美國司法部控告福建晉華竊取商業機密案，導致晉華關鍵設備導入與試產計劃陸續喊停，美方后續傳將鎖定合肥長鑫、睿力集成國際等中國大陸記憶體業指標案進行調查，中國大陸發展DRAM恐面臨挫敗，業界原憂心陸廠
2018-11-20 09:32:59
2245 自從福建晉華遇到了極大麻煩后，其他本地廠商如合肥長鑫，西安國芯的計劃似乎很有限，不太可能對全球DRAM市場產生重大影響。但這一看法我想最近要糾正下。原為合肥長鑫的長鑫存儲已經開始批量生產其自制
2019-12-16 17:28:0026019 作為大陸集成電路產業鏈上最后發展的DRAM，DRAM廠到底會落戶哪個地方也受到關注。最近關于存儲器的發展有了新進展，不僅將技術、研發、IP作為關鍵，DRAM廠的爭奪也有了一個結果，武漢成為最后的贏家。
2015-06-19 16:36:382152 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰全面引爆，近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續來臺鎖定IC設計和DRAM廠強力挖角，目前傳出包括鈺創員工、并入聯發科的NOR Flash設計公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151867 全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約不同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發的聯電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸。據了解，合肥長鑫開出現有華亞科三倍的高薪進行挖角，且鎖定人數高達兩百人，遠高于紫光集團出的雙倍薪，已有不少人決定投效。
2016-12-26 10:12:562894 
業界消息指出，記憶體大廠三星電子自2月中旬起，陸續召回部分序號的18奈米制程DRAM模組，原因在于這些18奈米DRAM會導致電腦系統出錯及出現藍幕當機。
2017-03-06 09:18:321044 業界消息指出，存儲器大廠三星電子自2月中旬起，陸續召回部分序號的18納米制程DRAM模組，原因在于這些18納米DRAM會導致電腦系統出錯及出現藍屏當機。由于三星在全球PC DRAM市占過半，據傳召回的DRAM模組數量達10萬條，業界認為將導致3月DRAM缺貨雪上加霜，合約價將再見飆漲走勢。
2017-03-06 09:34:281126 
知情人士告訴半導體行業觀察記者，國產存儲三大勢力之一的合肥長鑫正式投片，產品規格為8Gb LPDDR4，這是國產DRAM產業的一個里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得進展的長江存儲，國內企業在國際主流存儲器上都取得了重大突破，為推動存儲國產化掀開了重要一頁。
2018-07-17 10:03:056161 在今日舉辦的中國閃存技術峰會（CFMS）上，長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士做了題為《DRAM技術趨勢與行業應用》的演講，披露了DRAM技術發展現狀和未來趨勢。
2019-09-26 05:13:004251 一、前言：長鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內存廠商 可能很多同學提到臺電內存，可能會覺得他們不是一線頂尖品牌，顆粒使用上也不會有什么亮點，不過這一次，臺電騰龍G40內存100%用了原廠顆粒，而且
2020-10-30 15:33:148573 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動態隨機存取存儲器，它和 SRAM(靜態隨機存取存儲器)一樣都是常見的系統內存，也就是說我們個人電腦里的內存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:296409 
6月12日，日經新聞引述未具名消息人士報導，合肥長鑫已經重新設計了其DRAM芯片，以盡量減少對美國原產技術的使用。 日經：長鑫已重新設計DRAM芯片，盡量避免使用美國原產技術 據日經新聞亞洲評論報導
2019-06-13 18:30:033778 日前，長鑫存儲技術有限公司（以下簡稱長鑫存儲）與美國半導體公司Rambus Inc.（以下簡稱藍鉑世）簽署專利許可協議。依據此協議，長鑫存儲從藍鉑世獲得大量動態隨機存取存儲（以下簡稱DRAM）技術
2020-04-27 16:14:435261 4 月 28 日訊，近日，長鑫存儲技術有限公司與美國半導體公司 Rambus 簽署專利許可協議。根據協議，長鑫存儲從 Rambus 獲得大量動態隨機存取存儲(以下簡稱“DRAM”)技術專利的實施許可
2020-04-29 09:27:385040 在DRAM市場，三星、SK海力士、美光占據主導地位，國產DRAM也在加速發展，代表性企業有合肥長鑫與紫光存儲，但技術方面與頭部廠商仍有較多大的差距。據中國閃存市場2020年二季度DRAM市場營收數據
2020-10-24 07:36:009478 的適用范圍隨后將通過超高性能的攝像軟件與人工智能等最新技術的支持陸續擴大。 SK海力士相關人士表示：“18GB LPDDR5 移動端DRAM與此前16GB產品相比具備更大的容量，有效提升了數據臨時存儲空間。” 此次量產的產品處理速度高達6400Mb/s，與至今搭載于智能手機的
