當前全球存儲芯片主要為韓美日三國所占有，中國的三大存儲芯片企業長江存儲、合肥長鑫、福建晉華近期紛紛開始安裝機臺預計今年下半年投產存儲芯片，這將有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面。

存儲芯片主要有NAND flash、DRAM，在全球NAND flash市場份額前五名分別為三星、東芝、西部數據、美光、SK海力士，市場份額分別為38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%；在DRAM市場份額前三名分別為三星、SK海力士、美光，市場份額分別為45%、28%、21%。

由上可見，全球存儲芯片一哥無疑是三星，其在NAND flash和DRAM市場均占據優勢的市場份額，而按國家來說韓國是全球存儲芯片的龍頭，擁有三星和SK海力士兩大存儲芯片企業。

中國是全球最大制造國，對存儲芯片有巨大需求，中國采購的存儲芯片占全球約兩成比例，近兩年全球存儲芯片價格持續上漲對中國產生了巨大影響，導致本來就利潤微薄的行業飽受其苦，要打破這種局面發展自己的存儲芯片無疑是最好的辦法，正是在這種背景下，中國開始積極發展自己的存儲芯片產業。

在之前國內按集成電路產業的分類，全國的產業格局呈現“三超多強”。即北京、上海、深圳為“三超”，蘇州、無錫、成都、西安、武漢為“多強”。上述人士回憶，當時北上深依托“中芯國際”和“海思”成為三強。而無錫、上海一帶則有908、902工程作依托，成都有封測產業，西安還有三星的制造業基地，武漢則憑借著武漢新芯成為多強之一。

國內的內存還是閃存產品在國際競爭格局上，基本均被韓國、日本、美國等國壟斷。其中在DRAM領域，三星、海力士及美光（它于2012年兼并日本的爾必達）為行業龍頭，在NAND領域，也由三星、東芝、新帝，海力士以及美光、英特爾共同掌握全球話語權。

反觀國內，企業在存儲領域既沒有技術優勢，也沒有生產規模，每年進口的芯片金額高達2500億美元，在主流與DRAM和NAND Flash芯片的制造上是零。“在存儲器產業中，韓美日廠商幾乎壟斷了全球存儲器市場。”上述人士也表示無奈。

現在長江存儲、合肥長鑫、福建晉華擔起了這個重任，共同發力，長江存儲主要發展NAND flash，合肥長鑫和福建晉華主要發展DRAM，三家企業在去年底實現了廠房封頂，近期開始陸續搬入機臺等生產設備，按計劃它們今年下半年將開始試產存儲芯片。

當然中國的存儲芯片企業在投產后還需要在技術方面追趕韓美日等存儲芯片企業，長江存儲當下準備投產的為32層NAND flash而韓國三星去年就開始大規模投產64層NAND flash，長江存儲希望在未來兩三年實現64層NAND flash的技術突破，把技術差距盡量縮短到兩年以內來。

合肥長鑫、福建晉華兩家公司計劃將要投產DRAM，韓國三星當下已開始采用18nm工藝生產DRAM，并正研發更先進的生產工藝，合肥長鑫和福建晉華在投產后預計在工藝方面較這些存儲芯片巨頭還有較大差距，在正式投產后還將面臨著良率問題等，需要時間。

值得驚喜的關注，北京兆易創新公司，他們在DRAM技術上取得了突破，其也與合肥市產業投資控股集團達成了合作協議，計劃投資180億元，采用19nm工藝生產來存儲芯片，預計今年底前將投入生產，不過它產品良率不高，表示今年計劃達到10%，這說明了生產存儲芯片是面臨著很多的技術難題，只是良率方面就是一座大山難以跨越。

對于中國龐大的制造業，即使是中國存儲芯片企業他們在初期在技術方面步伐有些落后，但是我國對低端存儲芯片依然有強烈需求，這為中國存儲芯片企業提供了發展的沃土，它們終將趕上韓美日存儲芯片企業，中國的許多那么多產業不就是從低端做起，從無到有，從有再到強的發展軌跡嗎？