據長鑫存儲官網，11月28日，長鑫存儲正式推出LPDDR5系列產品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。12GB LPDDR5芯片目前已在國內主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。LPDDR5是長鑫存儲面向中高端移動設備市場推出的產品，它的市場化落地將進一步完善長鑫存儲DRAM芯片的產品布局。

其中，12GB LPDDR5芯片目前已在國內主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。

本次的LPDDR5是長鑫面向中高端移動設備市場推出的產品，應用領域包括筆記本電腦、智能手機、平板電腦、可穿戴設備等。

與上一代LPDDR4X相比，長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達到12Gb和6400Mbps，同時功耗降低30%。長鑫存儲LPDDR5芯片加入了RAS功能，通過內置糾錯碼（On-die ECC）等技術，實現實時糾錯，減少系統故障，確保數據安全，增強穩定性。

根據公開資料，長鑫存儲成立于2016年，總部位于安徽合肥，在合肥、北京建成12英寸晶圓廠并投產，在國內外擁有多個研發中心和分支機構。公司作為一體化存儲器制造公司，專注DRAM芯片設計、研發、生產和銷售，已推出多款DRA商用產品，廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現實和物聯網等領域。

據清華大學新聞網消息，近來，清華團隊在憶阻器存算一體芯片領域取得重大突破。近期，清華大學集成電路學院吳華強教授、高濱副教授基于存算一體計算范式，在支持片上學習的憶阻器存算一體芯片領域取得重大突破，研究成果發表在《科學》（Science）上。

錢鶴、吳華強帶領團隊創新設計出適用于憶阻器存算一體的高效片上學習的新型通用算法和架構（STELLAR），研制出全球首顆全系統集成的、支持高效片上學習的憶阻器存算一體芯片。相同任務下，該芯片實現片上學習的能耗僅為先進工藝下專用集成電路（ASIC）系統的1/35，同時有望實現75倍的能效提升。“存算一體片上學習在實現更低延遲和更小能耗的同時，能夠有效保護用戶隱私和數據。”博士后姚鵬介紹，該芯片參照仿生類腦處理方式，可實現不同任務的快速“片上訓練”與“片上識別”，能夠有效完成邊緣計算場景下的增量學習任務，以極低的耗電適應新場景、學習新知識，以滿足用戶的個性化需求。

中信證券認為，海外大廠稼動控制下，存儲供需逐漸改善，看好產業鏈公司2024全年業績將持續改善。預計今年下半年，隨庫存去化、需求逐步回歸，未來行業細分龍頭有望迎來業績修復機會，看好國內存儲產業鏈周期復蘇疊加本土化趨勢下的投資機遇。

長電科技在近日的“走進上市公司”活動上表示，已經看到市場開始復蘇，看法和國際上主流晶圓廠看法也是一致。從幾個應用來看，手機市場出現了比較可喜的，特別是在高端的硬件應用方面，恢復趨勢比較明顯。直接和公司相關的高密度射頻前端，手機存儲芯片感覺到復蘇的跡象，會持續增長下去。明年大模型落地的應用會逐漸走入高端品牌手機里面。所以復蘇不僅是數量的回升，對于集成電路芯片來講，是硬件升級，從終端走向新的高端的結構性趨勢。

審核編輯 黃宇