2021-03-08 15:03:173190 。SRAM內部采用的是雙穩態電路的形式來存儲數據。所以SRAM的電路結構非常復雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU內部
2012-08-15 17:11:45
理，相比之下在SRAM存儲芯片上一個bit通常需要六個晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。 DRAM存儲原理 DRAM的每一位存儲單元采用一個晶體管和小電容來實現
2020-12-10 15:49:11
DRAM內存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們在本質上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
。根本原因不在三星、SK宣稱的市場因素，目前DRAM市場價格并不差，反倒是NAND的價格還在持續滑落中。擴大價格低落的產品線，不是拿石頭砸自己的腳嗎？同時也不是媒體所猜測的國內DRAM產能陸續釋放，國內
2018-10-12 14:46:09
某16K x 4的存儲體由16個字長為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時擴展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲矩陣。分析：由題得，16個DRAM芯片需要先在位方向擴展為4位得
2022-03-02 06:18:45
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當前內存技術的比較。DRAM是計算技術中必不可少的組件，但并非沒有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲器-非易失性DRAM-以及它與當前
2020-09-25 08:01:20
使用NI的 FPGA，開辟了一個1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個MCK一個地址的刷新DRAM中的數據，也就是每個地址刷新時間不到17微秒，一開始出現一個數據都寫不進去，我
2018-11-07 23:57:30
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
價格迅速下跌。IC Insights預測，隨著更多的產能上線，供應限制開始緩解，DRAM市場增長將會降溫。值得一提的是，據報道，三星和SK海力士已推遲了部分擴張計劃，原因是預計客戶需求將出現疲軟，更有
2018-10-18 17:05:17
操作。 另外，采用2個系統時鐘是處理時鐘相位偏移的對策，DDRSDRAM利用雙向的選通信號實施時鐘相位偏移的處理對策，而Direct Rambus DRAM預各了由DRAM向
2008-12-04 10:16:36
比同容量的SRAM更少的地址引腳。二、DRAM芯片的刷新技術由于DRAM的特性決定，DRAM能存儲電荷的時間非常短暫，這樣它需要在電荷消失之前進行刷新，直到下次寫入數據或者計算機斷電才停止。每次讀寫
2010-07-15 11:40:15
，不能再如愿存儲電荷。因此，業內通過將電容器做成細長的圓柱狀來確保表面積來確保容量。圓柱的直徑與長度之比，即寬高比正日益接近100。通常鉛筆的寬高比為22左右，所以DRAM的電容器比例如同跟4根鉛筆連起來
2015-12-14 13:45:01
存儲器是怎樣進行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進行刷新？如何進行刷新？
2021-09-28 08:50:24
***地區廠商達17.9%。由于三星、海力士與美光等廠商在產能配置上著重于Flash顆粒以及CMOS Image Sensor等產品，2007年僅***地區廠商大量的擴充DRAM產品的產能，因此未來***地區廠商DRAM銷售額比重仍將持續攀高。
2008-05-26 14:43:30
哈弗結構是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
模式也使得DRAM的集成度高于SRAM，一個DRAM的存儲單元僅需要一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四道六個晶體管和其它的零件，故DRAM在大容量以及價格上會有優勢。 FlashFLASH
2019-09-18 09:05:09
的消息。 此次增加的60臺車輛全部為混合動力車，其中40臺為18米油電混合鉸接車，20臺為12米氣電混合動力車，車身顏色依然為紅色，即日起將陸續上線。此次新增的60臺車輛上線工作已經全部準備完畢，并
2013-03-22 16:11:43
基于SRAM 和DRAM 結構的大容量FIFO 的設計與實現作者：楊奇 楊瑩摘要：本文分別針對Hynix 公司的兩款SRAM 和DRAM 器件，介紹了使用CPLD 進行接口連接和編程控制，來構成低成本
2010-02-06 10:41:10
45 什么是DRAM DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很
