報價。SK海力士、三星電子等諸多廠商的業績也是屢創新高。多家機構預測存儲漲價形勢將延續到第四季度甚至明年。 ? 漲價形勢 ? 據韓媒報道，三星電子近日通知主要客戶，將在第四季度上調產品合約交易（大宗）價格，其中DRAM上漲15%-30%，NAND上漲5
2025-10-10 08:28:00
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? ? 電子發燒友網報道（文/黃晶晶）邊緣AI需要更快更大容量的存儲，為了突破接口速率、物理距離等因素，適用于AI推理的新型存儲技術受到更多的關注。華邦電子的CUBE、兆易創新的堆疊存儲，以及北京君
2025-09-08 06:05:0011620 
英尚代理的恒爍半導體NOR FLASH存儲器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項，為各類嵌入式系統提供可靠的非易失性存儲支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:0136 AI(人工智能)極大地增加了物聯網邊緣的需求。為了滿足這種需求，Etron公司推出了世界上第一款扇入式晶圓級封裝的DRAM——RPC DRAM?支持高帶寬和更小的尺寸。憑借RPC DRAM的性價比和低功耗優勢，創新型DRAM是許多可穿戴設備和物聯網設備上的微型人工智能相機中使用的理想存儲器。
2026-01-05 14:29:3728 AI的飛速發展，正成為驅動全球存儲市場增長的核心動力，市場對DRAM、NAND到SSD/ HDD的存儲全棧需求持續激增。
2025-12-29 10:45:43538 
DRAM 被組織成層次化的陣列，總共由數十億個 DRAM 單元組成，每個單元存儲一位數據。
2025-12-26 15:10:02647 
eMMC全稱為 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存儲，它彌補了 FPGA 芯片自身存儲能力的不足，為 FPGA 提供一個高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:283972 
全球存儲解決方案領域的領軍企業Kioxia Corporation今日宣布，已研發出具備高堆疊性的氧化物半導體溝道晶體管技術，該技術將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。這項技術已于12月
2025-12-16 16:40:501027 在存儲技術快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業界關注焦點。它不同于傳統的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數據，兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04242 把時間撥回到上世紀80年代，個人PC的興起對存儲技術提出了全新要求，也預示著一場深刻變革的到來。當時間演進至1988年，在存儲技術的關鍵分水嶺上，“高密度非易失性存儲”正從實驗室走向產業化的前沿。也
2025-12-11 08:58:591394 
示波器與探頭的組合是電子測量核心，其兼容性直接決定信號采集真實性與測量精度。多品牌共存場景下，跨品牌搭配已成常態，但接口失配、參數沖突易導致測量失真或設備損壞。本文從兼容性核心要素出發，拆解判定邏輯
2025-12-08 16:13:05235 
在電子設備設計中，數據存儲是一個關鍵環節，EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）因其非易失性和可重復編程的特性，成為了眾多應用的理想選擇。今天，我們就來深入探討 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42439 
在內存技術持續革新的今天，SRAM（靜態隨機存取存儲器）和DRAM（動態隨機存取存儲器）依然是計算系統中最核心的存儲組件。盡管出現了MRAM、ReRAM等新興存儲方案，但二者憑借成熟的設計與明確
2025-12-02 13:50:46868 在當今高速發展的3C領域（計算機外設、通信及消費電子），對存儲器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動態隨機存取存儲器作為核心存儲部件，其性能表現直接影響設備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00253 近日，易華錄研發的“全場景磁光電融合智能分級存儲系統”成功入選《2025年度全球計算產業應用案例匯編》，為全球數據存儲行業提供了創新解決方案。
2025-11-27 17:40:10588 在存儲技術快速演進的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產業視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術實現了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術的代表。
