日前，據消息人士稱，合肥長鑫存儲為減少美國制裁威脅，已經重新設計了DRAM芯片，以盡量減少對美國原產技術的使用。

近日，媒體報道稱合肥長鑫公司計劃在今年底量產首款內存芯片，是8Gb LPDDR4顆粒，預計Q4季度產能約為2萬片晶圓/月，不過產能最終會擴大到12.5萬片晶圓/月。

在國內布局的三大存儲芯片基地中，紫光旗下的長江存儲240億美元的投資主要是NAND閃存，DRAM內存有福建晉華以及合肥長鑫，前者跟聯電合作，因為跟美光產生了專利糾紛被美國制裁，發展前景并不樂觀，那長鑫公司會不會面臨美國的打壓？

對于這個問題，合肥長鑫一開始也注意到了產權的問題，日經新聞亞洲版日前報道稱合肥長鑫重新設計了DRAM內存芯片，盡可能減少美國技術的使用。

不過在這方面，長鑫暫時還無法完全擺脫美國公司的限制，美國應用材料（Applied Materials）、Lam Research及科磊KLA-Tencor等公司生產的半導體制造設備、材料以Cadence和Synopsys等公司的EDA工具是全球半導體行業都繞不開的。

此前上海舉辦的GSA峰會上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明發表了《中國存儲技術發展與解決方案》主題演講，其中就提到了長鑫DRAM內存的技術來源。|中國半導體論壇公眾號|朱一明表示長鑫存儲通過與其合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據收歸囊中，這也是公司最初的技術來源之一。長鑫存儲在所接收技術和國際合作的基礎上，利用專用研發線，展開世界速度的快速迭代研發，已持續投入晶圓超過15000片。

根據長鑫公司之前公布的計劃，合肥長鑫的一廠廠房已經于2018年1月建設完成，設備也開始安裝。根據計劃，長鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規劃二廠，2021年則完成17nn的研發。