長鑫國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片的外觀和參數(shù)曝光，使用19納米制造技術(shù)
長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(shù)（即19nm工藝）來制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標(biāo)是在2020年第一季度上市。現(xiàn)在，一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
上圖清單中列出長鑫的筆記本和臺式機內(nèi)存，容量都是8GB，速率都是DDR4-2666，電壓為1.2V，時序未知。
長鑫存儲科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前，該公司已經(jīng)制定了至少兩個10納米級制造工藝的路線圖，并計劃在未來生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此，長鑫存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產(chǎn)量。長鑫存儲還將使用同樣的技術(shù)將在2020年下半年制造LPDDR4X內(nèi)存。該公司的技術(shù)路線圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內(nèi)存。
現(xiàn)在京東搜索內(nèi)存條，可以發(fā)現(xiàn)8GB DDR4 2666的價格已經(jīng)比去年有所升高。
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