2025-11-20 14:04:35244 在嵌入式存儲應用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關注。作為磁性隨機存儲器技術的代表，Everspin磁性隨機存儲器在工業控制、數據中心和汽車電子等領域表現優異。
2025-11-19 11:51:41146 Ω。
TPL0102配備非易失性存儲器（EEPROM），可用于存儲擦刷 位置。這很有好處，因為雨刷位置即使在斷電時也會被存儲，且 開機后會自動恢復。可以訪問TPL0102的內部寄存器 使用 I^2^C接口。
2025-11-19 11:33:38623 
DRAM利用電容存儲數據，由于電容存在漏電現象，必須通過周期性刷新來維持數據。此外，DRAM采用行列地址復用設計，提高了存儲密度，但增加了控制復雜性。它廣泛用于大容量、低成本存儲場景，如計算機內存。
2025-11-18 11:49:00477 ，都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數據能不能留在器件里”來分，存儲芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲芯片就像電腦的內存（像SRAM、DRAM這類
2025-11-17 16:35:402722 
EEPROM是一項成熟的非易失性存儲（NVM）技術，其特性對當今尖端應用的發展具有非常重要的意義。意法半導體（ST）是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲器產品和工藝創新名企之一，其連接安全產品部綜合
2025-11-17 09:30:101633 PSRAM（偽靜態隨機存儲器）是一種兼具SRAM接口協議與DRAM內核架構的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優勢。這種獨特的設計使PSRAM在嵌入式系統和移動設備領域獲得了廣泛應用。
2025-11-11 11:39:04497 地上傳至主站。以下是具體實現邏輯： 一、暫態數據的本地存儲機制 非易失性存儲介質 裝置內置工業級存儲模塊（如 SD 卡、eMMC 閃存或固態硬盤），容量通常為 8GB~64GB，可支持連續存儲數周的高頻暫態數據。例如，某高精度裝置以
2025-11-09 16:43:521103 創飛芯作為國內一站式非易失存儲 IP 供應商 ，獨立開發存儲 IP 及 IC ，為客戶提供一站式定制服務，擁有多項國內外發明專利。
2025-10-30 16:51:43807 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數據，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實現了高速、可靠與長壽命的統一，是存儲技術的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 、能耗、性能和可靠性方面面臨日益嚴格的要求。今天，我們將從設計到出廠的全流程切入，深入剖析存儲芯片（如 DRAM、NAND Flash）制造的制程原理、關鍵技術與挑戰。 一、設計階段：從概念到版圖 # 1. 架構與工藝節點選擇 DRAM ：以 1T1
2025-10-24 08:42:00852 PSRAM之所以被稱為"偽靜態"存儲器，主要是因為其采用類SRAM的接口協議：只需要提供地址和讀寫命令就可以實現數據存取，無需像傳統DRAM一樣需要內存控制器定期刷新數據單元。
2025-10-23 14:29:00296 一次性可編程（OTP）非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規模部署和對更先進技術的需求日益增長，平衡OTP的各項需求變得極具挑戰性。
2025-10-21 10:38:111440 
鍵技術的特點與價值。 Q1：什么是DRAM緩存，它在SSD中起什么作用？ DRAM（動態隨機存取存儲器）在固態硬盤中扮演著"高速緩沖區"的角色。具體到天碩G55 Pro M.2 NVMe工業級SSD，其DRAM緩存主要承擔兩項關鍵任務：存儲FTL映射表和管理數據傳輸的臨
2025-10-20 17:59:28655 
近日，兆易創新（GigaDevice）與南京南瑞繼保電氣有限公司（以下簡稱“南瑞繼?！保┻_成戰略合作伙伴關系。此舉旨在充分聚合雙方優勢，將兆易創新在國產MCU、存儲及模擬器件領域的產品技術經驗，與南
2025-10-14 18:05:52718 CMOS bq3285E/L 是一款低功耗微處理器外設，提供時間時鐘和 100 年日歷，具有鬧鐘功能和電池供電功能。bq3285L 支持 3V 系統。bq3285E/L 的其他特性包括三個可屏蔽中斷源、方波輸出和 242 字節的通用非易失性存儲。
2025-09-23 10:40:06698 