2010-01-07 10:00:451514 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機存貯器)是指通過指令可以隨機地、個別地對每個存儲單元進行訪問、訪問所需時間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3315009 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動態隨機存儲器"。。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，
2010-03-24 16:17:212726 利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類產品線，各產品線主要終端應用產品各自不同。加總Mobile DRAM、Specialty DRAM與Graphics DRAM等3大產品總市場需求，DIGITIMES預估
2011-10-28 09:39:003713 DRAM廠不堪虧損紛降低生產供給過剩的標準型DRAM，IC設計業也跟進，鈺創(5351)董事長暨執行長盧超群昨表示，該公司正積極降低DRAM營收比重，朝開發整合邏輯IC的特殊DRAM產品發展;他認為
2011-11-25 09:50:08783 DRAMeXchange 表示，2011年對于DRAM產業實屬充滿不確定性因素的一年，不僅是天災頻傳，陸續造成DRAM供給與需求的沖擊以外，由于 PC 產業受到平板電腦崛起所造成的生態變化，對 DRAM 的消耗
2011-12-30 09:12:251200 全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發的聯電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸，讓全力發展自主DRAM研發的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員，遭到空前恫嚇。
2016-12-26 09:44:481040 
隨著系統對內存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式，會帶來不同的效果。本文將對不同的組織方式及其效果進行簡單介紹。
2017-03-28 11:43:371724 
的應用。典型的DRAM采用從為基于記錄的采集/生成提供的簡單本地存儲到用于通道仿真應用的長延遲鏈。本文將探討NI FlexRIO中DRAM的實現，學習如何在NI LabVIEW FPGA模塊使用強大的DRAM抽象和接口。
2017-11-17 17:28:151539 
NOR Flash和NAND Flash作為存儲的兩大細分領域（另外還有DRAM），目前發展形勢一直受到業界人士關注。
2018-03-31 08:38:5123827 中國三大存儲器勢力還有一大神秘隊伍合肥長鑫，看看背后有著怎么樣的神秘。 揭開合肥存儲器項目神秘 合肥對DRAM的謀劃不僅是合肥長鑫的存儲項目，在2016年3月，就有消息傳出，原爾必達社長坂本幸雄成立的半導體設計公司兆基科技（Sino King Technology）將在中國主導大規模半導體生產項目。
2018-05-02 10:28:009953 DRAM大廠陸續洽談第3季DRAM合約價格，維持小漲局面，推升全球本季DRAM產值將再改寫新高，臺系DRAM南亞科（2408）和華邦電等，預料今年將繳出逐季創新高佳績。
2018-07-04 17:08:00916 ；華為、OPPO、VIVO和小米等手機品牌更是早已盤據全球智能手機排行榜前七位；華為、騰訊、百度、阿里巴巴等更是目前全球服務器與數據中心關鍵領導廠商，而各式各樣廣泛的電子產品都需要DRAM存儲器才能充分運作，甚至未來進入AI人工智能、挖礦機和自動駕駛車輛對于DRAM的需求將更為倚重。
2018-07-23 15:12:2417648 據國際電子商情，日前，消息稱長鑫存儲DRAM項目正式首次投片，啟動試產8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0313272 
日前，合肥長鑫的DRAM正式投片，產品的規格為為8Gb LPDDR4。可以說，近期國內三大存儲芯片工廠好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509922 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，DRAM原廠已陸續與客戶談定7月份利基型內存合約價，價格大致和6月相同。
2018-08-08 11:08:264469 DRAM漲勢不斷，后遺癥逐步顯現，通路商表示，因存儲器漲幅過大，下游應用端，尤其是筆電和部分智能手機等市場，不堪侵蝕獲利，已開始朝降低搭載量抵制，加上部分新產量陸續在2019年產出，研判明年下半年，DRAM漲勢將止步，價格有下修壓力。
2018-08-28 16:22:491110 美國司法部控告福建晉華竊取商業機密案，導致晉華關鍵設備導入與試產計劃陸續喊停，美方后續傳將鎖定合肥長鑫、睿力集成國際等中國大陸記憶體業指標案進行調查，中國大陸發展DRAM恐面臨挫敗。
2018-11-20 10:32:095006 隨著福建晉華和合肥長鑫兩大陣營投入研發 DRAM 技術，若兩大廠研發成功且量產，西安紫光國芯的DRAM設計實力恐與這兩家再度拉大，合并紫光國芯后的紫光存儲要如何進行大整合，以發揮集團的存儲戰力，還待時間觀察。
