6月13日消息，據日經新聞引述未具名消息人士稱，長鑫存儲已經重新設計DRAM芯片，以盡量減少對美國原產技術的使用。

該消息人士表示，長鑫存儲還無法完全消除威脅，其生產中依然會使用到美國的半導體設備(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys)，但重新設計能夠降低威脅，避免觸及美國的知識產權。

長鑫存儲董事長兼CEO朱一明去年10月曾前往歐洲，與歐洲最大的半導體設備供應商ASML商談合作，并訪問了比利時的IMEC，這是一家專注于納米電子和數字技術的開創性研究機構。由此可見，長鑫正在尋求美國以外的供應商的支持。

長鑫存儲是在合肥市政府和兆易創新共同推動下成立的，整個項目預計總投資超過72億美元。消息人士指出，長鑫最初每月將生產約10,000片晶圓，雖然需要經歷某種學習曲線，但是按照計劃，到2019年年底，長鑫存儲產能將達到2萬片/月。

根據長鑫存儲去年透露的DRAM項目5年規劃，將在2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能達到2萬片/月。從2020年開始，開始規劃二廠，2021年完成17nm研發。

CINNO分析師Sean Yang指出，與全球130萬片DRAM 硅晶圓的月產量相比，長鑫的產能仍然較小，但對于目前完全無法自制DRAM的中國大陸來說，卻是一大突破。

長鑫存儲DRAM技術來源于奇夢達，之后通過與國際大廠合作，持續投入研發超過25億美元，并不斷完善自身研發技術，目前已累積有1萬6千個專利申請。

奇夢達是從英飛凌拆分出來的知名DRAM大廠，但在2009年1月，奇夢達向法院申請破產保護。奇夢達慕尼黑研發中心和中國研發中心（位于西安高新區）是較大的兩大研發中心。