兆易創新NOR Flash以其高速讀取、車規級可靠性和XIP技術，為車載導航系統提供快速啟動、實時數據存儲和完整路徑規劃支持，顯著提升系統響應速度和數據安全性。
2025-09-23 09:22:003759 
博維邏輯MC62W12816是一款2M低功耗SRAM，采用55ns高速訪問設計，為VR設備提供高性能非易失性存儲解決方案，顯著提升圖像處理與數據讀寫效率。
2025-09-22 09:55:00525 
NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲器技術，主要用于數據存儲。與傳統的DRAM或SRAM不同，NAND Flash在斷電后仍能保存數據。它通過電荷的存儲與釋放來實現數據的存儲。
2025-09-08 09:51:206272 
科技云報到：西湖大學、智元機器人都選它，存儲成為AI下一個風口
2025-09-03 11:24:35568 功能，并展示如何利用它提升營銷效果。通過本文，您將學會如何通過數據驅動的方法，讓您的店鋪會員營銷更高效、更個性化。 一、什么是蘇寧易購API？ API是應用程序接口的縮寫，它允許不同軟件系統之間進行數據交換和功能調用。蘇寧易
2025-08-29 11:01:30577 
的高速度、NAND的非易失性以及低能耗特性。IQE公司成功將Quinas創始人在蘭卡斯特大學首次開發的化合物半導體層技術擴展到工業化工藝。這個為期一年的項目開發了先進的銻化鎵和銻化鋁外延技術，被譽為可擴展
2025-08-29 09:22:436365 
珠海創飛芯科技有限公司在非易失性存儲技術領域再獲突破——基于40nm標準工藝平臺開發的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗證！這一成果進一步展現了創飛芯科技有限公司在先進工藝節點上的技術實力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592247 的Agilent 34401A萬用表為基礎設計而成。它具有 34410A 的全部特性，以及 50000 讀數/秒、1M 易失性存儲器、模擬觸發電平調節和可編程的前觸發/后觸發等特性。 安捷
2025-08-13 16:31:16787 
在芯片工藝不斷演進的今天，材料的物理特性與器件層面的可靠性測試正變得前所未有的重要。近日，在泰克云上大講堂關于《芯片的物理表征和可靠性測試》的直播中，大家就新型存儲技術、先進材料電學表征等話題展開了熱烈討論。相變存儲作為新一代非易失性存儲的代表，其器件性能的測試與優化自然也成為了焦點之一。
2025-08-11 17:48:371171 
NAND閃存芯片是一種非易失性存儲技術，廣泛應用于現代電子設備中。以下是其核心功能、特點和應用場景的詳細分析： 1. 核心功能 數據存儲：以電信號形式長期保存數據，斷電后數據不丟失。 快速讀寫：支持
2025-08-11 10:43:441645 在存儲芯片（DRAM/NAND）制造中，晶圓劃片是將整片晶圓分割成單個芯片（Die）的關鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續增加、晶圓日益變?。ㄓ绕鋵τ诟呷萘?DNAND），傳統劃片工藝帶來
2025-08-08 15:38:061026 
在計算機和嵌入式系統中，各種存儲技術扮演著不同的角色，它們的性能特點和應用場景各不相同。很多人對DRAM、SRAM、HBM、ROM、NOR Flash、NAND Flash、eMMC、UFS 等術語
2025-07-24 11:34:542490 HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術的高性能 DRAM（動態隨機存取存儲器）。其核心設計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 在AIoT技術快速演進的時代背景下，AI IPC行業正在經歷前所未有的技術變革。作為中國存儲芯片行業的領軍者，兆易創新憑借其在NOR/NAND Flash領域二十年的技術沉淀和持續創新，正為AI
2025-07-14 09:40:521907 
制程升級推動下，DDR4減產與DDR5產能升級的窗口期疊加，行業正面臨結構性變革。在轉型期存儲廠商需平衡新舊技術銜接：既要保障存量設備穩定運行，又要加速DRAM新架構產
2025-07-09 11:11:241702 
。 ? 企業級SSD的核心部件示意圖 ? 主控芯片（控制大腦） 控制數據讀寫，直接決定SSD 的性能、可靠性固件（操作系統） 確保SSD高效穩定運行 NAND Flash、DRAM（存儲介質） NAND Flash是主要存儲介質，用于存儲用戶數據；DRAM提供數據緩存 。 ? 企業級SSD總線? ? 總線是
2025-07-06 05:34:006821 
。 ? 半導體存儲器按照斷電后數據是否繼續保存，可分為易失性(Volatile)存儲和非易失性(Non-Volatile)存儲。利基型DRAM屬于易失性存儲，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:001768 