2019-02-25 10:22:4910153 從福建晉華被美國宣布列為禁止出口的制裁名單后，國內存儲產業發展氣氛轉為低調，業界更擔心另一家 DRAM 自主研發大廠合肥長鑫會踩到前人地雷，然合肥長鑫首席執行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:389805 日前，據消息人士稱，合肥長鑫存儲為減少美國制裁威脅，已經重新設計了DRAM芯片，以盡量減少對美國原產技術的使用。
2019-06-14 10:46:2819830 長鑫存儲已經重新設計DRAM芯片，以盡量減少對美國原產技術的使用。
2019-06-14 15:54:363777 DRAM廠商在面對DRAM價格不斷下跌的困境下，已經在考慮導入EUV技術用于制造DRAM，主要目的是為了降低成本。
2019-06-21 09:10:012629 紫光集團發展公告，公告顯示，經研究決定，決定組建紫光集團DRAM事業群，委任刁石京為紫光集團DRAM事業群董事長，委任高啟全為紫光集團DRAM事業群CEO。
2019-08-08 17:54:474023 作為中國DRAM產業的領導者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉變，用自主研發的DRAM技術和專利，引領中國實現DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00832 昨日，長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士披露了DRAM技術發展現狀和未來趨勢。作為中國DRAM產業的領導者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉變，用自主研發的DRAM技術和專利，引領中國實現DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:078443 在深圳舉辦的中國閃存技術峰會上，長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士進行了《DRAM技術趨勢與行業應用》的演講。
2019-09-20 16:52:564030 國產半導體又有一家公司強勢崛起，這就是長鑫。就在昨天的世界制造業大會上，投資1500億的長鑫存儲內存芯片項目宣布投產，一起亮相的還有與國際主流同步的10nm第一代8Gb DDR4。
2019-09-22 11:16:044280 最新消息，今天在安徽合肥召開的2019世界制造業大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，其與國際主流DRAM產品同步的10nm級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期
2019-11-14 15:31:363283 長鑫存儲技術有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯合宣布，就原內存制造商奇夢達開發的DRAM內存專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協議和專利采購協議。
2019-12-06 09:35:501187 長鑫存儲技術有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯合宣布，就原內存制造商奇夢達開發的DRAM內存專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協議和專利采購協議。
2019-12-06 09:37:453817 12 月 5 日訊，在近日召開的 2019 世界制造業大會上，總投資約 1500 億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，其與國際主流 DRAM 產品同步的 10 納米級第一代 8Gb DDR4 首度亮相，一期設計產能每月 12 萬片晶圓。
2019-12-06 10:53:102505 近日，據外媒報道，長鑫存儲正式宣布其成為了國內第一家也是唯一一家DRAM供應商。
2019-12-09 16:18:527140 近日，長鑫存儲技術有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯合宣布，就原動態隨機存取存儲芯片（DRAM）制造商奇夢達開發的DRAM專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協議和專利采購協議。
2019-12-10 15:20:393829 12 月 10 日訊，長鑫存儲獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告，將生產國產第一代 10nm 工藝級 8Gb DDR4 內存芯片。標志著長鑫存儲正式成為了國內第一家也是唯一一家 DRAM 供應商。
2019-12-10 16:01:532748 據韓媒Business Korea報道，長鑫存儲技術有限公司啟動DRAM芯片銷售，成為中國第一家DRAM芯片供應商。中國企業正在逐步增加在DRAM和NAND閃存市場的份額。
