最新消息，今天在安徽合肥召開的2019世界制造業大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，其與國際主流DRAM產品同步的10nm級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓。投產的8Gb DDR4已經通過了多個國內外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產。

花錢買來的技術

在如今的全球半導體產業，三星，SK海力士，美光牢牢把持著內存市場，這三家的專利對后來者形成了一種巨大的壁壘，然而長鑫是如何突破重圍的呢？這就要提一家已經破產了的公司——奇夢達。這家公司還活著的時候，是能夠與三巨頭分庭抗禮的存在，當年全球 DRAM 技術架構分為兩大陣營，一種是溝槽式技術（Trench），以奇夢達為代表，另一種是堆疊式技術（Stacking），包括三星、SK 海力士、美光等都是代表。

奇夢達在溝槽式技術（Trench）遇到技術瓶頸之后，立刻轉向堆疊式技術 Buried Wordline （埋入式閘極字元線連結），并且成功的以65 nm 工藝試產，生產 1Gb 的 DDR2 產品，更重要的是，46 nm 產品已在實驗室進行研發完成，其 46 nm 的 Buried Wordline 技術與上一代 58 nm 技術相較，晶圓數量增加達到 1 倍，當時業界認為奇夢達雖然剛從溝槽式，成功轉至堆疊式，但 BuriedWordline 技術非常具有競爭力。

可惜的是，奇夢達沒有熬到智能機爆發就已經撐不下去了，沒有錢投入全新的 Buried Wordline 技術，公司后來宣布破產收場，成為 DRAM 產業史上徒留遺憾的一頁。奇夢達倒下后，幾經輾轉，長鑫將奇夢達一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據收歸囊中，成功規避美光、三星、SK 海力士的技術專利問題，而且是花錢就可以買到的技術，這也是長鑫最初的技術來源之一。長鑫存儲在所接收技術和國際合作的基礎上，利用專用研發線，耗資超過25億美元，展開世界速度的快速迭代，并且行事低調的長鑫已經擁有16000項專利。

意料之外的10nm

合肥長鑫成立于2016年6月，該項目是迄今為止安徽省單體投資規模最大的工業項目，將建成國內規模最大、技術最先進的首個自主研發 DRAM 制造基地。按照原有計劃，合肥長鑫的節奏是這樣的：2018年底，合肥長鑫將開始生產8Gb DDR4存儲器的工程樣品；2019年底有望達到2萬片/月的產能；2020年再開始規劃二廠廠房的建設；2021年要完成對17nm工藝節點的技術研發。

如今長鑫儲存剛好趕在十一這個節點上，超額完成任務，實現了8Gb DDR4的量產，把從奇夢達獲得的46nm堆棧式DRAM平穩過度到10nm級別，甚至在探索HKMG、EUV甚至GAA等新技術和新工藝在DRAM上的實現，力爭未來成為這個領域的領先者。

加入高端半導體俱樂部

全球半導體聯盟GSA日前宣布，合肥長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明將成為聯盟董事會成員。全球半導體聯盟在全球擁有來自超過25個國家和地區的250多家企業會員，代表著產值4500億美元的半導體產業中70%的力量，涵蓋了從初創公司到行業巨頭的公共和私營企業，其中100家為上市公司。聯盟領導層由半導體及相關高科技行業的技術和商業領袖組成，其董事會成員包括來自英特爾、三星、超微半導體（AMD）、安謀科技（ARM）、高通、應用材料等全球半導體巨頭的高級負責人。

此前，中芯國際聯席首席執行官趙海軍是董事會內唯一代表中國大陸半導體企業的成員，這次朱一明的加入代表著國產儲存正式邁進高端玩家俱樂部，使得國產半導體在國際舞臺中再多了一份話語權。

紫光組建DRAM內存事業部

紫光集團今年6月份組建了DRAM內存事業部，委任刁石京為紫光集團DRAM事業群董事長，委任高啟全為紫光集團DRAM事業群CEO，正式進軍內存芯片產業，重慶的工廠預計今年底動工，2021年量產，工期約為兩年左右。

從紫光之前公布的信息來看，得益于在長江存儲等公司上的積累，紫光集團已經組建了一只龐大的科研隊伍，存儲芯片方面的研發人員超過2000人，這是紫光建設內存工廠、研發生產內存的基礎。紫光目前的主流內存仍是DDR3，不過DDR4具備世界主流設計水平，目前正在開發中，預計年底前完成并推向市場，但是產能無法保證，產品銷量不會太大。

平衡何時能被打破？

目前全球的內存主要控制在韓國三星、SK海力士及美國美光三家公司中，他們占據的內存市場份額高達95%，國產儲存在產品上已經在慢慢崛起，下一步面臨的問題的如何與前輩們搶市場。好在我們有一個巨大的需求市場，根據數據顯示，2018年，中國進口了3120億美元的芯片，其中存儲芯片高達1150億美元，這1150億美元的存儲芯片中，高達97%的是DRAM和FLASH。在強大的需求下，國產儲存定能先滿足內需，然后一步步的走出去。