，是信息時代的基石。
2. 核心分類：斷電后數據還在嗎？
這是最根本的分類依據：
易失性存儲器：斷電后數據立刻消失。
特點：速度快，通常用作系統運行的“工作臺”。
代表：DRAM (動態隨機存取存儲
2025-06-24 09:09:39
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2025-06-20 17:42:06
貞光科技作為業內知名的車規及工業元器件供應商，現已成為紫光國芯存儲芯片的授權代理商。在半導體存儲芯片國產化的關鍵時期，這一合作為推動DRAM等關鍵器件的國產替代開辟了新的渠道。紫光國芯在存儲芯片領域
2025-06-13 15:41:271298 
國內領先的一站式存儲NVM IP供應商創飛芯在非易失性存儲技術領域取得的一項重要成果 —— 基于130nm標準工藝平臺開發，為客戶定制開發的EEPROM IP，已順利通過客戶全流程的PVT測試
2025-06-12 17:42:071062 電子發燒友網綜合報道，基于產品和市場特性，DRAM可分為主流DRAM和利基DRAM。主流DRAM產品具有大容量、高傳輸速率的特點，主要應用于智能手機、個人計算機、服務器等大規模標準化電子設備。其市場
2025-06-07 00:01:004203 
劃片機（DicingSaw）在半導體制造中主要用于將晶圓切割成單個芯片（Die），這一過程在內存儲存卡（如NAND閃存芯片、SSD、SD卡等）的生產中至關重要。以下是劃片機在存儲芯片制造中的關鍵
2025-06-03 18:11:11843 
14FLASHFLASH的工作原理與應用OWEIS1什么是FLASH?Flash閃存是一種非易失性半導體存儲器，它結合了ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機訪問存儲器）的優點，具有電子可擦除和可編程
2025-05-27 13:10:411722 
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節NV用戶存貯器。與用來控制數字邏輯節點的硬件跳線和機械開關相比，DS4520為用戶提供了數字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU監控電路，具有內部集成的64字節EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業標準I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標準模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41748 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節NV用戶存儲器。DS4550采用數字編程替代硬件跳線和機械開關，實現對數
2025-05-26 09:50:50683 
、DRAM、嵌入式存儲等領域布局各具特色，推動國產替代提速。貞光科技代理的品牌紫光國芯，專注DRAM技術，覆蓋嵌入式存儲與模組解決方案，為多領域客戶提供高可靠性產品
2025-05-12 16:01:114743 
DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內置溫度傳感器和相應的模/數轉換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）高帶寬存儲HBM因數據中心、AI訓練而大熱，HBM三強不同程度地受益于這一存儲產品的營收增長，甚至就此改變了DRAM市場的格局。根據CFM閃存市場的分析數據，2025年
2025-05-10 00:58:008822 與指令執行，速度最快（納秒級），但容量極小（通常為KB級）。 功能?： 存儲臨時操作數、地址指針及狀態標志。 支持低延遲的數據處理，確保實時控制類任務的高效執行。 二、片上SRAM層（高速易失存儲） 定位?：CPU主內存，用于存儲運行時變量、
2025-05-09 10:21:09618 實現這些系統功能的關鍵基石。 在電子發燒友網《人形機器人的電機控制和傳感器》專題中，兆易創新微處理器事業部產品市場總監陳思偉表示，兆易創新憑借在存儲、MCU 及模擬芯片領域的深厚技術積累，構建起了覆蓋 GD32 MCU、Flash、利基型
2025-05-07 11:08:332272 
一季度在AI服務器保持穩健推動對服務器DRAM需求，PC和移動需求復蘇力度也較預期更為明顯，此外疊加關稅觸發的部分補庫存需求的共同影響下，2025年一季度整體表現優于預期，全球DRAM市場規模同比
2025-05-06 15:50:231210 
、工業控制等領域。兆易創新存儲器事業部市場總監薛霆在接受電子發燒友網記者采訪時表示，隨著AI硬件爆發和新能源汽車智能化加速，高可靠性、高性能存儲芯片的需求正迎來新一輪增長。今年的SPI NOR Flash市場前景看好。 ? 兆易創新存儲器事業部市場總監薛霆 AI 終端與服
2025-04-23 11:12:543405 
