中芯深圳所作評估而定。中
2021-03-30 11:24:332607

臺積電P14廠受到停電的影響,大概會有3片晶受影響

南科業者指出,臺積電P14廠受到今天停電的影響,大概會有3片晶受影響,至于會不會全部報廢,還需要等臺積電進一步評估。3片晶要看當時制程情況,部分應該可搶救回來,另外臺積電有保險,實際損失應該可進一步降低。
2021-04-19 14:30:421739

臺積電5nm制程工藝產能提升 今年向3nm工藝邁進

臺積電已經提升了5nm制程工藝的產能,月出貨量已經增至15片晶,早于產業鏈此前透露的三季度。
2022-04-02 15:41:193067

三星去年產能超越臺積電,位居世界第一

據Knometa Research發布的《2022年全球產能報告》顯示,去年全球月產能達到了2143,排名前五的大廠平均每月的產量達到了1220,相比2020年增長了10%,占據了2021年月產量的57%。
2022-04-12 17:33:202609

Q2展望不佳,傳蘋果再次下修12片晶量;小米汽車全新諜照曝光,車頭極

熱點新聞 1、Q2展望不佳,傳蘋果再次下修12片晶量 外媒日前引述半導體供應鏈業者“手機晶片達人”爆料,稱蘋果公司日前再度下修向臺積電的數量,此次下修總數達12,影響包含N7
2023-02-20 20:25:041072

片晶可以產出多少芯片?

片晶可以產出多少芯片?第97期芯片的制造過程可以分為前道工藝和后道工藝。前道是指制造廠的加工過程,在空白的硅片完成電路加工,出廠后依然是完整的圓形硅片。后道是指封裝和測試過程,在封測廠中將
2023-05-30 17:15:039670

2024年中國碳化硅產能,或超全球總產能的50%

天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅/襯底產能,目前這些中國企業每月的總產能約為6。隨著各公司產能釋放,預計2024年月產能將達到12,年產能150。
2023-11-24 15:59:233723

爆火!產能激增800%!

,SK海力士的1b DRAM產能預計將從第一季度的每月1片晶增加到年底的每月9,增幅達800%, 且這一目標較去年年末給出的7片目標高出近三成。SK海力士還計劃到明年上半年將1b DRAM產量增加到14至15,是今年一季度產能的14-15倍,最高較今年年末產能目標增超65%。 “如果S
2024-06-19 09:15:47698

明年全球CoWoS產能需求將增長113% 臺積電月產能將增至6.5片晶

、SPIL)和安靠(Amkor)正在擴大產能。根據DIGITIMES Research最新關注全球CoWoS封裝技術和產能的報告,到2025年第四季度末,臺積電的月產能預計將增至6.5以上12英寸
2024-11-01 16:57:541187

SK海力士增產HBM DRAM,應對AI芯片市場旺盛需求

SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內存(HBM)的DRAM產能,目標是將每月產能從去年的10增加至17,這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外,其他領先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應。
2025-01-07 16:39:091310

攻克存儲芯片制造瓶頸:高精度切割機助力DRAM/NAND產能躍升

在存儲芯片DRAM/NAND)制造中,劃片是將整片晶分割成單個芯片(Die)的關鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續增加、日益變?。ㄓ绕鋵τ诟呷萘?DNAND),傳統劃片工藝帶來
2025-08-08 15:38:061028

30/月晶圓廠投產!國產存儲如何激活PCB千億配套市場

三星、美光暫停 DDR5 報價引發的供應鏈焦慮,正加速國內存儲芯片產能擴張 —— 存儲合肥新晶圓廠已進入設備調試階段,2026 年一季度將實現 30 / 月的 DDR5 產能,全球
2025-11-08 16:15:571700

國產內存條量產,DRAM芯片產業發展提速!

近兩年,國內存儲產業發展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,長江存儲、合肥相繼宣布64層3DNAND量產、DDR4內存芯片量產,實現從0到1的突破。 今年,基于長江存儲64層
2020-07-14 09:26:5712533

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