合肥長鑫存儲的DRAM項目在經過兩年來的努力后，正開始進入試產階段，這也代表著合肥506項目進入了新的里程碑。

長鑫存儲早先規劃的19納米制程工藝技術也將首先應用在DDR4 8Gb的產品上，應用產品瞄準個人計算機以及服務器上，后續的LPDDR4則是預期在明年第三季進入試產階段。原先擔任兆易創新CEO的朱一明先生也將辭去原有的職務，正式接任長鑫存儲和睿力集成CEO的職位，至于前CEO王寧國先生則是在建廠告一段落后交棒，顯示合肥地方發展存儲產業由建廠進度轉為研發、量產與營銷為主軸的新局面。

從時程上來看，長鑫存儲過去DRAM事業的進展穩健，506項目從2016年第二季度啟動以來，短短兩年陸續完成廠房興建、機臺設備移入和上千件專利的申請，再加上先前兆易創新在存儲業界的豐富經驗，對于長鑫存儲后續各項DRAM產品的試產、開發以及結合NOR Flash和NAND Flash更為廣泛的應用有更大的幫助。在后續工藝規劃上，19納米的DRAM試產后，17納米的DRAM技術開發也將緊鑼密鼓的展開，寄望能夠在未來DRAM工藝制程技術微縮時程拉長之際，能夠縮短與國際大廠之間的距離。

中國DRAM存儲器產業自主化更是刻不容緩的一條艱巨道路。中國目前在全球個人計算機、智能手機、服務器/數據中心以及未來新時代的AI人工智能以及物聯網均扮演關鍵地位，聯想品牌已是全球PC市占率最高的廠商；華為、OPPO、VIVO和小米等手機品牌更是早已盤據全球智能手機排行榜前七位；華為、騰訊、百度、阿里巴巴等更是目前全球服務器與數據中心關鍵領導廠商，而各式各樣廣泛的電子產品都需要DRAM存儲器才能充分運作，甚至未來進入AI人工智能、挖礦機和自動駕駛車輛對于DRAM的需求將更為倚重。

對比DRAM產業目前高度集中在三星、海力士以及美光三家廠商，其他業者比重不超過5%的特殊產業結構來看，若不能解決這樣的情況，未來中國持續發展電子產業上勢必遇到關鍵零組件仰人鼻息的瓶頸。同時，中國發展DRAM存儲器產業不僅只是存儲業者自身的事情，更必須透過設備商、材料商等完整供應鏈配套，才能縮短學習曲線。