UV-EPROM的結構與使用方法，閃速存儲器的結構與使用方法，EEPROM的結構與使用方法， SRAM的結構與使用方法， 特殊的SRAM的結構與使用方法 ，DRAM的結構與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
eMMC（Embedded Multi Media Card）是一種專為嵌入式系統設計的非易失性存儲解決方案，它將NAND閃存、主控芯片和接口協議封裝在一個BGA（Ball Grid Array
2025-04-14 00:00:004127 
非易失性存儲器（NVM）芯片廣泛應用于各種設備中，從智能手機、個人電腦到服務器和工業控制系統，都是不可或缺的關鍵組件，它們不僅提高了數據的安全性和可靠性，還極大地增強了系統的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 電子發燒友網綜合報道，RRAM（阻變存儲器）存儲是一種新興的非易失性存儲技術，它基于材料的電阻變化來存儲數據。其存儲單元通常由兩個電極和中間的阻變材料組成。當在電極上施加一定的電壓脈沖時，阻變材料
2025-04-10 00:07:002088 芯片燒錄領導者昂科技術近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設備
2025-04-09 15:22:11735 
一、什么是飛易云平臺 飛易云平臺是一個基于物聯網技術的云平臺,經過軟硬件結合，用戶可以通過平臺進行設備定位管理、數據傳輸，商品廣告展示等可視化操作。它的優勢為平臺操作簡單，能夠提高效率，節約
2025-03-28 15:28:37684 
，又可再對它寫入，為可讀/寫存儲器， 或隨機訪問存儲器。? 易失性
p 若存儲器在斷電之后，仍能保存其中的內容，則稱為非易失性存儲器；否則，為易失性存儲器；
p 只讀存儲器（ROM）是非易失性的，隨機
2025-03-26 11:12:24
非易失存儲：斷電后數據不丟失 可重復編程：支持擦寫操作（需先擦除后寫入） 二進制操作：擦除后全為 1，寫操作將 1 變為 0 核心差異 一、物理結構對比 NOR 特性 獨立存儲單元并聯架構 支持隨機
2025-03-18 12:06:501167 NAND閃存是一種非易失性存儲技術，廣泛用于固態硬盤、USB閃存盤和手機存儲中，具有高速讀寫和耐用性強的特點。
2025-03-12 10:21:145318 
無感直流BLDC，大占空比情況下失步問題
2025-03-11 08:00:38
比特的用戶閃存模塊（UFM）用于非易失性存儲多電壓核心使能，可將外部電源電壓設為 3.3V、2.5V 或 1.8V多電壓 I/O 接口，支持 3.3V、2.5V、1
2025-03-07 15:19:03
本書主要介紹了UV-EPROM的結構和使用方法，閃速存儲器的結構和使用方法，EEPROM的結構和使用方法， SRAM的結構與使用方法，特殊的SRAM的結構與使用方法，DRAM的結構與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
本文要點提示：? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說，包括讀寫以及存儲；? ? ? ? ? 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM貴之謎。? ? ?? 內存應該是每個硬件工程師都繞不開
2025-03-04 14:45:072242 
存儲產品千千萬，選來選去怎么辦？ 戴小編來獻妙策，匹配需求不為難！分布式存儲和集中式儲是存儲系統中十分重要的兩種架構類型，但這兩者有何區別？適合怎樣的業務需求？今天戴小編就來一一解答。
2025-02-28 10:56:242521 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉換為非易失性存儲器。它還會持續監控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當電源開始出現故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
帶鋰電池監控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉換為非易失性存儲器的應用問題。監控輸入功率是否發生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能輸出會被
2025-02-28 10:00:43985 
帶電池監控器的DS1314非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉換為非易失性存儲器的應用問題。監控輸入功率是否發生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現
2025-02-28 09:53:17806 