2020-02-29 14:50:563824 江波龍嵌入式存儲品牌FORESEE推出了3款國產化內存，核心DRAM均采用長鑫存儲的顆粒，這標志著中國存儲在質量上開始參與市場競爭。
2020-05-15 14:18:153534 DRAM是Dynamic random access memory 的縮寫，稱為動態隨機存取存儲器。主要運用在對功耗要求不太高、系統緩存要求容量比較大速度要求比較快的系統。
2020-07-16 10:39:175876 半導體存儲器已經得到了廣泛的應用，其中DRAM和SRAM是兩種常見形態的存儲器。DRAM的特點是需要定時刷新，才可以保存數據，SRAM只要存入數據了，不刷新也不會丟掉數據。DRAM和SRAM各有各的優勢及不足，本文探討的DRAM和NAND當前面臨的技術挑戰及發展前景。
2020-07-22 14:04:192373 理，相比之下在SRAM存儲芯片上一個bit通常需要六個晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。存儲芯片供應商宇芯電子本篇文章主要介紹關于DRAM的基本知識。 DRAM存儲原理 DRAM的每一位存儲單元采用一個晶體管和小電容來實現。若寫入位
2020-12-11 15:11:294696 
? DRAM廠商長鑫存儲完成156億元融資，內存芯片的國產替代之路又獲資金助力。12月14日，工商信息顯示，大基金二期、安徽國資、兆易創新及另一家朱一明實控企業、小米長江產業基金等機構入股長鑫存儲
2020-12-25 17:49:106588 ? 國產DRAM廠商長鑫存儲母公司睿力集成電路有限公司已成功完成156.5億元的增資，國產DRAM發展再獲強勁助力。 ? 根據天眼查資料顯示，12月14日，國產DRAM廠商長鑫存儲母公司發生工商信息
2021-01-08 10:36:427501 可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存。 SRAM存儲原理 SRAM采用雙穩態觸發器來作存儲元件，不存在電容的刷新問題
2021-01-11 16:48:1822496 據央視報道，網約車老年版軟件已經陸續上線，字號相比普通版本更大，支持一鍵叫車，方便老人出行。
2021-01-29 10:15:522152 MICRON最近宣布，我們正在發貨使用全球最先進的DRAM工藝制造的存儲芯片。這個過程被神秘地稱為“1α”（1-alpha）。這是什么意思，有多神奇？
2021-09-15 17:00:522714 在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區
2022-08-01 10:22:261686 
規模量產DRAM芯片的中國廠商，且量產產品為目前主流型號內存芯片，并已經成功導入華為、小米、聯想、威剛等知名廠商，有望充分享受到國產替代這一廣闊的市場空間。 2016年5月，長鑫存儲技術有限公司的事業在 “創新之都”——安徽合肥啟動。作為一
2022-08-04 16:23:143700 
DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DRAM、FPM DRAM、Mobile DRAM等等。
2023-01-12 09:12:4810600 
在當前計算密集的高性能系統中，動態隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:5712490 長鑫存儲12gb lpddr5芯片目前已經在韓國主流手機制造商小米、傳音等品牌機型上完成了驗證。lpddr5是長鑫存儲針對中高端移動機器市場推出的產品，市場化將進一步完善長鑫存儲的dram半導體產品配置。
2023-11-29 09:31:102769 長鑫12GB LPDDR5芯片由8個12Gb顆粒封裝，這是長鑫存儲首款采用層疊封裝（Package on Package）的芯片產品。
2023-11-29 11:11:332566 dram和nand的區別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機存取存儲器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:0011547 eSUN易生PLA基礎（PLA-Basic）、PETG基礎（PETG-Basic）等基礎（Basic）系列產品已陸續上線，它們的主要特點在于出色的性價比，在保持價格優勢的同時，也為用戶提供較好的打印使用體驗。
2025-06-20 15:38:151439 
據報道，長鑫存儲技術有限公司（CXMT）公布了最新的DRAM技術路線圖，從其路線規劃來看，其研發的產品線包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6， 雖然未公布具體時間節點
2019-12-03 18:18:1323542 3DNAND的SSD陸續上市，基于合肥長鑫DDR4芯片的光威奕Pro系列內存條也開始量產，有網友發現，事實上紫光也已于今年3月在各電商平臺上架了采用自主存儲顆粒的內存條，存儲顆粒由旗下紫光國芯提供。 圖：基于合肥長鑫DDR4芯片的光威奕Pro系列內存條 光威奕Pro系列和紫光DDR4-2400內存條的量
2020-07-14 09:26:5712533
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