帶電池監控器的DS1312非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉換為非易失性存儲器的應用問題。監控輸入功率是否發生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現
2025-02-28 09:48:45744 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監控器和512k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1557內所有
2025-02-27 17:11:32932 
DS1554是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監控器和32k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1554內所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
應用市場疲軟的影響下，四季度DRAM和NAND Flash市場表現已經出現了明顯分化。 站在現階段的時間節點，存儲市場的供需關系再度站上十字路口。 在1Q25存儲行情全面下行的情況下，下半年需求市場的預期回暖能否如期發生，存儲價格究竟何時企穩？而又隨著供應減產，是按需備貨還
2025-02-21 16:00:361308 
特點4Gb雙數據速率3（DDR3（L））DRAM是一種高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。它內部配置為八進制存儲體DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲體
2025-02-20 11:44:07
可達90 MB/s?STR和DTR支持的協議——擴展I/O協議——雙I/O協議——四I/O協議?就地執行（XIP）?程序/擦除暫停操作?易失性和非易失性配置設置?軟
2025-02-19 16:15:14
未來發展趨勢。 DRAM 介紹 動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，縮寫為 DRAM）是一種易失性存儲設備。這意味著，一旦停止供電，它所存儲的數據就會丟失。DRAM 的工作原理依賴于電容器來保存電荷，以此記錄數據。然而，電容器中的電荷會
2025-02-14 10:24:401444 
MT48LC4M32B2P-6A:L是一款高性能的動態隨機存取存儲器（DRAM），由MICRON制造，專為滿足各種電子設備的內存需求而設計。該產品具備出色的存儲性能和穩定性，適用于多種應用場景。目前
2025-02-14 07:28:17
器? ? 非易失性存儲器是一種應用于計算機及智能手機等設備中的存儲裝置（存儲器），在沒有外部電源提供的情況下仍能保存數據信息。 現今的計算機中央處理器（CPU：Central Processing Unit）中，直接、高速處理的數據通常保存在易失性存儲器中（
2025-02-13 12:42:142470 
)的性能，并顯著降低生成式人工智能系統對DRAM的需求。 Kioxia的AiSAQ?軟件采用了專為SSD優化的新型“近似最近鄰”搜索(ANNS)算法。該算法通過直接在SSD上進行搜索，無需將索引數據存儲
2025-02-10 11:21:471054 半導體（STMicroelectronics）推出的一款高性能 EEPROM 存儲器，具有 16 Kbit 的存儲容量，專為需要非易失性存儲的應用設計。這款器件采
2025-02-10 07:41:41
近日，據市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新發布的報告指出，DRAM內存與NAND閃存市場近期均呈現出低迷的走勢。 特別是在DRAM市場方面，春節長假過后，消費者對于DRAM的需求并未如預期
2025-02-06 14:47:47930 在信息技術飛速發展的今天，閃速存儲器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數據存儲領域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲器的一種常見應用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001449 在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業芯片燒錄設備AP8000所支持。昂科技術自主研發的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
有人用過數字電位器TPL0501-100么？器件比較中說它采用的是易失性存儲介質，但是datasheet中關于這點只字未提，不知道上電后，它的抽頭到一端的電阻是多少？
2025-01-14 08:37:07
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